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1. 发明专利

TW201804602A 製造非揮發性記憶體元件之方法审中-公开
简体标题：制造非挥发性内存组件之方法
公开(公告)号：TW201804602A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105136679
申请日：2016-11-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：珍皮爾柯林 , COLINGE, JEAN-PIERRE , 卡羅司迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H.
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11551 , H01L21/28273 , H01L29/0673 , H01L29/413 , H01L29/42324 , H01L29/42332 , H01L29/4908 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66825
摘要：本揭露係為製造非揮發性記憶體元件之方法。一種例示性方法係關於形成異質結構於基板上。異質結構包含至少一半導體層對，其具有第一半導體層及置於第一半導體層上之第二半導體層，且第二半導體層異於第一半導體層。具有虛設閘極的閘極結構形成於異質結構之部分上使得閘極結構將異質結構分隔出源極區及汲極區及定義出介於源極區及汲極區間之通道區。於閘極置換製程期間，奈米晶體浮動閘極自第二半導體層形成於通道區中。在一些實施方式中，於閘極置換製程期間，奈米線自第一半導體也形成於通道區中。
简体摘要：本揭露系为制造非挥发性内存组件之方法。一种例示性方法系关于形成异质结构于基板上。异质结构包含至少一半导体层对，其具有第一半导体层及置于第一半导体层上之第二半导体层，且第二半导体层异于第一半导体层。具有虚设闸极的闸极结构形成于异质结构之部分上使得闸极结构将异质结构分隔出源极区及汲极区及定义出介于源极区及汲极区间之信道区。于闸极置换制程期间，奈米晶体浮动闸极自第二半导体层形成于信道区中。在一些实施方式中，于闸极置换制程期间，奈米线自第一半导体也形成于信道区中。

2. 发明专利

TWI601271B 具有呈彎曲部段形狀之浮動閘極的快閃記憶體有权
简体标题：具有呈弯曲部段形状之浮动闸极的闪存
公开(公告)号：TWI601271B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW099132163
申请日：2010-09-23
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION , 美光科技股份有限公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：湯森 , TANG, SANH , 帕拉特克里西納K , PARAT, KRISHNA K. , 劉海濤 , LIU, HAITAO
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L29/788 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/11548 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11543 , H01L29/42324 , H01L29/66825

3. 发明专利

TWI591723B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI591723B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102108534
申请日：2013-03-11
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：金岡龍範 , KANEOKA, TATSUNORI , 川原孝昭 , KAWAHARA, TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/1157 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/28568 , H01L21/32133 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L29/401 , H01L29/42324 , H01L29/4234 , H01L29/42344 , H01L29/42348 , H01L29/511 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881 , H01L29/792

4. 发明专利

TWI582992B 場效應電晶體及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：场效应晶体管及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI582992B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW100131284
申请日：2011-08-31
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：竹村保彥 , TAKEMURA, YASUHIKO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L27/1052 , H01L27/10873 , H01L29/42324 , H01L29/78633 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/788 , H01L29/7881

5. 发明专利

TWI578533B 半導體非揮發性記憶裝置有权
简体标题：半导体非挥发性记忆设备
公开(公告)号：TWI578533B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW100148043
申请日：2011-12-22
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：鷹巢博昭 , TAKASU, HIROAKI
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7881 , H01L29/42324 , H01L29/42336

6. 发明专利

TWI575712B 具有解耦合電容器之不對稱緻密浮動閘極非揮發性記憶體有权
简体标题：具有解耦合电容器之不对称致密浮动闸极非挥发性内存
公开(公告)号：TWI575712B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW102103628
申请日：2013-01-30
申请人：賽諾西斯公司 , SYNOPSYS, INC.
发明人：霍屈安德魯E , HORCH, ANDREW E.
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/11521 , G06F17/5072 , G06F17/5077 , G11C16/0408 , H01L27/11519 , H01L27/11558 , H01L28/60 , H01L29/42324 , H01L29/7833 , H01L29/7881

7. 发明专利

TWI555066B 半導體元件的製作方法有权
简体标题：半导体组件的制作方法
公开(公告)号：TWI555066B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW104115365
申请日：2015-05-14
申请人：力晶科技股份有限公司 , POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：楊文忠 , YANG, WEN-CHUNG , 尹德源 , YIN, TE-YUAN , 王思婷 , WANG, SSU-TING
IPC分类号： H01L21/28 , H01L27/115
CPC分类号： H01L29/66825 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02318 , H01L21/0337 , H01L21/28273 , H01L21/31111 , H01L29/42324

