专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201737354A 半導體裝置，電子部件，電子設備及用於製造半導體裝置之方法审中-公开
简体标题：半导体设备，电子部件，电子设备及用于制造半导体设备之方法
公开(公告)号：TW201737354A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106100920
申请日：2017-01-12
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：竹內克彥 , TAKEUCHI, KATSUHIKO , 兼松成 , KANEMATSU, SHIGERU , 柳田將志 , YANAGITA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/42356 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/66462 , H01L29/66666 , H01L29/7788 , H01L29/7789 , H01L29/7827 , H01L29/802
摘要：一種半導體裝置包含一基板及該基板上之一第一接觸層。該半導體裝置包含該第一接觸層上之一通道層及該通道層上之一障壁層。該半導體裝置包含該障壁層之至少一個側表面上之一閘極電極及該通道層上之一第二接觸層。該半導體裝置包含該第一接觸層上之一第一電極及該第二接觸層上之一第二電極。
简体摘要：一种半导体设备包含一基板及该基板上之一第一接触层。该半导体设备包含该第一接触层上之一信道层及该信道层上之一障壁层。该半导体设备包含该障壁层之至少一个侧表面上之一闸极电极及该信道层上之一第二接触层。该半导体设备包含该第一接触层上之一第一电极及该第二接触层上之一第二电极。

2. 发明专利

TW201630056A 半導體裝置結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201630056A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104139862
申请日：2015-11-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李凱璿 , LEE, KAI HSUAN , 楊正宇 , YANG, CHENG YU , 沈香谷 , SHEN, HSIANG KU , 蔡瀚霆 , TSAI, HAN TING , 黃益民 , HUANG, YI MIN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/43 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/0223 , H01L21/3065 , H01L21/76224 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/36 , H01L29/495 , H01L29/66431 , H01L29/66795 , H01L29/802
摘要：本發明提供半導體裝置結構及其製造方法，此半導體裝置結構包含半導體基底和半導體基底上的鰭式結構，此半導體裝置結構也包含在一部分鰭式結構上的閘極堆疊，且鰭式結構包含在閘極堆疊下的中間部分和中間部分旁邊的上方部分，此半導體裝置結構更包含在鰭式結構上的接觸層，接觸層包含金屬材料，且鰭式結構的上方部分也包含此金屬材料。
简体摘要：本发明提供半导体设备结构及其制造方法，此半导体设备结构包含半导体基底和半导体基底上的鳍式结构，此半导体设备结构也包含在一部分鳍式结构上的闸极堆栈，且鳍式结构包含在闸极堆栈下的中间部分和中间部分旁边的上方部分，此半导体设备结构更包含在鳍式结构上的接触层，接触层包含金属材料，且鳍式结构的上方部分也包含此金属材料。

3. 发明专利

TWI512973B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI512973B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW101126392
申请日：2012-07-20
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：竹內克彥 , TAKEUCHI, KATSUHIKO , 谷口理 , TANIGUCHI, SATOSHI
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/338 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7784 , H01L29/1066 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/517 , H01L29/7785 , H01L29/802

