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1. 实用新型

TW573947U 具有受熱表面及突出部之散熱座失效
简体标题：具有受热表面及突出部之散热座
公开(公告)号：TW573947U
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW092215955
申请日：2000-09-07
申请人：新力電腦娛樂股份有限公司 SONY COMPUTER ENTERTAINMENT INC.
发明人：鳳康宏 , 佐佐木千佳 CHIYOSHI SASAKI
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H01L23/367 , H01L2224/32 , H01L2224/73253 , H01L2224/83385
摘要：本創作揭示一種包含一受熱表面且具有複數個突出部的散熱座，該受熱表面經由一傳熱橡膠熱連接到一發熱元件，以便接收來自於該發熱元件的熱量，並消散該熱量。
简体摘要：本创作揭示一种包含一受热表面且具有复数个突出部的散热座，该受热表面经由一传热橡胶热连接到一发热组件，以便接收来自于该发热组件的热量，并消散该热量。

2. 发明专利

TW201719842A 半導體元件結構及其形成方法审中-公开
简体标题：半导体组件结构及其形成方法
公开(公告)号：TW201719842A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105124289
申请日：2016-08-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：楊明憲 , YANG, MING HSIEN , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI , 黃信耀 , HUANG, SIN YAO
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/53209 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/43 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L27/14634 , H01L2224/02126 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05096 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/13021 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48229 , H01L2224/73251 , H01L2224/73265 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/9222 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2224/45099 , H01L2224/80001 , H01L2224/08 , H01L2224/48 , H01L2224/32 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/13 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/82 , H01L2924/01029
摘要：提供一半導體元件結構。半導體元件結構包括一第一半導體基板，第一半導體基板具有一第一表面、一第二表面、以及一凹槽。第二表面相對於第一表面。凹槽貫穿第一半導體基板。半導體元件結構包括一第一線路層，第一線路層係位於第二表面上。半導體元件結構包括第一接墊，第一接墊位於凹槽中並延伸至第一線路層以電性連接至第一線路層。半導體元件結構包括一鎳層，鎳層位於第一接墊上。半導體元件結構包括一金層，金層位於鎳層上。
简体摘要：提供一半导体组件结构。半导体组件结构包括一第一半导体基板，第一半导体基板具有一第一表面、一第二表面、以及一凹槽。第二表面相对于第一表面。凹槽贯穿第一半导体基板。半导体组件结构包括一第一线路层，第一线路层系位于第二表面上。半导体组件结构包括第一接垫，第一接垫位于凹槽中并延伸至第一线路层以电性连接至第一线路层。半导体组件结构包括一镍层，镍层位于第一接垫上。半导体组件结构包括一金层，金层位于镍层上。

3. 发明专利

TW201216438A 由感光二極體與電容性次基座所構成之混成堆疊結構 HYBRID STACKED STRUCTURE COMPOSED OF PHOTODIODE AND CAPACITIVE SUBMOUNT 审中-公开
简体标题：由感光二极管与电容性次基座所构成之混成堆栈结构 HYBRID STACKED STRUCTURE COMPOSED OF PHOTODIODE AND CAPACITIVE SUBMOUNT
公开(公告)号：TW201216438A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW099134744
申请日：2010-10-12
申请人：眾智光電科技股份有限公司
发明人：謝正雄 , 黃振堂
IPC分类号： H01L , G02B
CPC分类号： H01L2224/32 , H01L2224/48137 , H01L2224/49171
摘要：本發明是關於一種由感光二極體與矽質電容性次基座所構成的混成堆疊(hybrid stacked)結構，其包含一電容性次基座。該電容性次基座包含：一重摻雜矽基板；一凹槽，在該矽基板的上表面形成；一介電層，在該矽基板的上表面或下表面形成；一第一電極，沉積在該矽基板之下表面而與該矽基板形成一金屬絕緣體半導體(MIS，metal-insulator-semiconductor)電容；以及一第二電極，沉積在該矽基板的上表面以及該凹槽的表面上。該堆疊結構更包含一感光二極體，其是電性(electrically)黏置在位於該凹槽底部的該第二電極上，其中該凹槽的底部尺寸與感光二極體的尺寸相匹配，而具有將感光二極體精密定位之功能。
简体摘要：本发明是关于一种由感光二极管与硅质电容性次基座所构成的混成堆栈(hybrid stacked)结构，其包含一电容性次基座。该电容性次基座包含：一重掺杂硅基板；一凹槽，在该硅基板的上表面形成；一介电层，在该硅基板的上表面或下表面形成；一第一电极，沉积在该硅基板之下表面而与该硅基板形成一金属绝缘体半导体(MIS，metal-insulator-semiconductor)电容；以及一第二电极，沉积在该硅基板的上表面以及该凹槽的表面上。该堆栈结构更包含一感光二极管，其是电性(electrically)黏置在位于该凹槽底部的该第二电极上，其中该凹槽的底部尺寸与感光二极管的尺寸相匹配，而具有将感光二极管精密定位之功能。

