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1. 发明专利

TW201501290A 電子裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：电子设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201501290A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103103500
申请日：2014-01-29
申请人：獨立行政法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：佐藤信太郎 , SATO, SHINTARO , 山田綾香 , YAMADA, AYAKA , 八木克典 , YAGI, KATSUNORI , 高橋慎 , TAKAHASHI, MAKOTO
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/28
CPC分类号： H01L51/0562 , H01L29/1606 , H01L29/42312 , H01L29/42364 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L29/808 , H01L29/8086 , H01L51/0002 , H01L51/0032 , H01L51/004 , H01L51/0045 , H01L51/0094 , H01L2251/10
摘要：一種電子裝置，係含有奈米碳材料及與奈米碳材料電連接之一對電極，並含有下層及上層，其中該下層係形成於奈米碳材料下且由具有摻雜功能之至少1種分子材料所構成，該上層係形成於奈米碳材料上且由具有相反極性的摻雜功能之至少2種分子材料所構成；奈米碳材料係藉由下層及上層而在一對電極間的區域構成選自NPN結構、PNP結構、N+P-P+結構、及P+N-N+結構之1種。依照該構成，實現一種藉由比較簡便的結構將奈米碳材料使用作為通道之可靠性高的電子裝置，其中該奈米碳材料係使用分子材料形成有能帶隙(band gap)。
简体摘要：一种电子设备，系含有奈米碳材料及与奈米碳材料电连接之一对电极，并含有下层及上层，其中该下层系形成于奈米碳材料下且由具有掺杂功能之至少1种分子材料所构成，该上层系形成于奈米碳材料上且由具有相反极性的掺杂功能之至少2种分子材料所构成；奈米碳材料系借由下层及上层而在一对电极间的区域构成选自NPN结构、PNP结构、N+P-P+结构、及P+N-N+结构之1种。依照该构成，实现一种借由比较简便的结构将奈米碳材料使用作为信道之可靠性高的电子设备，其中该奈米碳材料系使用分子材料形成有能带隙(band gap)。

2. 发明专利

TW201110345A 具有混合電極的電晶體與整流器及其製造方法审中-公开
简体标题：具有混合电极的晶体管与整流器及其制造方法
公开(公告)号：TW201110345A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099124690
申请日：2010-07-27
申请人：香港科技大學
发明人：陳敬 , 周春華
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/28575 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41725 , H01L29/42312 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/872
摘要：本發明提供了具有混合電極的電晶體與整流器及其製造方法。本發明公開一種異質結半導體電晶體,包括:III-氮化物型半導體異質結,該異質結包括有源層以及位於其上方的勢壘層;以及混合電極區域,該混合電極區域包括混合汲極區域。此外,本發明公開一種異質結半導體整流器,包括:III-氮化物型半導體異質結;以及混合電極區域,該混合電極區域包括混合陰極區域。進一步,所述電晶體與所述整流器所具有的混合電極區域可包括永久捕獲負電荷,該電荷位於所述混合電極區域的蕭特基接觸下方。
简体摘要：本发明提供了具有混合电极的晶体管与整流器及其制造方法。本发明公开一种异质结半导体晶体管,包括:III-氮化物型半导体异质结,该异质结包括有源层以及位于其上方的势垒层;以及混合电极区域,该混合电极区域包括混合汲极区域。此外,本发明公开一种异质结半导体整流器,包括:III-氮化物型半导体异质结;以及混合电极区域,该混合电极区域包括混合阴极区域。进一步,所述晶体管与所述整流器所具有的混合电极区域可包括永久捕获负电荷,该电荷位于所述混合电极区域的萧特基接触下方。

