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1. 发明专利

TWI520272B 三維記憶體陣列架構有权
简体标题：三维内存数组架构
公开(公告)号：TWI520272B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW102131392
申请日：2013-08-30
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：皮歐弗得瑞 , PIO, FEDERICO
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L23/52
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/0688 , H01L27/10 , H01L27/101 , H01L27/224 , H01L27/2427 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683

2. 发明专利

TWI392098B 用於在記憶體陣列中之選擇性元件的垂直接面場效電晶體（ＪＦＥＴ）失效
简体标题：用于在内存数组中之选择性组件的垂直接面场效应管（ＪＦＥＴ）
公开(公告)号：TWI392098B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW094130662
申请日：2005-09-07
申请人：史班遜股份有限公司 , SPANSION LLC
发明人：比爾柯林斯S , BILL, COLIN S. , 凡巴斯克麥可A , VAN BUSKIRK, MICHAEL A.
IPC分类号： H01L29/80
CPC分类号： H01L27/10 , H01L27/098

3. 发明专利

TWI352995B 記憶體元件、資料記錄方法及積體電路標籤有权
简体标题：内存组件、数据记录方法及集成电路标签
公开(公告)号：TWI352995B
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：TW096118181
申请日：2007-05-22
申请人：國立大學法人山梨大學 , 日本化學工業股份有限公司
发明人：原本雄一郎 , 加藤孝正 , 廣嶋綱紀
IPC分类号： G11C , G06K , G02F
CPC分类号： H01L27/10 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/04 , H01L51/0026 , H01L51/0037 , H01L51/0076
摘要：本發明之記憶體元件係對包含液晶化合物之導電性液晶半導體材料層點照射雷射光進行選擇性加熱處理利用該液晶化合物之液晶狀態之分子配向記憶資訊者，其特徵在於具有：第1電極群，其係由互相平行的複數條線狀電極形成者；導電性液晶半導體材料層，其包含如覆蓋上述第1電極群地形成，作為擁有長直線共軛構造部分之液晶相具有層列相之液晶化合物；及第2電極群，其係於上述導電性液晶半導體材料層上向與第1電極群交叉之方向延伸之互相平行的複數條線狀透明電極所形成者。
简体摘要：本发明之内存组件系对包含液晶化合物之导电性液晶半导体材料层点照射激光光进行选择性加热处理利用该液晶化合物之液晶状态之分子配向记忆信息者，其特征在于具有：第1电极群，其系由互相平行的复数条线状电极形成者；导电性液晶半导体材料层，其包含如覆盖上述第1电极群地形成，作为拥有长直线共轭构造部分之液晶相具有层列相之液晶化合物；及第2电极群，其系于上述导电性液晶半导体材料层上向与第1电极群交叉之方向延伸之互相平行的复数条线状透明电极所形成者。

4. 发明专利

TWI278864B 用以編程之位元胞及方法 BIT-CELL AND METHOD FOR PROGRAMMING 失效
简体标题：用以编程之比特胞及方法 BIT-CELL AND METHOD FOR PROGRAMMING
公开(公告)号：TWI278864B
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：TW093106732
申请日：2004-03-12
申请人：英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION
发明人：肯尼士周 CHEW, KENNETH
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L27/10 , H01L27/0605
摘要：一種位元胞包括複數個橋形結構以及包含輸入埠與輸出埠之驅動器。該輸入埠連接各該複數個橋形結構，其中該複數個橋形結構之最多一者連接至一信號源。一種方法包括自第一橋形結構移除位於第一特定導電層之導電元件，以及加入一導電元件至該第一特定導電層，以連接第二橋形結構至第一信號源。
简体摘要：一种比特胞包括复数个桥形结构以及包含输入端口与输出端口之驱动器。该输入端口连接各该复数个桥形结构，其中该复数个桥形结构之最多一者连接至一信号源。一种方法包括自第一桥形结构移除位于第一特定导电层之导电组件，以及加入一导电组件至该第一特定导电层，以连接第二桥形结构至第一信号源。

