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1. 发明专利

TW201501290A 電子裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：电子设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201501290A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103103500
申请日：2014-01-29
申请人：獨立行政法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：佐藤信太郎 , SATO, SHINTARO , 山田綾香 , YAMADA, AYAKA , 八木克典 , YAGI, KATSUNORI , 高橋慎 , TAKAHASHI, MAKOTO
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/28
CPC分类号： H01L51/0562 , H01L29/1606 , H01L29/42312 , H01L29/42364 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L29/808 , H01L29/8086 , H01L51/0002 , H01L51/0032 , H01L51/004 , H01L51/0045 , H01L51/0094 , H01L2251/10
摘要：一種電子裝置，係含有奈米碳材料及與奈米碳材料電連接之一對電極，並含有下層及上層，其中該下層係形成於奈米碳材料下且由具有摻雜功能之至少1種分子材料所構成，該上層係形成於奈米碳材料上且由具有相反極性的摻雜功能之至少2種分子材料所構成；奈米碳材料係藉由下層及上層而在一對電極間的區域構成選自NPN結構、PNP結構、N+P-P+結構、及P+N-N+結構之1種。依照該構成，實現一種藉由比較簡便的結構將奈米碳材料使用作為通道之可靠性高的電子裝置，其中該奈米碳材料係使用分子材料形成有能帶隙(band gap)。
简体摘要：一种电子设备，系含有奈米碳材料及与奈米碳材料电连接之一对电极，并含有下层及上层，其中该下层系形成于奈米碳材料下且由具有掺杂功能之至少1种分子材料所构成，该上层系形成于奈米碳材料上且由具有相反极性的掺杂功能之至少2种分子材料所构成；奈米碳材料系借由下层及上层而在一对电极间的区域构成选自NPN结构、PNP结构、N+P-P+结构、及P+N-N+结构之1种。依照该构成，实现一种借由比较简便的结构将奈米碳材料使用作为信道之可靠性高的电子设备，其中该奈米碳材料系使用分子材料形成有能带隙(band gap)。

2. 发明专利

TWI337376B 作為靜電放電（ＥＳＤ）保護元件之閘極控制終止電阻元件以及防止電路中發生靜電放電的裝置 GATE-GESTEUERTES FIN-WIDERSTANDSELEMENT ZUR VERWENDUNG ALS ESD-SCHUTZELEMENT IN EINEM ELEKTRISCHEN SCHALTKREIS UND EINRICHTUNG ZUM SCHUTZ VOR ELEKTROSTATISCHEN ENTLADUNGEN IN EINEM ELEKTRISCHEN SCHALTKREIS 有权
简体标题：作为静电放电（ＥＳＤ）保护组件之闸极控制终止电阻组件以及防止电路中发生静电放电的设备 GATE-GESTEUERTES FIN-WIDERSTANDSELEMENT ZUR VERWENDUNG ALS ESD-SCHUTZELEMENT IN EINEM ELEKTRISCHEN SCHALTKREIS UND EINRICHTUNG ZUM SCHUTZ VOR ELEKTROSTATISCHEN ENTLADUNGEN IN EINEM ELEKTRISCHEN SCHALTKREIS
公开(公告)号：TWI337376B
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：TW095128769
申请日：2006-08-04
申请人：英飛凌科技股份有限公司
发明人：哈拉爾德格斯納 , 克里斯提納魯斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1211 , H01L27/0288 , H01L29/42392 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/8086 , H01L2029/7857
摘要：一種在電路中作為靜電放電保護元件用的閘極控制肋條電阻元件，具有一肋條結構，這個肋條結構具有一第一個連接區、一第二個連接區、以及一位於第一個連接區及第二個連接區之間的通道區。此外，這種閘極控制肋條電阻元件還具有一至少是位於通道區的一部分表面上方的閘極區。這個閘極區與一閘極控制裝置導電連接，這個閘極控制裝置的作用是控制閘極區的電位，以便使閘極控制肋條電阻元件在電路處於第一種運轉狀態期間具有較高的電阻，以及使閘極控制肋條電阻元件在電路處於第二種運轉狀態期間(其特徵為出現靜電放電的現象)具有較低的電阻。
简体摘要：一种在电路中作为静电放电保护组件用的闸极控制肋条电阻组件，具有一肋条结构，这个肋条结构具有一第一个连接区、一第二个连接区、以及一位于第一个连接区及第二个连接区之间的信道区。此外，这种闸极控制肋条电阻组件还具有一至少是位于信道区的一部分表面上方的闸极区。这个闸极区与一闸极控制设备导电连接，这个闸极控制设备的作用是控制闸极区的电位，以便使闸极控制肋条电阻组件在电路处于第一种运转状态期间具有较高的电阻，以及使闸极控制肋条电阻组件在电路处于第二种运转状态期间(其特征为出现静电放电的现象)具有较低的电阻。