3. 发明专利

TW200418194A MOS型可變電容元件 MOS-TYPE VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT 审中-公开
简体标题： MOS型可变电容组件 MOS-TYPE VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT
公开(公告)号：TW200418194A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：TW092104410
申请日：2003-03-03
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：小川隆興 TAKAOKI OGAWA , 富田和廣 KAZUHIRO TOMITA , 青木考樹 KOJU AOKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0684 , H01L27/0808 , H01L29/42312 , H01L29/93 , H01L29/94
摘要：本發明係在p型半導體基板(2)中形成n井(3)。在p型半導體基板(2)及n井(3)上形成閘絕緣膜(4)，再於閘絕緣膜(4)上形成閘電極(6)。在p型半導體基板(2)、n井(3)及跨過二者的區域之表面上形成有和閘絕緣膜(4)鄰接且選擇性地擴散有高濃度的n型雜質之源極層(8)。另，和該源極層(8)隔開地形成有選擇性地擴散了高濃度之p型雜質的接觸層(11)。透過在源極層(8)與閘電極(6)之間施加端子間電壓VT的方式，可以相對於端子間電壓VT在廣範圍內獲得線形性優良的電容特性。本發明可以提供一種MOS型可變電容元件，其不僅可以相對於端子間電壓VT在廣範圍內獲得線形性良好的特性，改善VCO電路等之性能，而且造構造簡單，又不需額外增加遮罩及步驟即可以製造。
简体摘要：本发明系在p型半导体基板(2)中形成n井(3)。在p型半导体基板(2)及n井(3)上形成闸绝缘膜(4)，再于闸绝缘膜(4)上形成闸电极(6)。在p型半导体基板(2)、n井(3)及跨过二者的区域之表面上形成有和闸绝缘膜(4)邻接且选择性地扩散有高浓度的n型杂质之源极层(8)。另，和该源极层(8)隔开地形成有选择性地扩散了高浓度之p型杂质的接触层(11)。透过在源极层(8)与闸电极(6)之间施加端子间电压VT的方式，可以相对于端子间电压VT在广范围内获得线形性优良的电容特性。本发明可以提供一种MOS型可变电容组件，其不仅可以相对于端子间电压VT在广范围内获得线形性良好的特性，改善VCO电路等之性能，而且造构造简单，又不需额外增加遮罩及步骤即可以制造。

4. 发明专利

TW201543669A 有袋部的Ｐ穿隧場效電晶體裝置审中-公开
简体标题：有袋部的Ｐ穿隧场效应管设备
公开(公告)号：TW201543669A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104104781
申请日：2015-02-12
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：艾維可尤嘉 , AVCI, UYGAR E. , 寇利爾羅沙 , KOTLYAR, ROZA , 楊艾恩 , YOUNG, IAN A.
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/66977 , G06F3/041 , H01L21/18 , H01L23/66 , H01L29/165 , H01L29/205 , H01L29/42312 , H01L29/66356 , H01L29/66742 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L29/88 , H01L2223/6677
摘要：本發明揭述一種穿隧場效電晶體(TFET)，其包含：一汲極區，具有第一導電類型；一源極區，具有相反於第一導電類型之第二導電類型；一閘極區，用於導致源極與汲極區之間的一通道區形成；及一袋部，設置接近於源極區之一接面，其中袋部區係由一材料形成，材料之一類型原子之百分比較低於該類型原子在源極區、通道區、及汲極區中之百分比。
简体摘要：本发明揭述一种穿隧场效应管(TFET)，其包含：一汲极区，具有第一导电类型；一源极区，具有相反于第一导电类型之第二导电类型；一闸极区，用于导致源极与汲极区之间的一信道区形成；及一袋部，设置接近于源极区之一接面，其中袋部区系由一材料形成，材料之一类型原子之百分比较低于该类型原子在源极区、信道区、及汲极区中之百分比。

