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1. 发明专利

TW200522152A 非連續曝光方法製作奈米電子元件 NANO-ELECTRONIC DEVICES USING DISCRETE EXPOSURE METHOD 审中-公开
简体标题：非连续曝光方法制作奈米电子组件 NANO-ELECTRONIC DEVICES USING DISCRETE EXPOSURE METHOD
公开(公告)号：TW200522152A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW092137191
申请日：2003-12-26
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：黃國貞 HWANG, GWO-JEN , 方奕斌 FANG, YI-PIN , 周亞謙 CHOU, YA-CHANG , 胡淑芬 HU, SHU-FEN
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/66439 , H01L29/7613 , H01L49/006
摘要：本發明係有關於一種利用非連續曝光方法製作奈米電子元件，其步驟包括提供一具有一導體或半導體薄膜之基材，並塗覆一光阻層於該薄膜上；利用微影技術曝光該光阻層，其中設計之微影圖樣為至少一非連續之量子點、一第一電極圖樣、與一第二電極圖樣，其中該些量子點夾置於第一電極圖樣與第二電極圖樣之間；以及蝕刻該薄膜，以使薄膜形成相連接之一量子島群，該量子島群之二末端分別與第一電極以及第二電極相連接；其中該量子島之寬度大於位於該些量子島兩側之穿遂阻障之寬度。一利用該方法製作之奈米電子元件之結構亦一併揭示。
简体摘要：本发明系有关于一种利用非连续曝光方法制作奈米电子组件，其步骤包括提供一具有一导体或半导体薄膜之基材，并涂覆一光阻层于该薄膜上；利用微影技术曝光该光阻层，其中设计之微影图样为至少一非连续之量子点、一第一电极图样、与一第二电极图样，其中该些量子点夹置于第一电极图样与第二电极图样之间；以及蚀刻该薄膜，以使薄膜形成相连接之一量子岛群，该量子岛群之二末端分别与第一电极以及第二电极相连接；其中该量子岛之宽度大于位于该些量子岛两侧之穿遂阻障之宽度。一利用该方法制作之奈米电子组件之结构亦一并揭示。

2. 发明专利

TW200417018A 垂直閘極空乏單一電子電晶體 VERTICAL GATE-DEPLETED SINGLE ELECTRON TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：垂直闸极空乏单一电子晶体管 VERTICAL GATE-DEPLETED SINGLE ELECTRON TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200417018A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092132776
申请日：2003-11-21
申请人：加州大學董事 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：張瑤徽 ZHANG, YAO HUI , 巴隆菲利浦A. BARON, FILIPP A. , 王康L. WANG, KANG L.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/7613 , H01L29/812
摘要：一種垂直閘極空乏單一電子電晶體(SET)製程在導體或絕緣基片之上。數層略經摻雜的基本材料跟隧道障壁被製造在一基片上，其中至少兩個由基本材料所構成之薄層夾著數個由隧道障壁所構成之薄層，且至少兩個由隧道障壁所構成之薄層夾著至少一個由基本材料所構成之薄層。一個台面被製造於該等由基本材料跟隧道障壁所構成之薄層上方，其中該台面有底切的形式。一個歐姆接點被製造在該台面之上，且一或多個閘極肖特基接點被製造於該等由基本材料跟隧道障壁所構成之薄層上。閘極空乏造成量子點，其中一源極電壓設為零，一汲極電壓設為低於0.1，而一閘極電壓設為負質。空乏區擴張至元件的中間部而形成一量子井的側面限制，而其中得一量子點。因為該量子點的尺寸非常小，所能達到的庫倫充能係大到足以讓本元件在室溫下運作。
简体摘要：一种垂直闸极空乏单一电子晶体管(SET)制程在导体或绝缘基片之上。数层略经掺杂的基本材料跟隧道障壁被制造在一基片上，其中至少两个由基本材料所构成之薄层夹着数个由隧道障壁所构成之薄层，且至少两个由隧道障壁所构成之薄层夹着至少一个由基本材料所构成之薄层。一个台面被制造于该等由基本材料跟隧道障壁所构成之薄层上方，其中该台面有底切的形式。一个欧姆接点被制造在该台面之上，且一或多个闸极肖特基接点被制造于该等由基本材料跟隧道障壁所构成之薄层上。闸极空乏造成量子点，其中一源极电压设为零，一汲极电压设为低于0.1，而一闸极电压设为负质。空乏区扩张至组件的中间部而形成一量子井的侧面限制，而其中得一量子点。因为该量子点的尺寸非常小，所能达到的库伦充能系大到足以让本组件在室温下运作。