4. 发明专利

TW200921933A 具有散熱基板的發光二極體晶片元件及其製作方法审中-公开
简体标题：具有散热基板的发光二极管芯片组件及其制作方法
公开(公告)号：TW200921933A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096141685
申请日：2007-11-05
申请人：良峰塑膠機械股份有限公司 , 國立中興大學 NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：洪瑞華 , 武東星 , 蔣承忠 , 蕭翔允 , 許蒼林 , 林恒毅
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/60 , H01L2224/32
摘要：本發明主要提供一種製作方法用於製作具有散熱基板的發光二極體晶片元件,該發光二極體晶片元件包含一發光二極體晶片,及一以具有高熱傳導係數的材料構成,以及一體連接在該發光二極體晶片上的散熱基板,其中該散熱基板具有直接接觸該發光二極體晶片的基材,而可直接將熱導離該發光二極體晶片的中心部,及一環圍該中心部且頂面法線與中心部頂面的法線夾成銳角而可反射發光二極體晶片發出的光使其正向向上射出的反射部,藉此使元件高速散熱而延長工作壽命,並集中提昇元件的出光。
简体摘要：本发明主要提供一种制作方法用于制作具有散热基板的发光二极管芯片组件,该发光二极管芯片组件包含一发光二极管芯片,及一以具有高热传导系数的材料构成,以及一体连接在该发光二极管芯片上的散热基板,其中该散热基板具有直接接触该发光二极管芯片的基材,而可直接将热导离该发光二极管芯片的中心部,及一环围该中心部且顶面法线与中心部顶面的法线夹成锐角而可反射发光二极管芯片发出的光使其正向向上射出的反射部,借此使组件高速散热而延长工作寿命,并集中提升组件的出光。

6. 发明专利

TWI397193B 具有散熱基板的發光二極體晶片元件及其製作方法有权
简体标题：具有散热基板的发光二极管芯片组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI397193B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW096141685
申请日：2007-11-05
申请人：良峰塑膠機械股份有限公司 , 國立中興大學 , NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：洪瑞華 , 武東星 , 蔣承忠 , 蕭翔允 , 許蒼林 , 林恒毅
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/60 , H01L2224/32

7. 实用新型

TWM439891U 電子元件之封裝模具有权
简体标题：电子组件之封装模具
公开(公告)号：TWM439891U
公开(公告)日：2012-10-21
申请号：TW101211958
申请日：2012-06-21
申请人：吉龍達科技股份有限公司
发明人：沈建志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/32
摘要：本案之封裝模具係施加於電子元件之一次封裝體上；其中，該封裝模具設有第一模具及第二模具，該第一模具蓋合於該電子元件之基板後形成有一模穴，該第二模具係設於該第一模具內，而該第二模具末端設有讓位空間，該讓位空間係伸入該模穴，並相對靠近於該一次封裝體部分區域之表面，利用該封裝模具可提高整體電子元件封裝結構之強度及穩定性。
简体摘要：本案之封装模具系施加于电子组件之一次封装体上；其中，该封装模具设有第一模具及第二模具，该第一模具盖合于该电子组件之基板后形成有一模穴，该第二模具系设于该第一模具内，而该第二模具末端设有让位空间，该让位空间系伸入该模穴，并相对靠近于该一次封装体部分区域之表面，利用该封装模具可提高整体电子组件封装结构之强度及稳定性。