5. 发明专利

TW200537677A 裝置調整電路,電性裝置調整方法,以及熔絲參考電阻調整之電路 CIRCUITS FOR DEVICE TRIMMING, METHODS FOR ELECTRICAL DEVICE TRIMMING, AND CIRCUITS FOR FUSE REFERENCE RESISTANCE TRIMMING 审中-公开
简体标题：设备调整电路,电性设备调整方法,以及熔丝参考电阻调整之电路 CIRCUITS FOR DEVICE TRIMMING, METHODS FOR ELECTRICAL DEVICE TRIMMING, AND CIRCUITS FOR FUSE REFERENCE RESISTANCE TRIMMING
公开(公告)号：TW200537677A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094113659
申请日：2005-04-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：莊建祥 SHINE CHIEN CHUNG , 陳雲昇 CHEN, YUN SHENG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18 , H01C17/22 , H01G4/255 , H01L27/10
摘要：一種裝置調整電路，包括：至少一參考裝置、至少一調整裝置、以及至少一電性熔絲基礎控制單元。參考裝置具有參考電性參數。調整裝置耦接參考裝置以形成調整參考裝置，且調整參考裝置根據參考裝置與調整裝置以提供修改參考電性參數。電性熔絲基礎控制單元根據電性熔絲之狀態來控制調整裝置是否耦接參考裝置。
简体摘要：一种设备调整电路，包括：至少一参考设备、至少一调整设备、以及至少一电性熔丝基础控制单元。参考设备具有参考电性参数。调整设备耦接参考设备以形成调整参考设备，且调整参考设备根据参考设备与调整设备以提供修改参考电性参数。电性熔丝基础控制单元根据电性熔丝之状态来控制调整设备是否耦接参考设备。

6. 发明专利

TW200525698A 半導體元件及其製造方法(一) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 失效
简体标题：半导体组件及其制造方法(一) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200525698A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093118284
申请日：2004-06-24
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：佐藤元伸 SATO, MOTONOBU , 澤田豊治 SAWADA, TOYOJI , 大塚敏志 OTSUKA, SATOSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10 , H01L23/3192 , H01L23/5258 , H01L23/564 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：該半導體元件包括一形成在一基材10上方之夾層絕緣薄膜18、一埋設在該夾層絕緣薄膜18中之熔絲26，及一形成在一夾層絕緣薄膜18上方且具有一形成於其上，向下至該熔絲26的覆蓋薄膜30。在該開口中，該夾層絕緣薄膜18係被形成與該熔絲26的側壁連接，藉此該熔絲26係由該夾層絕緣薄膜18支撐，因此防止該圖案崩塌及圖案消散。在一小的間隔中，該等熔絲之寬的消散可被避免。
简体摘要：该半导体组件包括一形成在一基材10上方之夹层绝缘薄膜18、一埋设在该夹层绝缘薄膜18中之熔丝26，及一形成在一夹层绝缘薄膜18上方且具有一形成于其上，向下至该熔丝26的覆盖薄膜30。在该开口中，该夹层绝缘薄膜18系被形成与该熔丝26的侧壁连接，借此该熔丝26系由该夹层绝缘薄膜18支撑，因此防止该图案崩塌及图案消散。在一小的间隔中，该等熔丝之宽的消散可被避免。

7. 发明专利

TW200518337A 非揮發性電機場效裝置及使用其之電路及其形成方法 NON-VOLATILE ELECTROMECHANICAL FIELD EFFECT DEVICES AND CIRCUITS USING SAME AND METHODS OF FORMING SAME 审中-公开
简体标题：非挥发性电机场效设备及使用其之电路及其形成方法 NON-VOLATILE ELECTROMECHANICAL FIELD EFFECT DEVICES AND CIRCUITS USING SAME AND METHODS OF FORMING SAME
公开(公告)号：TW200518337A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：TW093116611
申请日：2004-06-09
申请人：奈特洛公司 NANTERO, INC.
发明人：柯勞帝 BERTIN, CLAUDE L. , 路克斯 RUECKES, THOMAS , 沙貝特 SEGAL, BRENT M. , 弗格林 VOGELI, BERNHARD , 希魯克 BROCK, DARREN K. , 詹伯克 JAIPRAKASH, VENKATACHALAM C.
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L29/78 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , G11C7/065 , G11C13/025 , G11C16/0416 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C23/00 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , G11C2213/79 , H01H1/0094 , H01L27/10 , H01L27/1052 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L27/115 , H01L27/286 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/42324 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0508 , Y10S977/708 , Y10S977/724 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/936 , Y10S977/938 , Y10S977/94 , Y10S977/943
摘要：非揮發性場效裝置和使用該裝置之電路。非揮發性場效裝置包括源極、汲極和閘極，還有源極與汲極之間的可調變場通道。源極、汲極和閘極各具有對應端子。可電機偏傾奈米管切換元件係電性配置於源極、汲極和閘極其中之一與其對應端子之間。源極、汲極和閘極之其餘者係直接連接至其對應端子。奈米管切換元件係響應於兩控制端子之電性激勵而可電機偏傾，以在源極、汲極和閘極其中之一與其對應端子之間產生非揮發性開路和非揮發性閉路電性通訊狀態其中之一。在一實施例，兩控制端子之一具有介電質表面以當產生非揮發性開路狀態時與奈米管切換元件接觸。於一實施例，源極、汲極和閘極可以從地到供應電壓的任何電壓位準激勵，且其中兩控制端子係以從地到量上大於供應電壓之切換臨界電壓的任何電壓位準激勵。於一實施例，奈米管切換元件包括由奈米纖維製成之物件，其係位於兩控制端子之間。於一實施例，兩控制端子之一為釋放電極，用於靜電式將奈米管物件拉開不與源極、汲極和閘極其中之一接觸以形成非揮發性開路狀態。於一實施例，兩控制端子中的另一個係設定電極，用於將奈米管物件拉至接觸源極、汲極和閘極其中之一以形成非揮發性閉路狀態。
简体摘要：非挥发性场效设备和使用该设备之电路。非挥发性场效设备包括源极、汲极和闸极，还有源极与汲极之间的可调制场信道。源极、汲极和闸极各具有对应端子。可电机偏倾奈米管切换组件系电性配置于源极、汲极和闸极其中之一与其对应端子之间。源极、汲极和闸极之其余者系直接连接至其对应端子。奈米管切换组件系响应于两控制端子之电性激励而可电机偏倾，以在源极、汲极和闸极其中之一与其对应端子之间产生非挥发性开路和非挥发性闭路电性通信状态其中之一。在一实施例，两控制端子之一具有介电质表面以当产生非挥发性开路状态时与奈米管切换组件接触。于一实施例，源极、汲极和闸极可以从地到供应电压的任何电压位准激励，且其中两控制端子系以从地到量上大于供应电压之切换临界电压的任何电压位准激励。于一实施例，奈米管切换组件包括由奈米纤维制成之对象，其系位于两控制端子之间。于一实施例，两控制端子之一为释放电极，用于静电式将奈米管对象拉开不与源极、汲极和闸极其中之一接触以形成非挥发性开路状态。于一实施例，两控制端子中的另一个系设置电极，用于将奈米管对象拉至接触源极、汲极和闸极其中之一以形成非挥发性闭路状态。