3. 发明专利

TW413846B 半導體元件的製造方法失效
简体标题：半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TW413846B
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：TW086114490
申请日：1997-10-03
申请人： LG半導體股份有限公司
发明人：李弘熙
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78642 , B82Y10/00 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02491 , H01L21/02532 , H01L21/02639 , H01L27/10823 , H01L27/10841 , H01L27/10852 , H01L27/10864 , H01L27/10876 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/7613
摘要：一種不需使用微影製程而能達到毫微尺度之半導體元件的製造方法，其步驟包括:在一半導體基底上形成一ABC三團共聚物，其中包括一內柱的A共聚物、一外柱的B共聚物與一圍繞著該B共聚物的C共聚物;選擇性地移除該 A共聚物;該A共聚物移除後的內柱中，形成一半導體元件的本體;選擇性地移除該B共聚物且形成該本體的電極控制電位;以及移除該C共聚物。
简体摘要：一种不需使用微影制程而能达到毫微尺度之半导体组件的制造方法，其步骤包括:在一半导体基底上形成一ABC三团共聚物，其中包括一内柱的A共聚物、一外柱的B共聚物与一围绕着该B共聚物的C共聚物;选择性地移除该 A共聚物;该A共聚物移除后的内柱中，形成一半导体组件的本体;选择性地移除该B共聚物且形成该本体的电极控制电位;以及移除该C共聚物。

4. 发明专利

TW557546B 單一電子電晶體及於電極間界定空間的絕緣層厚度之製造方法有权
简体标题：单一电子晶体管及于电极间界定空间的绝缘层厚度之制造方法
公开(公告)号：TW557546B
公开(公告)日：2003-10-11
申请号：TW091115527
申请日：2002-07-12
申请人：美國北卡羅萊納州立大學
发明人：路易斯C 布魯修三世
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y10/00 , G01N27/4146 , H01L29/7613 , H01L2924/0002 , Y10S977/937 , H01L2924/00
摘要：單一電子電晶體包含第一與第二電極以及基板上兩者間的絕緣層。絕緣層的厚度定義出第一與第二電極間的間隔。在此絕緣層上至少提供有一奈微粒子。因此，可以獲得第一與第二電極間的希望間隔而不需要有高解晰度的微影。電氣閘極的單一電子電晶體係被形成，其中閘極電極提供在絕緣層端點反面的至少一奈微粒子。替代的，可以藉由提供分析物特定的結合藥劑在至少一奈微粒子的表面上而形成化學閘極單一電子電晶體。單一電子電晶體的陣列也可以形成在此基板上。此單一電子電晶體可以由在基板上形成柱電極來製造，一致的在至少部分的柱電極上形成絕緣層以及一致的在部分絕緣層上柱電極的反面上形成第二電極。至少一奈微粒子放置在此絕緣層上，在柱電極與第二電極間。
简体摘要：单一电子晶体管包含第一与第二电极以及基板上两者间的绝缘层。绝缘层的厚度定义出第一与第二电极间的间隔。在此绝缘层上至少提供有一奈微粒子。因此，可以获得第一与第二电极间的希望间隔而不需要有高解晰度的微影。电气闸极的单一电子晶体管系被形成，其中闸极电极提供在绝缘层端点反面的至少一奈微粒子。替代的，可以借由提供分析物特定的结合药剂在至少一奈微粒子的表面上而形成化学闸极单一电子晶体管。单一电子晶体管的数组也可以形成在此基板上。此单一电子晶体管可以由在基板上形成柱电极来制造，一致的在至少部分的柱电极上形成绝缘层以及一致的在部分绝缘层上柱电极的反面上形成第二电极。至少一奈微粒子放置在此绝缘层上，在柱电极与第二电极间。