3. 发明专利

TW200903802A 具鰭形結構之半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A FIN STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：具鳍形结构之半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A FIN STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200903802A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097116185
申请日：2008-05-02
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：卡普爾阿休克K KAPOOR, ASHOK K.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/8086 , H01L29/66901 , H01L29/785
摘要：一種包括一矽晶絕緣體(SOI)基板之半導體裝置,其包含一形成在半導體材料上之絕緣層、以及一鰭形結構。該鰭形結構係由半導體材料所形成,並且從該SOI基板延伸。此外,該鰭形結構包括一源極區域、一汲極區域、一通道區域,以及一閘極區域。該源極區域、汲極區域與通道區域係以一第一類型之雜質加以摻雜,而該閘極區域則係以一第二類型之雜質加以摻雜。閘極區域沿著至少一個邊界緊鄰通道區域,且該通道區域係能夠運作,以便在半導體裝置處於一啓動狀態中操作時傳導該汲極區域以及源極區域之間的電流。
简体摘要：一种包括一硅晶绝缘体(SOI)基板之半导体设备,其包含一形成在半导体材料上之绝缘层、以及一鳍形结构。该鳍形结构系由半导体材料所形成,并且从该SOI基板延伸。此外,该鳍形结构包括一源极区域、一汲极区域、一信道区域,以及一闸极区域。该源极区域、汲极区域与信道区域系以一第一类型之杂质加以掺杂,而该闸极区域则系以一第二类型之杂质加以掺杂。闸极区域沿着至少一个边界紧邻信道区域,且该信道区域系能够运作,以便在半导体设备处于一启动状态中操作时传导该汲极区域以及源极区域之间的电流。

4. 发明专利

TW200818495A 絕緣體上矽(SOI)接面場效電晶體及其製造方法 SILICON-ON-INSULATOR (SOI) JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
简体标题：绝缘体上硅(SOI)接面场效应管及其制造方法 SILICON-ON-INSULATOR (SOI) JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURE
公开(公告)号：TW200818495A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096130859
申请日：2007-08-21
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：卡普爾亞修克K. KAPOOR, ASHOK K.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/098 , H01L21/26513 , H01L27/1203 , H01L29/66901 , H01L29/8086
摘要：一種半導體裝置,包括在絕緣體上矽(SOI)晶圓上所製造的互補接面場效電晶體(JFET)。p型JFET包括一個由n型聚矽所形成的控制閘極,而n型JFET包括一個由p型聚矽所形成的控制閘極。互補JFET可以包括四終端JFET,其具有一個形成於通道區域底下的後閘極。此後閘極可以透過一個隔離結構中的切割區域,而電氣式地連接到一通道區域上所形成的控制閘極。而且,互補JFET可以形成於應變矽上,此應變矽則形成於SiGe或SiGeC層或類似物上。
简体摘要：一种半导体设备,包括在绝缘体上硅(SOI)晶圆上所制造的互补接面场效应管(JFET)。p型JFET包括一个由n型聚硅所形成的控制闸极,而n型JFET包括一个由p型聚硅所形成的控制闸极。互补JFET可以包括四终端JFET,其具有一个形成于信道区域底下的后闸极。此后闸极可以透过一个隔离结构中的切割区域,而电气式地连接到一信道区域上所形成的控制闸极。而且,互补JFET可以形成于应变硅上,此应变硅则形成于SiGe或SiGeC层或类似物上。