8. 发明专利

TWI612642B 非揮發性儲存元件有权
简体标题：非挥发性存储组件
公开(公告)号：TWI612642B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105132891
申请日：2016-10-12
申请人：國立研究開發法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：宮田典幸 , MIYATA, NORIYUKI
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L27/10 , H01L29/788 , H01L29/792

9. 发明专利

TWI557918B 具電晶體陣列之積體電路及其佈局方法有权
简体标题：具晶体管数组之集成电路及其布局方法
公开(公告)号：TWI557918B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW103134427
申请日：2014-10-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張清河 , CHANG, CHINGHO , 洪照俊 , HORNG, JAWJUINN , 彭永州 , PENG, YUNGCHOW
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52
CPC分类号： G05F3/262 , G06F17/5072 , H01L27/0617 , H01L27/0705 , H01L27/10 , H01L29/42376

10. 发明专利

TW201628010A 抗熔絲記憶體及半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：抗熔丝内存及半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201628010A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104133903
申请日：2015-10-15
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： G11C17/14 , H01L27/10
CPC分类号： G11C17/14 , H01L27/10
摘要：本發明係藉由使記憶體閘極絕緣膜(8)絕緣破壞之破壞記憶體電壓於記憶體閘極電極(NG)及開關閘極電極(PG)間成為反向偏壓之電壓，而不必受限於破壞記憶體電壓即可減薄開關閘極絕緣膜(7)之膜厚，由此，於資料讀取時，可實現開關閘極電極(PG)中之通道區域之接通/斷開動作之高速動作；又，於抗熔絲記憶體(2a)中，因無需如先前般進行對記憶體閘極絕緣膜離子注入雜質而容易進行破壞等之特殊加工處理，即可與開關閘極絕緣膜(7)同樣地以於資料之讀取時不容易被破壞之膜質形成記憶體閘極絕緣膜(8)，故即使對記憶體閘極電極(NG)反復施加讀取選擇記憶體電壓，記憶體閘極絕緣膜(8)仍不容易被絕緣破壞，從而可提高資料之讀取時相對於讀取資訊之可靠度。
简体摘要：本发明系借由使内存闸极绝缘膜(8)绝缘破坏之破坏内存电压于内存闸极电极(NG)及开关闸极电极(PG)间成为反向偏压之电压，而不必受限于破坏内存电压即可减薄开关闸极绝缘膜(7)之膜厚，由此，于数据读取时，可实现开关闸极电极(PG)中之信道区域之接通/断开动作之高速动作；又，于抗熔丝内存(2a)中，因无需如先前般进行对内存闸极绝缘膜离子注入杂质而容易进行破坏等之特殊加工处理，即可与开关闸极绝缘膜(7)同样地以于数据之读取时不容易被破坏之膜质形成内存闸极绝缘膜(8)，故即使对内存闸极电极(NG)反复施加读取选择内存电压，内存闸极绝缘膜(8)仍不容易被绝缘破坏，从而可提高数据之读取时相对于读取信息之可靠度。

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