5. 发明专利

TW508821B 資訊處理結構體失效
简体标题：信息处理结构体
公开(公告)号：TW508821B
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW090109862
申请日：2001-04-25
申请人：科學技術振興事業團
发明人：森江隆 , 岩田穆 , 永田真 , 山中登志夫 , 松浦知宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y10/00 , G11C11/34 , G11C2216/08 , H01L29/7613 , H01L29/7888
摘要：本發明係為藉單電子動作而可獲得高速且安定之動作的單電子電路的資訊處理結構體，其係在微細之MOSFET(11)之閘極(12)的正上方，形成奈米標度大小的多個量子點(13)，並在量子點與閘極之間，形成可使電子直接穿隧的能量障壁，藉由在量子點與閘極之間移動的電子總數以顯示資訊的資訊處理結構體，其構成為：
以接觸量子點，且構成電子可直接穿隧之能量障壁的方式在量子點與電源電極(14)之間設有成為電源之一的電源電極，並以接觸量子點，且量子點與資訊電極形成電容耦合的方式設有2個資訊電極(15)，並按照由資訊電極決定的電位，利用庫侖封鎖現象使電子通過量子點，以移動於電源電極與閘極之間。
简体摘要：本发明系为藉单电子动作而可获得高速且安定之动作的单电子电路的信息处理结构体，其系在微细之MOSFET(11)之闸极(12)的正上方，形成奈米标度大小的多个量子点(13)，并在量子点与闸极之间，形成可使电子直接穿隧的能量障壁，借由在量子点与闸极之间移动的电子总数以显示信息的信息处理结构体，其构成为：以接触量子点，且构成电子可直接穿隧之能量障壁的方式在量子点与电源电极(14)之间设有成为电源之一的电源电极，并以接触量子点，且量子点与信息电极形成电容耦合的方式设有2个信息电极(15)，并按照由信息电极决定的电位，利用库仑封锁现象使电子通过量子点，以移动于电源电极与闸极之间。

6. 发明专利

TW423028B 量子計算機失效
简体标题：量子计算机
公开(公告)号：TW423028B
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：TW087115549
申请日：1998-11-06
申请人：優尼色屈有限公司
发明人：布魯斯肯恩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G06N99/002 , B82Y10/00 , H01L29/7613 , Y10S977/933
摘要：本發明有關於量子計算機，亦即是一種用於執行量子計算的元件，近來在量子計算理論上的進步，特別是發現了快速量子算則，促成此一元件發展之重要優先順序。此元件包括：一半導體基板，施體原子被引入其中，以製作在施體原子的核子上，具有大電子波函數的施體核自旋電子系統陣列，此處施體電子僅佔據非簡併最低自旋能階。基板上方的絕緣層。位於各別施體原子上方之絕緣層上的傳導Ａ閘，以控制於介於施體電子與施體原子核自旋之間的超精細相互作用，以及施體原子核自旋的共振頻率。在絕緣層上介於Ａ閘之間的傳導Ｊ閘，以導通或截止介於相鄰施體原子的核自旋之間的電子媒介耦合。此處，施體原子的核自旋為量子態或“量子位元”，量子資訊藉由選擇施加至Ａ閘及Ｊ閘上的電極，以及選擇施加至基板上的交變磁場，加以儲存與操作。
简体摘要：本发明有关于量子计算机，亦即是一种用于运行量子计算的组件，近来在量子计算理论上的进步，特别是发现了快速量子算则，促成此一组件发展之重要优先级。此组件包括：一半导体基板，施体原子被引入其中，以制作在施体原子的核子上，具有大电子波函数的施体核自旋电子系统数组，此处施体电子仅占据非简并最低自旋能阶。基板上方的绝缘层。位于各别施体原子上方之绝缘层上的传导Ａ闸，以控制于介于施体电子与施体原子核自旋之间的超精细相互作用，以及施体原子核自旋的共振频率。在绝缘层上介于Ａ闸之间的传导Ｊ闸，以导通或截止介于相邻施体原子的核自旋之间的电子媒介耦合。此处，施体原子的核自旋为量子态或“量子比特”，量子信息借由选择施加至Ａ闸及Ｊ闸上的电极，以及选择施加至基板上的交变磁场，加以存储与操作。