8. 发明专利

TW201637178A 非易失性記憶體單元、包含其之非易失性記憶體單元陣列和製造其之方法审中-公开
简体标题：非易失性内存单元、包含其之非易失性内存单元数组和制造其之方法
公开(公告)号：TW201637178A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105101539
申请日：2016-01-19
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：權永俊 , KWON, YOUNG JOON
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11524 , H01L21/28273 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7883
摘要：非易失性記憶體裝置包括：電荷儲存元件，具有MOS電容器結構，且包括連接至字元線的控制閘極端子和連接至基體偏壓線的基體端子；第一半MOS電晶體，具有連接至字元線的第一選擇閘極端子和連接至位元線的第一雜質接面端子，並且與所述電荷儲存元件共用基體端子；以及第二半MOS電晶體，具有連接至字元線的第二選擇閘極端子和連接至源極線的第二雜質接面端子，並且與所述電荷儲存元件共用基體端子。所述電荷儲存元件耦接在第一半MOS電晶體與第二半MOS電晶體之間，使得第一半MOS電晶體、電荷儲存元件以及第二半MOS電晶體串聯連接。
简体摘要：非易失性内存设备包括：电荷存储组件，具有MOS电容器结构，且包括连接至字符线的控制闸极端子和连接至基体偏压线的基体端子；第一半MOS晶体管，具有连接至字符线的第一选择闸极端子和连接至比特线的第一杂质接面端子，并且与所述电荷存储组件共享基体端子；以及第二半MOS晶体管，具有连接至字符线的第二选择闸极端子和连接至源极线的第二杂质接面端子，并且与所述电荷存储组件共享基体端子。所述电荷存储组件耦接在第一半MOS晶体管与第二半MOS晶体管之间，使得第一半MOS晶体管、电荷存储组件以及第二半MOS晶体管串联连接。

9. 发明专利

TW201633464A 半導體記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201633464A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104107973
申请日：2015-03-12
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：加藤龍也 , KATO, TATSUYA , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA , 關根克行 , SEKINE, KATSUYUKI , 岩本敏幸 , IWAMOTO, TOSHIYUKI , 渡邊優太 , WATANABE, YUTA , 坂本涉 , SAKAMOTO, WATARU , 糸川寬志 , ITOKAWA, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/512 , H01L29/517 , H01L29/66825
摘要：本發明之實施形態提供一種容易製造且可靠性較高之半導體記憶裝置及其製造方法。實施形態之半導體記憶裝置包括：半導體支柱，其沿第1方向延伸；第1電極，其沿相對於上述第1方向交叉之第2方向延伸；第2電極，其設置於上述半導體支柱與上述第1電極之間；第1絕緣膜，其設置於上述第1電極與上述第2電極之間、及上述第1電極之上述第1方向兩側；第2絕緣膜，其設置於上述第2電極與上述第1絕緣膜之間、及上述第2電極之上述第1方向兩側；第3絕緣膜，其設置於上述第2電極與上述半導體支柱之間；及導電膜，其設置於夾於上述第1絕緣膜與上述第2絕緣膜之間之區域內。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种容易制造且可靠性较高之半导体记忆设备及其制造方法。实施形态之半导体记忆设备包括：半导体支柱，其沿第1方向延伸；第1电极，其沿相对于上述第1方向交叉之第2方向延伸；第2电极，其设置于上述半导体支柱与上述第1电极之间；第1绝缘膜，其设置于上述第1电极与上述第2电极之间、及上述第1电极之上述第1方向两侧；第2绝缘膜，其设置于上述第2电极与上述第1绝缘膜之间、及上述第2电极之上述第1方向两侧；第3绝缘膜，其设置于上述第2电极与上述半导体支柱之间；及导电膜，其设置于夹于上述第1绝缘膜与上述第2绝缘膜之间之区域内。

10. 发明专利

TW201628008A 非揮發性記憶胞及其控制方法审中-公开
简体标题：非挥发性记忆胞及其控制方法
公开(公告)号：TW201628008A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104108237
申请日：2015-03-16
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：程政憲 , CHENG, CHENG-HSIEN , 蔡文哲 , TSAI, WEN-JER
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/14
CPC分类号： G11C16/0466 , G11C16/0408 , G11C16/10 , G11C16/14 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L29/42324 , H01L29/4234 , H01L29/7881 , H01L29/792
摘要：一種非揮發性記憶胞具有一半導體基材、一多層堆疊結構。此堆疊結構包括位於一浮閘上方的一電荷捕捉層、一上方導體層以及一控制電路。藉由在電荷捕捉介電層上施加比第二電荷密度還大的電荷密度，來使寫入操作與抹除操作改變浮閘的第一電荷密度，進而控制非揮發性記憶胞上的寫入操作和抹除操作
简体摘要：一种非挥发性记忆胞具有一半导体基材、一多层堆栈结构。此堆栈结构包括位于一浮闸上方的一电荷捕捉层、一上方导体层以及一控制电路。借由在电荷捕捉介电层上施加比第二电荷密度还大的电荷密度，来使写入操作与抹除操作改变浮闸的第一电荷密度，进而控制非挥发性记忆胞上的写入操作和抹除操作

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