5. 发明专利

TW201426883A 單一或多重閘極場平板之製造审中-公开
简体标题：单一或多重闸极场平板之制造
公开(公告)号：TW201426883A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW103103844
申请日：2004-09-09
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 , THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , 克立公司 , CREE, INC.
发明人：奇尼亞歷山德勒 , CHINI, ALESSANDRO , 米希拉伍米希K , MISHRA, UMESH K. , 派力派密特 , PARIKH, PRIMIT , 吳宜方 , WU, YIFENG
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/404 , H01L27/0605 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/401 , H01L29/402 , H01L29/41766 , H01L29/42312 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/785
摘要：本發明揭示一種用於製造單一或多重閘極場平板之方法，該方法使用在場效應電晶體之表面上之介電材料沈積/生長、介電材料蝕刻及金屬蒸鍍之連續步驟。因為介電材料沈積/生長通常為良好可控的過程，所以此製造方法允許基於場平板運作之嚴密控制。此外，沈積於裝置表面上之介電材料不需自裝置本質(intrinsic)區域移除：此基本上使得能夠無需低損壞介電材料之乾式/濕式蝕刻而實現場平板裝置。使用多重閘極場平板亦藉由多重連接而減少閘極電阻，因此而改良較大周邊及/或次微米閘極裝置之效能。
简体摘要：本发明揭示一种用于制造单一或多重闸极场平板之方法，该方法使用在场效应晶体管之表面上之介电材料沉积/生长、介电材料蚀刻及金属蒸镀之连续步骤。因为介电材料沉积/生长通常为良好可控的过程，所以此制造方法允许基于场平板运作之严密控制。此外，沉积于设备表面上之介电材料不需自设备本质(intrinsic)区域移除：此基本上使得能够无需低损坏介电材料之干式/湿式蚀刻而实现场平板设备。使用多重闸极场平板亦借由多重连接而减少闸极电阻，因此而改良较大周边及/或次微米闸极设备之性能。

6. 发明专利

TW200739926A 電子裝置及形成電子裝置之方法 ELECTRONIC DEVICE AND A PROCESS FOR FORMING THE ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
简体标题：电子设备及形成电子设备之方法 ELECTRONIC DEVICE AND A PROCESS FOR FORMING THE ELECTRONIC DEVICE
公开(公告)号：TW200739926A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095146362
申请日：2006-12-12
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：里歐馬修 MATHEW, LEO , 麥可G 卡金斯基 KHAZHINSKY, MICHAEL G.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0811 , H01L29/0657 , H01L29/42312 , H01L29/7391 , H01L29/785
摘要：本發明揭示一種可包含一閘控二極體之電子裝置(10),其中該閘控二極體包含一接面二極體結構,該接面二極體結構包含一接面,與該接面間隔開並相鄰之一第一導電部件(101)可以係連接至一第一信號線。與該接面間隔開並相鄰之一第二導電部件(103)可以係同時與一第二信號線電性連接而與該第一導電部件電性絕緣(32、22)。該接面二極體結構可包含一p-n或一p-i-n接面。還說明一用以形成該電子裝置之方法。
简体摘要：本发明揭示一种可包含一闸控二极管之电子设备(10),其中该闸控二极管包含一接面二极管结构,该接面二极管结构包含一接面,与该接面间隔开并相邻之一第一导电部件(101)可以系连接至一第一信号线。与该接面间隔开并相邻之一第二导电部件(103)可以系同时与一第二信号线电性连接而与该第一导电部件电性绝缘(32、22)。该接面二极管结构可包含一p-n或一p-i-n接面。还说明一用以形成该电子设备之方法。

7. 发明专利

TWI520332B 異質結構半導體電晶體、異質結構半導體整流器及製造高電子遷移率電晶體的方法有权
简体标题：异质结构半导体晶体管、异质结构半导体整流器及制造高电子迁移率晶体管的方法
公开(公告)号：TWI520332B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW099124690
申请日：2010-07-27
申请人：香港科技大學 , THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：陳敬 , 周春華
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/28575 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41725 , H01L29/42312 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/872