7. 发明专利

TW201344882A 奈米裝置、積體電路及奈米裝置的製造方法审中-公开
简体标题：奈米设备、集成电路及奈米设备的制造方法
公开(公告)号：TW201344882A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102107178
申请日：2013-02-27
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：真島豊 , MAJIMA, YUTAKA , 寺西利治 , TERANISHI, TOSHIHARU , 松本和彥 , MATSUMOTO, KAZUHIKO , 前橋兼三 , MAEHASHI, KENZO , 東康男 , AZUMA, YASUO , 大野恭秀 , OHNO, YASUHIDE , 前田幸祐 , MAEDA, KOSUKE , 哈肯貝格爾紀堯姆修伯特弗雷德里克 , HACKENBERGER, GUILLAUME HUBERT FREDERIC
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/28
CPC分类号： H01L51/0512 , B82Y10/00 , H01L21/8221 , H01L27/04 , H01L27/0611 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L29/66477 , H01L29/7613 , H01L49/006 , H01L51/102 , H01L2251/10
摘要：本發明係提供一種與二極體、穿隧元件、MOS電晶體等之電子裝置組合之奈米裝置、積體電路，以及奈米裝置的製造方法。奈米裝置係具備有：第1絕緣層2；以具有奈米間隙之方式設置在第1絕緣層2上之一方的電極5A與另一方的電極5B；配置在一方的電極5A與另一方的電極5B之間之金屬奈米粒子7或機能分子；以及設置在第1絕緣層2、一方的電極5A及另一方的電極5B上，並埋設金屬奈米粒子7及機能分子中的任一種之第2絕緣層8。第2絕緣層8具有鈍化層的功能。
简体摘要：本发明系提供一种与二极管、穿隧组件、MOS晶体管等之电子设备组合之奈米设备、集成电路，以及奈米设备的制造方法。奈米设备系具备有：第1绝缘层2；以具有奈米间隙之方式设置在第1绝缘层2上之一方的电极5A与另一方的电极5B；配置在一方的电极5A与另一方的电极5B之间之金属奈米粒子7或机能分子；以及设置在第1绝缘层2、一方的电极5A及另一方的电极5B上，并埋设金属奈米粒子7及机能分子中的任一种之第2绝缘层8。第2绝缘层8具有钝化层的功能。

8. 发明专利

TW200703905A 邏輯電路及單電子自旋電晶體审中-公开
简体标题：逻辑电路及单电子自旋晶体管
公开(公告)号：TW200703905A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095104560
申请日：2006-02-10
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：田中雅明 TANAKA, MASAAKI , 菅原聰 SUGAHARA, SATOSHI , 范南海 PHAM, NAM HAI
IPC分类号： H03K , H01L
CPC分类号： H01L29/66984 , B82Y10/00 , H01L29/7613 , H03K19/08
摘要：邏輯電路及單電子自旋電晶體,該邏輯電路包含有單電子自旋電晶體,而該單電子自旋電晶體具有源極、汲極、配置於該源極與該汲極之間且於該源極與該汲極之間具有穿隧接面之島、電容接合於該島的閘極,且該源極、汲極及該島之至少其中之一含有可變更磁化方向之强磁性體,且可非依電性地再構成功能。
简体摘要：逻辑电路及单电子自旋晶体管,该逻辑电路包含有单电子自旋晶体管,而该单电子自旋晶体管具有源极、汲极、配置于该源极与该汲极之间且于该源极与该汲极之间具有穿隧接面之岛、电容接合于该岛的闸极,且该源极、汲极及该岛之至少其中之一含有可变更磁化方向之强磁性体,且可非依电性地再构成功能。

