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1. 发明专利

TW508821B 資訊處理結構體失效
简体标题：信息处理结构体
公开(公告)号：TW508821B
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW090109862
申请日：2001-04-25
申请人：科學技術振興事業團
发明人：森江隆 , 岩田穆 , 永田真 , 山中登志夫 , 松浦知宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y10/00 , G11C11/34 , G11C2216/08 , H01L29/7613 , H01L29/7888
摘要：本發明係為藉單電子動作而可獲得高速且安定之動作的單電子電路的資訊處理結構體，其係在微細之MOSFET(11)之閘極(12)的正上方，形成奈米標度大小的多個量子點(13)，並在量子點與閘極之間，形成可使電子直接穿隧的能量障壁，藉由在量子點與閘極之間移動的電子總數以顯示資訊的資訊處理結構體，其構成為：
以接觸量子點，且構成電子可直接穿隧之能量障壁的方式在量子點與電源電極(14)之間設有成為電源之一的電源電極，並以接觸量子點，且量子點與資訊電極形成電容耦合的方式設有2個資訊電極(15)，並按照由資訊電極決定的電位，利用庫侖封鎖現象使電子通過量子點，以移動於電源電極與閘極之間。
简体摘要：本发明系为藉单电子动作而可获得高速且安定之动作的单电子电路的信息处理结构体，其系在微细之MOSFET(11)之闸极(12)的正上方，形成奈米标度大小的多个量子点(13)，并在量子点与闸极之间，形成可使电子直接穿隧的能量障壁，借由在量子点与闸极之间移动的电子总数以显示信息的信息处理结构体，其构成为：以接触量子点，且构成电子可直接穿隧之能量障壁的方式在量子点与电源电极(14)之间设有成为电源之一的电源电极，并以接触量子点，且量子点与信息电极形成电容耦合的方式设有2个信息电极(15)，并按照由信息电极决定的电位，利用库仑封锁现象使电子通过量子点，以移动于电源电极与闸极之间。

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