8. 发明专利

TW201442084A 形成閘極接點的方法审中-公开
简体标题：形成闸极接点的方法
公开(公告)号：TW201442084A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103106640
申请日：2014-02-27
申请人：諾斯洛普葛魯門系統公司 , NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION
发明人：難波卡蘿O , NAMBA, CAROL O. , 劉柏欣 , LIU, PO-HSIN , 泡司特蘇米可 , POUST, SUMIKO , 斯摩奇科娃伊歐利亞 , SMORCHKOVA, IOULIA , 沃圖維克麥可 , WOJTOWICZ, MICHAEL , 葛朗德巴赫羅南德 , GRUNDBACHER, RONALD
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28114 , H01L21/0277 , H01L21/28123 , H01L21/28537 , H01L21/28587 , H01L29/2003 , H01L29/42312 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/78
摘要：本發明係提供一種形成一化合物半導體裝置的閘極接點的方法。該閘極接點係由一閘極接觸部分與一頂部或翼部接觸部分形成。基於一所希望的操作頻率，該方法使得該翼部接觸部分的大小可調整，而維持該閘極接觸部分的大小。其係藉由於該翼部接觸部分上提供一個或多個額外的導體材料製程來增加該翼部接觸部分的截面積，以降低該閘極電阻值，並維持該閘極接點的長度以維持該裝置的操作頻率。
简体摘要：本发明系提供一种形成一化合物半导体设备的闸极接点的方法。该闸极接点系由一闸极接触部分与一顶部或翼部接触部分形成。基于一所希望的操作频率，该方法使得该翼部接触部分的大小可调整，而维持该闸极接触部分的大小。其系借由于该翼部接触部分上提供一个或多个额外的导体材料制程来增加该翼部接触部分的截面积，以降低该闸极电阻值，并维持该闸极接点的长度以维持该设备的操作频率。

9. 发明专利

TW543205B 化合物半導體裝置失效
简体标题：化合物半导体设备
公开(公告)号：TW543205B
公开(公告)日：2003-07-21
申请号：TW091111648
申请日：2002-05-31
申请人：三洋電機股份有限公司
发明人：淺野哲郎 , 上川正博 , 平田耕一 , 原幹人
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/06 , H01L23/4824 , H01L24/45 , H01L29/41758 , H01L29/42312 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/45015 , H01L2224/45117 , H01L2224/45144 , H01L2224/45155 , H01L2224/48091 , H01L2224/4911 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/01032 , H01L2924/00
摘要：以往之化合物半導體裝置，其係使採用於高頻裝置之 GaAsFET能夠實現晶片尺寸之縮小化並降低成本，而將各焊墊電極沿著晶片角隅呈L字型配置。
本發明為更進一步實現晶片尺寸之縮小化並提昇高頻特性，而在晶片之各角隅處配置各焊墊電極，並於中央處將FET相對於晶片的邊傾斜45度進行配置。藉此可使晶片尺寸更加縮小，並實現比超高頻之矽半導體之FET更廉價的GaAsFET。
简体摘要：以往之化合物半导体设备，其系使采用于高频设备之 GaAsFET能够实现芯片尺寸之缩小化并降低成本，而将各焊垫电极沿着芯片角隅呈L字体配置。本发明为更进一步实现芯片尺寸之缩小化并提升高频特性，而在芯片之各角隅处配置各焊垫电极，并于中央处将FET相对于芯片的边倾斜45度进行配置。借此可使芯片尺寸更加缩小，并实现比超高频之硅半导体之FET更廉价的GaAsFET。

10. 发明专利

TWI608604B 有袋部的Ｐ穿隧場效電晶體裝置有权
简体标题：有袋部的Ｐ穿隧场效应管设备
公开(公告)号：TWI608604B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW104104781
申请日：2015-02-12
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：艾維可尤嘉 , AVCI, UYGAR E. , 寇利爾羅沙 , KOTLYAR, ROZA , 楊艾恩 , YOUNG, IAN A.
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/66977 , G06F3/041 , H01L21/18 , H01L23/66 , H01L29/165 , H01L29/205 , H01L29/42312 , H01L29/66356 , H01L29/66742 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L29/88 , H01L2223/6677

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