9. 发明专利

TWI221312B 結構,製造此結構之方法,及使用此結構之裝置 STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND DEVICE USING THE SAME 失效
简体标题：结构,制造此结构之方法,及使用此结构之设备 STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TWI221312B
公开(公告)日：2004-09-21
申请号：TW092102773
申请日：2003-02-11
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：福谷和彥 , 田透
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , C30B23/00 , C30B29/60 , G11C2216/08 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/12 , H01L29/7613 , H01L49/006 , Y10T428/24917
摘要：構製一種複合結構，包含鋁及矽或矽/鍺。複合結構包含柱形構件包含鋁，及一區包含矽或矽/鍺，並包圍柱形構件。該結構包含含量在鋁及矽或矽/鍺之總含量中不少於20原子%及不多於70原子%之矽或矽/鍺。
简体摘要：构制一种复合结构，包含铝及硅或硅/锗。复合结构包含柱形构件包含铝，及一区包含硅或硅/锗，并包围柱形构件。该结构包含含量在铝及硅或硅/锗之总含量中不少于20原子%及不多于70原子%之硅或硅/锗。

10. 发明专利

TW514968B 奈米電子元件,包含該元件之電路以及在該元件中達成電晶體動作和整流交流電壓之方法失效
简体标题：奈米电子组件,包含该组件之电路以及在该组件中达成晶体管动作和整流交流电压之方法
公开(公告)号：TW514968B
公开(公告)日：2002-12-21
申请号：TW090121648
申请日：2001-08-31
申请人： BTG國際股份有限公司
发明人：拉爾斯艾伐莎姆森 , 宏檜蘇 , 亞佛瑞德福歇爾 , 路克斯馬利亞戴特馬沃雪屈
IPC分类号： H01L , H03K
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/7606 , H01L29/7613 , H01L29/775 , H03K19/08
摘要：一奈米尺寸之電子元件，其可展現非線性電晶體或是整流作用，係包括一被製造以提供電子流之飛射的輸送特性之一區域(40)，該區域之內亦形成其有量子點接觸(40q)之傳導路徑(42，44，46)，每一路徑具有一與電化學電位相結合之電子儲存器，該電子元件亦包括一線性響應之導電率，其係依賴注入該路徑之電子的能量而定。一交流電壓 Ve，Vr係施加至橫過傳導路徑(44，46)，且在傳導路徑(42)則產生一被整流的電壓Vc。另一種方式，一固定電壓可以被施加至端點(44)以調變穿過傳導路徑(42，46)之電子流特性為一類似電晶體之方式。該元件可以執行一邏輯“及”或是“或”函數，或可被用作為一頻率倍頻器。
简体摘要：一奈米尺寸之电子组件，其可展现非线性晶体管或是整流作用，系包括一被制造以提供电子流之飞射的输送特性之一区域(40)，该区域之内亦形成其有量子点接触(40q)之传导路径(42，44，46)，每一路径具有一与电化学电位相结合之电子存储器，该电子组件亦包括一线性响应之导电率，其系依赖注入该路径之电子的能量而定。一交流电压 Ve，Vr系施加至横过传导路径(44，46)，且在传导路径(42)则产生一被整流的电压Vc。另一种方式，一固定电压可以被施加至端点(44)以调制穿过传导路径(42，46)之电子流特性为一类似晶体管之方式。该组件可以运行一逻辑“及”或是“或”函数，或可被用作为一频率倍频器。

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