5. 发明专利

TWI392058B 形成場效電晶體之方法及包括場效電晶體之積體電路有权
简体标题：形成场效应管之方法及包括场效应管之集成电路
公开(公告)号：TWI392058B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW097143260
申请日：2008-11-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：貝德希艾爾凱瑞 , EL-KAREH, BADIH , 李奧那多佛比斯 , FORBES, LEONARD
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L27/02 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0617 , H01L21/8232 , H01L21/845 , H01L27/085 , H01L27/0922 , H01L27/098 , H01L27/1211 , H01L29/66795 , H01L29/7832 , H01L29/785 , H01L29/8086

6. 发明专利

TW201007853A 使用矽化物連接區域之接面場效電晶體及製造方法 JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR USING SILICIDE CONNECTION REGIONS AND METHOD OF FABRICATION 审中-公开
简体标题：使用硅化物连接区域之接面场效应管及制造方法 JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR USING SILICIDE CONNECTION REGIONS AND METHOD OF FABRICATION
公开(公告)号：TW201007853A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098124070
申请日：2009-07-16
申请人： DSM解析公司
发明人：卡普爾阿休克K , 弗拉麥德赫克B
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/8086 , H01L29/458 , H01L29/66901
摘要：一種接面場效電晶體係包含有一半導體基材，以及一形成於該基材中之井孔區域。一係為第一導體類型之源極區域係被形成於該井孔區域中。一係為該第一導體類型之汲極區域係被形成於該井孔區域中，並且係與該源極區域分離。一係為該第一導體類型之通道區域係位於該源極區域和該汲極區域之間，並且係被形成於該井孔區域中。一係為該第二導體類型之閘極區域係被形成於該井孔區域中。該電晶體進一步包括有第一、第二、和第三連接區域。該第一連接區域係與該源極區域形成歐姆接觸，並且係由矽化物所形成。該第二連接區域係與該汲極區域形成歐姆接觸，並且係由矽化物所形成。該第三連接區域係與該閘極區域形成歐姆接觸。
简体摘要：一种接面场效应管系包含有一半导体基材，以及一形成于该基材中之井孔区域。一系为第一导体类型之源极区域系被形成于该井孔区域中。一系为该第一导体类型之汲极区域系被形成于该井孔区域中，并且系与该源极区域分离。一系为该第一导体类型之信道区域系位于该源极区域和该汲极区域之间，并且系被形成于该井孔区域中。一系为该第二导体类型之闸极区域系被形成于该井孔区域中。该晶体管进一步包括有第一、第二、和第三连接区域。该第一连接区域系与该源极区域形成欧姆接触，并且系由硅化物所形成。该第二连接区域系与该汲极区域形成欧姆接触，并且系由硅化物所形成。该第三连接区域系与该闸极区域形成欧姆接触。

7. 发明专利

TW200812236A 包含具有四個端子之接面場效電晶體裝置之電路組態 CIRCUIT CONFIGURATIONS HAVING FOUR TERMINAL JFET DEVICES 审中-公开
简体标题：包含具有四个端子之接面场效应管设备之电路组态 CIRCUIT CONFIGURATIONS HAVING FOUR TERMINAL JFET DEVICES
公开(公告)号：TW200812236A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096121320
申请日：2007-06-13
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：卡普爾亞修克K KAPOOR, ASHOK KUMAR
IPC分类号： H03K , H01L
CPC分类号： H01L29/8086 , H01L29/785 , H01L2029/7857 , H01L2924/0002 , H03K19/09403 , H01L2924/00
摘要：使用四電極接面場效電晶體(JFET)的電路是被揭露。如此的電路可以包括各式各樣的靜態和動態邏輯電路、正反器、多工器、三-態驅動器、相位偵測器、具有可變運作速度的邏輯電路、及/或具有在線性或非線性模式下運作之四電極JFET的類比電路。
简体摘要：使用四电极接面场效应管(JFET)的电路是被揭露。如此的电路可以包括各式各样的静态和动态逻辑电路、正反器、多任务器、三-态驱动器、相位侦测器、具有可变运作速度的逻辑电路、及/或具有在线性或非线性模式下运作之四电极JFET的模拟电路。