4. 发明专利

TW201436223A 奈米級模板結構上的ＩＩＩ－族氮化物電晶體审中-公开
简体标题：奈米级模板结构上的ＩＩＩ－族氮化物晶体管
公开(公告)号：TW201436223A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102141483
申请日：2013-11-14
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：陳漢威 , THEN, HAN WUI , 達斯古塔山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 拉多撒福傑維克馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 朱功班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 嘉德納薩內斯 , GARDENER, SANAZ K. , 宋承宏 , SUNG, SEUNG HOON , 喬羅伯特 , CHAU, ROBERT S.
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/0228 , H01L21/0254 , H01L21/283 , H01L21/28575 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/201 , H01L29/42356 , H01L29/66462 , H01L29/66795 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/802
摘要： III族氮化物半導體通道係形成於III族氮化物轉變層之上，且III族氮化物轉變層係形成於諸如鰭部側壁之矽模板結構的(111)或(110)表面上。在實施例中，矽鰭部具有可與更相容種晶層之III族氮化物磊晶膜厚度相比的寬度，因此可允許較低缺陷密度及/或減少之磊晶膜厚度。在實施例中，轉變層為GaN及半導體通道包含銦(In)以增加從矽鰭部偏移之導電帶。在其他實施例中，鰭部為犧牲用途，於電晶體製造期間被移除或氧化，或轉換為介電結構。在採用犧牲鰭部之若干實施例中，III族氮化物轉變層及半導體通道實質上為純GaN，因此可允許高於在矽鰭部存在時可承受之崩潰電壓。
简体摘要： III族氮化物半导体信道系形成于III族氮化物转变层之上，且III族氮化物转变层系形成于诸如鳍部侧壁之硅模板结构的(111)或(110)表面上。在实施例中，硅鳍部具有可与更兼容种晶层之III族氮化物磊晶膜厚度相比的宽度，因此可允许较低缺陷密度及/或减少之磊晶膜厚度。在实施例中，转变层为GaN及半导体信道包含铟(In)以增加从硅鳍部偏移之导电带。在其他实施例中，鳍部为牺牲用途，于晶体管制造期间被移除或氧化，或转换为介电结构。在采用牺牲鳍部之若干实施例中，III族氮化物转变层及半导体信道实质上为纯GaN，因此可允许高于在硅鳍部存在时可承受之崩溃电压。

5. 发明专利

TWI273705B 應力通道電晶體及其製造方法 TRANSISTOR WITH STRAINED REGION AND METHOD OF MANUFACTURE 有权
简体标题：应力信道晶体管及其制造方法 TRANSISTOR WITH STRAINED REGION AND METHOD OF MANUFACTURE
公开(公告)号：TWI273705B
公开(公告)日：2007-02-11
申请号：TW094136329
申请日：2005-10-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林俊杰 LIN, CHUN CHIEH , 李文欽 LEE, WEN CHIN , 楊育佳 YEE-CHIA YEO , 胡正明 CHENMING HU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66636 , H01L29/7842 , H01L29/7848 , H01L29/802
摘要：本發明提供一電晶體及其製造方法。該電晶體包含一應力通道區，疊覆於一基底區之上，該基底區包含具有一第一晶格常數之一第一半導體材料，而該應力通道區包含具有一第二晶格常數之一第二半導體材料。一源極和一汲極，緊鄰該應力通道區的相對兩側，而該源極和汲極的頂部包含具有一第三晶格常數之一第三半導體材料。一閘極介電層疊覆於該應力通道區之上，而一閘電極疊覆於該閘極介電層之上。
简体摘要：本发明提供一晶体管及其制造方法。该晶体管包含一应力信道区，叠覆于一基底区之上，该基底区包含具有一第一晶格常数之一第一半导体材料，而该应力信道区包含具有一第二晶格常数之一第二半导体材料。一源极和一汲极，紧邻该应力信道区的相对两侧，而该源极和汲极的顶部包含具有一第三晶格常数之一第三半导体材料。一闸极介电层叠覆于该应力信道区之上，而一闸电极叠覆于该闸极介电层之上。

6. 发明专利

TW200618042A 具有一載子排斥層的場效電晶體 FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A CARRIER EXCLUSION LAYER 审中-公开
简体标题：具有一载子排斥层的场效应管 FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A CARRIER EXCLUSION LAYER
公开(公告)号：TW200618042A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094117240
申请日：2005-05-26
申请人：安捷倫科技公司 AGILENT TECHNOLOGIES, INC.
发明人：柯普利湯瑪斯E. KOPLEY, THOMAS EDWARD , 休辛恩馬克R. HUESCHEN, MARK ROBERT , 摩爾尼可拉斯J. MOLL, NICOLAS J.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/802
摘要：一種場效電晶體，包含一基材，一通道層覆設在基材上，一閘極絕緣層，一閘極係藉該閘極絕緣層來與通道層分開，及一載子排斥層設在該通道層與閘極絕緣層之間，其中該載子排斥層的傳導帶能係大於通道層的傳導帶能。
简体摘要：一种场效应管，包含一基材，一信道层覆设在基材上，一闸极绝缘层，一闸极系藉该闸极绝缘层来与信道层分开，及一载子排斥层设在该信道层与闸极绝缘层之间，其中该载子排斥层的传导带能系大于信道层的传导带能。