8. 发明专利

TWI497750B 具獨立光胞之發光元件陣列有权
简体标题：具独立光胞之发光组件数组
公开(公告)号：TWI497750B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW100130873
申请日：2011-08-29
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：賀比寧瑞內彼得 , HELBING, RENE PETER , 徐濤 , XU, TAO
IPC分类号： H01L33/00 , F21V33/00 , F21Y101/02
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/56 , H01L2224/32 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2924/00

9. 发明专利

TW201512367A 用於大型晶粒半導體封裝之導電黏晶薄膜及供其製備之組合物审中-公开
简体标题：用于大型晶粒半导体封装之导电黏晶薄膜及供其制备之组合物
公开(公告)号：TW201512367A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103125744
申请日：2014-07-28
申请人：漢高智慧財產控股公司 , HENKEL IP & HOLDING GMBH
发明人：周溥剛 , ZHU, PUKUN , 洪吉娜 , HOANG, GINA , 古普塔莎希 , GUPTA, SHASHI , 賴博安德魯 , LAIB, ANDREW
IPC分类号： C09J7/02
CPC分类号： H01L24/32 , C08G59/34 , C08K3/08 , C08K3/10 , C08K2003/0806 , C08K2201/001 , C08L63/00 , C08L63/10 , C08L79/08 , C08L79/085 , C08L2205/02 , C09J163/10 , H01B1/22 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/271 , H01L2224/27334 , H01L2224/2741 , H01L2224/27848 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29313 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29357 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/29393 , H01L2224/29439 , H01L2224/29455 , H01L2224/29499 , H01L2224/32 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/83192 , H01L2224/83204 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83464 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2924/01051 , H01L2924/0132 , H01L2924/0544 , H01L2924/0549 , H01L2924/06 , H01L2924/0635 , H01L2924/0645 , H01L2924/0665 , H01L2924/069 , H01L2924/0695 , H01L2924/07025 , H01L2924/0715 , H01L2924/20103 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/2064 , H01L2924/3511 , H01L2924/07 , H01L2924/095 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012
摘要：本文提供具有有利性質之導電黏晶薄膜，其用於各種應用中，例如，用於製備大型晶粒半導體封裝。本文亦提供可用於製備該等薄膜之調配物，以及製備該等調配物之方法。在本發明之其他態樣中，提供自本發明組合物製備之導電網狀物。在其他態樣中，本發明進一步係關於包含該等黏著至其適宜基板之導電黏晶薄膜之物件。
简体摘要：本文提供具有有利性质之导电黏晶薄膜，其用于各种应用中，例如，用于制备大型晶粒半导体封装。本文亦提供可用于制备该等薄膜之调配物，以及制备该等调配物之方法。在本发明之其他态样中，提供自本发明组合物制备之导电网状物。在其他态样中，本发明进一步系关于包含该等黏着至其适宜基板之导电黏晶薄膜之对象。

10. 发明专利

TW201429335A 基板、半導體結構以及其相關製造方法审中-公开
简体标题：基板、半导体结构以及其相关制造方法
公开(公告)号：TW201429335A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102100808
申请日：2013-01-09
申请人：聯京光電股份有限公司 , UNISTARS
发明人：黃田昊 , HUANG, TIEN HAO , 李信賢 , LEE, HSIN HSIEN , 吳奕均 , WU, YI CHUN , 吳上義 , WU, SHANG YI
IPC分类号： H05K1/18 , H05K3/34 , H01L23/485
CPC分类号： H01L33/48 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L33/005 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/27013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , Y10T156/10 , Y10T428/24612 , Y10T428/24851 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要：基板包括一晶粒承載區以及一黏膠導流圖案，該晶粒承載區用於承載一晶粒，該黏膠導流圖案是設置於該晶粒承載區且具有一容置空間，而晶粒則是設置在黏膠導流圖案的上方。該晶粒的一底面的面積是大於黏膠導流圖案的一開口的面積，且於黏膠導流圖案的容置空間內填充有一黏膠。該晶粒是藉由該黏膠而附著於該基板上。
简体摘要：基板包括一晶粒承载区以及一黏胶导流图案，该晶粒承载区用于承载一晶粒，该黏胶导流图案是设置于该晶粒承载区且具有一容置空间，而晶粒则是设置在黏胶导流图案的上方。该晶粒的一底面的面积是大于黏胶导流图案的一开口的面积，且于黏胶导流图案的容置空间内填充有一黏胶。该晶粒是借由该黏胶而附着于该基板上。

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