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1. 发明专利

TW468229B 一種高障壁閘極場效電晶體結構失效
简体标题：一种高障壁闸极场效应管结构
公开(公告)号：TW468229B
公开(公告)日：2001-12-11
申请号：TW087112910
申请日：1998-08-05
申请人：行政院國家科學委員會
发明人：劉文超 , 羅文雄 , 常文龍
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/1029 , H01L29/802
摘要：本發明為一種n+-砷化鎵/p+-磷化銦鎵/n-砷化鎵異質接面高閘極障壁之場效電晶體。由於間極為磷化銦鎵材料所構成，在磷化銦鎵/砷化鎵界面間具有約200meV的導帶不連續度△Ec的存在，可有效地侷限電子於通道層內，以得到一高轉導值、低漏電流的良好元件特性。而在價帶亦有約300meV的不連續度△Ev的存在，可有效阻擋電洞因撞擊游離而奔向閘極的作用，故可增加其閘-汲極崩潰電壓。根據以上所述優點，本發明之元件在高功率，大信號類比及數位交換電路的應用上深具潛力。
简体摘要：本发明为一种n+-砷化镓/p+-磷化铟镓/n-砷化镓异质接面高闸极障壁之场效应管。由于间极为磷化铟镓材料所构成，在磷化铟镓/砷化镓界面间具有约200meV的导带不连续度△Ec的存在，可有效地局限电子于信道层内，以得到一高转导值、低漏电流的良好组件特性。而在价带亦有约300meV的不连续度△Ev的存在，可有效阻挡电洞因撞击游离而奔向闸极的作用，故可增加其闸-汲极崩溃电压。根据以上所述优点，本发明之组件在高功率，大信号模拟及数码交换电路的应用上深具潜力。

2. 发明专利

TW454348B 由砷化銦鎵構成通道區之反向單原子層摻雜式電晶體元件失效
简体标题：由砷化铟镓构成信道区之反向单原子层掺杂式晶体管组件
公开(公告)号：TW454348B
公开(公告)日：2001-09-11
申请号：TW089116006
申请日：2000-08-09
申请人：行政院國家科學委員會
发明人：劉文超 , 羅文雄 , 常文龍
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係揭露了一種由砷化銦鎵構成通道區之反向單源子層摻雜式電晶體元件，其因磷化錮鎵接觸層與砷化鈿鎵通道區之異質接面間具有大的導電帶不連續度，且通道區係由三層厚度及莫耳比例不同之砷化鈿鎵所形成故能有效地侷限電子於通道區內，降低漏電流，進而擁有較高的電子濃度、電子移動率、及一高且線性化之轉導值；並有助於提高崩潰電壓，且得到良好的電晶體夾止電壓(pinch-off vo1tage)。因此於高功率、大信號之積體電路、甚至在微波通訊方面，都將具有很大的應用潛力及發展空間。
简体摘要：本发明系揭露了一种由砷化铟镓构成信道区之反向单源子层掺杂式晶体管组件，其因磷化锢镓接触层与砷化钿镓信道区之异质接面间具有大的导电带不连续度，且信道区系由三层厚度及莫耳比例不同之砷化钿镓所形成故能有效地局限电子于信道区内，降低漏电流，进而拥有较高的电子浓度、电子移动率、及一高且线性化之转导值；并有助于提高崩溃电压，且得到良好的晶体管夹止电压(pinch-off vo1tage)。因此于高功率、大信号之集成电路、甚至在微波通信方面，都将具有很大的应用潜力及发展空间。

3. 发明专利

TW452978B 可耐高溫操作之高崩潰電壓異質結構場效電晶體失效
简体标题：可耐高温操作之高崩溃电压异质结构场效应管
公开(公告)号：TW452978B
公开(公告)日：2001-09-01
申请号：TW089111655
申请日：2000-06-14
申请人：行政院國家科學委員會
发明人：劉文超 , 蔡榮輝 , 常文龍 , 余國輝 , 林坤緯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7784
摘要：一可耐高溫操作之高崩潰電壓異質結構場效電晶體，包含一半導體基板;一位於該基板表面之緩衝層;一位於該緩衝層上之單原子摻雜層;一位於該單原子摻雜層上之未摻雜層;一位於該未摻雜層上之次通道層;一位於該次通道層上之主通道層;一位於該主通道層上之閘極層;一位於該閘極層上之歐姆接觸層。
简体摘要：一可耐高温操作之高崩溃电压异质结构场效应管，包含一半导体基板;一位于该基板表面之缓冲层;一位于该缓冲层上之单原子掺杂层;一位于该单原子掺杂层上之未掺杂层;一位于该未掺杂层上之次信道层;一位于该次信道层上之主信道层;一位于该主信道层上之闸极层;一位于该闸极层上之欧姆接触层。

4. 发明专利

TW396541B 一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬“絕緣體"半導體式場效電晶體失效
简体标题：一种高崩溃电压,低漏电流之金属“绝缘体"半导体式场效应管
公开(公告)号：TW396541B
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：TW087113928
申请日：1998-08-24
申请人：行政院國家科學委員會
发明人：劉文超 , 羅文雄 , 常文龍
IPC分类号： H01L
摘要：本發明為一種具有高崩潰電壓及極低漏電流之新型雙
重單原子層摻雜通道之金屬-”絕緣體”-半導體式場效電晶
體，由於以磷化銦銖材料作為閘極蕭特基接觸層，具有較
高的閘極位障，而在界面間因有明顯的導帶不連續度△Ec5 的存在，可有效地侷限電子於通道層內，以得到一高轉導
值、低漏電流且良好夾止現象的元件特性。
而在價帶亦有明顯的不連續度△EV的存在，可有效阻
擋電洞因撞擊游離而奔向閘極的作用，故可增加其閘-汲
極崩潰電壓。另外，其通道為具有雙重單原子層摻雜，類10似量子井結構的砷化銦鎵磊晶層，使侷限電子的能力更為
良好，以提供較高的載子濃度及較大的電子移動率。因雙
重單原子層摻雜結構可使通道層內載子濃度呈現均勻分
佈，而使元件擁有甚大的閘極電壓操作範圍，以及線性化
的轉導值。根據以上所述優點，本發明之元件在高功率，15大信號電路的應用上深俱潛力。
简体摘要：本发明为一种具有高崩溃电压及极低漏电流之新型双重单原子层掺杂信道之金属-”绝缘体”-半导体式场效电晶体，由于以磷化铟铢材料作为闸极萧特基接触层，具有较高的闸极位障，而在界面间因有明显的导带不连续度△Ec5 的存在，可有效地局限电子于信道层内，以得到一高转导值、低漏电流且良好夹止现象的组件特性。而在价带亦有明显的不连续度△EV的存在，可有效阻挡电洞因撞击游离而奔向闸极的作用，故可增加其闸-汲极崩溃电压。另外，其信道为具有双重单原子层掺杂，类10似量子井结构的砷化铟镓磊晶层，使局限电子的能力更为良好，以提供较高的载子浓度及较大的电子移动率。因双重单原子层掺杂结构可使信道层内载子浓度呈现均匀分布，而使组件拥有甚大的闸极电压操作范围，以及线性化的转导值。根据以上所述优点，本发明之组件在高功率，15大信号电路的应用上深俱潜力。

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