7. 发明专利

TW468229B 一種高障壁閘極場效電晶體結構失效
简体标题：一种高障壁闸极场效应管结构
公开(公告)号：TW468229B
公开(公告)日：2001-12-11
申请号：TW087112910
申请日：1998-08-05
申请人：行政院國家科學委員會
发明人：劉文超 , 羅文雄 , 常文龍
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/1029 , H01L29/802
摘要：本發明為一種n+-砷化鎵/p+-磷化銦鎵/n-砷化鎵異質接面高閘極障壁之場效電晶體。由於間極為磷化銦鎵材料所構成，在磷化銦鎵/砷化鎵界面間具有約200meV的導帶不連續度△Ec的存在，可有效地侷限電子於通道層內，以得到一高轉導值、低漏電流的良好元件特性。而在價帶亦有約300meV的不連續度△Ev的存在，可有效阻擋電洞因撞擊游離而奔向閘極的作用，故可增加其閘-汲極崩潰電壓。根據以上所述優點，本發明之元件在高功率，大信號類比及數位交換電路的應用上深具潛力。
简体摘要：本发明为一种n+-砷化镓/p+-磷化铟镓/n-砷化镓异质接面高闸极障壁之场效应管。由于间极为磷化铟镓材料所构成，在磷化铟镓/砷化镓界面间具有约200meV的导带不连续度△Ec的存在，可有效地局限电子于信道层内，以得到一高转导值、低漏电流的良好组件特性。而在价带亦有约300meV的不连续度△Ev的存在，可有效阻挡电洞因撞击游离而奔向闸极的作用，故可增加其闸-汲极崩溃电压。根据以上所述优点，本发明之组件在高功率，大信号模拟及数码交换电路的应用上深具潜力。

9. 发明专利

TWI499054B 補償式閘極金屬絕緣體半導體場效電晶體及其製造方法有权
简体标题：补偿式闸极金属绝缘体半导体场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TWI499054B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW099110731
申请日：2010-04-07
申请人：高效電源轉換公司 , EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION
发明人：里道亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 畢曲羅伯特 , BEACH, ROBERT , 納卡塔亞雷納 , NAKATA, ALANA , 曹建軍 , CAO, JIANJUN , 趙廣元 , ZHAO, GUANG YUAN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/092
CPC分类号： H01L29/802 , H01L29/2003 , H01L29/66522

10. 发明专利

TW201101495A 補償式閘極金屬絕緣體半導體場效電晶體及其製造方法 COMPENSATED GATE MISFET AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：补偿式闸极金属绝缘体半导体场效应管及其制造方法 COMPENSATED GATE MISFET AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201101495A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099110731
申请日：2010-04-07
申请人：高效電源轉換公司
发明人：里道亞力山大 , 畢曲羅伯特 , 納卡塔亞雷納 , 曹建軍 , 趙廣元
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/802 , H01L29/2003 , H01L29/66522
摘要：一種金屬絕緣體半導體場效電晶體(MISFET),例如,一氮化鎵電晶體,其具有低閘極漏損量。在一實施例中,該閘極漏損量藉由在該閘極接觸之下且在該障壁層之上的一補償式氮化鎵層被降低。在另一實施例中,該閘極漏損量藉由在該閘極接觸之下且在該障壁層之上採用一半絕緣層而被降低。
简体摘要：一种金属绝缘体半导体场效应管(MISFET),例如,一氮化镓晶体管,其具有低闸极漏损量。在一实施例中,该闸极漏损量借由在该闸极接触之下且在该障壁层之上的一补偿式氮化镓层被降低。在另一实施例中,该闸极漏损量借由在该闸极接触之下且在该障壁层之上采用一半绝缘层而被降低。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式