8. 发明专利

TWI556419B 影像感測裝置及其製造方法有权
简体标题：影像传感设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI556419B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW103100025
申请日：2014-01-02
申请人：晶相光電股份有限公司 , SILICON OPTRONICS, INC.
发明人：陳俊伯 , CHEN, JUN BO
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14806 , H01L21/28008 , H01L27/14614 , H01L27/14689 , H01L29/4916 , H01L29/786 , H01L29/808 , H01L29/8086

9. 发明专利

TW201528484A 影像感測裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：影像传感设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201528484A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103100025
申请日：2014-01-02
申请人：晶相光電股份有限公司 , SILICON OPTRONICS, INC.
发明人：陳俊伯 , CHEN, JUN BO
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14806 , H01L21/28008 , H01L27/14614 , H01L27/14689 , H01L29/4916 , H01L29/786 , H01L29/808 , H01L29/8086
摘要：本發明揭露一種影像感測裝置中，轉移電晶體的製造方式。電晶體包括基板，位於基板上的閘極氧化層以及位於閘極氧化層上之閘極電極部。閘極電極部內具有一溝槽或絕緣層用以精準在閘極電極部內定義出第一區及第二區，且其中第一區具有第一導電型，而第二區具有第二導電型或為一未摻雜區。
简体摘要：本发明揭露一种影像传感设备中，转移晶体管的制造方式。晶体管包括基板，位于基板上的闸极氧化层以及位于闸极氧化层上之闸极电极部。闸极电极部内具有一沟槽或绝缘层用以精准在闸极电极部内定义出第一区及第二区，且其中第一区具有第一导电型，而第二区具有第二导电型或为一未掺杂区。

10. 发明专利

TW200824133A 具有以實質上均勻圖案密度形成之電路的半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CIRCUITS FORMED WITH ESSENTIALLY UNIFORM PATTERN DENSITY 审中-公开
简体标题：具有以实质上均匀图案密度形成之电路的半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CIRCUITS FORMED WITH ESSENTIALLY UNIFORM PATTERN DENSITY
公开(公告)号：TW200824133A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096134026
申请日：2007-09-12
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：卡普爾亞修克K. KAPOOR, ASHOK KUMAR , 邱李察K. CHOU, RICHARD K. , 瑟瑪拉帕利丹莫達R. THUMMALAPALLY, DAMODAR R.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L29/1041 , H01L29/66901 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/8086 , H03K19/09403
摘要：一種半導體裝置包括一第一電路部分其具有至少一電晶體與由一傳導層所形成的至少三導線耦合。三導線之至少之一者的其中只有一者形成該至少一電晶體的一控制終端。此外,一第二電路部分包括至少二電晶體。每一電晶體具有一藉由相同傳導層所形成的一導線構成的控制終端。第一電路部分之三導線具有與第二電路部分之導線相同的節距圖案。
简体摘要：一种半导体设备包括一第一电路部分其具有至少一晶体管与由一传导层所形成的至少三导线耦合。三导线之至少之一者的其中只有一者形成该至少一晶体管的一控制终端。此外,一第二电路部分包括至少二晶体管。每一晶体管具有一借由相同传导层所形成的一导线构成的控制终端。第一电路部分之三导线具有与第二电路部分之导线相同的节距图案。

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