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1. 实用新型

TWM552189U 紫外光發光二極體封裝結構有权
简体标题：紫外光发光二极管封装结构
公开(公告)号：TWM552189U
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW106212098
申请日：2016-02-16
申请人：聯京光電股份有限公司 , UNISTARS CORPORATION
发明人：錢文正 , CHIEN,WEN-CHENG , 吳上義 , WU,SHANG-YI
IPC分类号： H01L33/48

2. 实用新型

TWM541120U 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWM541120U
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW106202693
申请日：2017-02-24
申请人：聯京光電股份有限公司 , UNISTARS CORPORATION
发明人：謝新賢 , HSIEH, HSIN-HSIEN , 吳上義 , WU, SHANG-YI
IPC分类号： H01L33/00 , H01L51/50

3. 发明专利

TWI501377B 半導體結構、半導體單元及其製造方法有权
简体标题：半导体结构、半导体单元及其制造方法
公开(公告)号：TWI501377B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW101145196
申请日：2012-11-30
申请人：聯京光電股份有限公司 , UNISTARS
发明人：黃田昊 , HUANG, TIEN HAO , 吳上義 , WU, SHANG YI , 吳奕均 , WU, YI CHUN
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/28
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2933/0033 , H01L2924/00014

4. 实用新型

TWM457120U 半導體照明裝置有权
简体标题：半导体照明设备
公开(公告)号：TWM457120U
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW102203866
申请日：2013-03-01
申请人：聯京光電股份有限公司 , UNISTARS CORPORATION
发明人：錢文正 , CHIEN, WEN CHENG , 吳上義 , WU, SHANG YI , 謝新賢 , SHIE, SHIN SHIEN
IPC分类号： F21S8/08 , F21Y101/02

5. 发明专利

TW201832384A 發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201832384A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106106289
申请日：2017-02-24
申请人：聯京光電股份有限公司 , UNISTARS CORPORATION
发明人：謝新賢 , HSIEH, HSIN-HSIEN , 吳上義 , WU, SHANG-YI
IPC分类号： H01L33/52
摘要：一種發光元件包括一載件、一發光晶片與一蓋體。蓋體配置於載件上。載件包括一板體、一導引金屬層以及一密封材料。板體具有一第一表面、一相對第一表面的第二表面及一通氣貫孔。通氣貫孔區分成一第一部孔與一第二部孔。第一部孔從第一表面延伸至第二部孔，而第二部孔從第二表面延伸至第一部孔。導引金屬層形成於第二表面上與第二部孔內，並覆蓋第二部孔的孔壁。導引金屬層從第二部孔延伸至第二表面，且不覆蓋第一部孔的孔壁與第一表面。密封材料密封第二部孔，而導引金屬層圍繞密封材料。
简体摘要：一种发光组件包括一载件、一发光芯片与一盖体。盖体配置于载件上。载件包括一板体、一导引金属层以及一密封材料。板体具有一第一表面、一相对第一表面的第二表面及一通气贯孔。通气贯孔区分成一第一部孔与一第二部孔。第一部孔从第一表面延伸至第二部孔，而第二部孔从第二表面延伸至第一部孔。导引金属层形成于第二表面上与第二部孔内，并覆盖第二部孔的孔壁。导引金属层从第二部孔延伸至第二表面，且不覆盖第一部孔的孔壁与第一表面。密封材料密封第二部孔，而导引金属层围绕密封材料。

6. 发明专利

TW201828505A 光電封裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：光电封装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201828505A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106102016
申请日：2017-01-20
申请人：聯京光電股份有限公司 , UNISTARS CORPORATION
发明人：吳上義 , WU, SHANG-YI , 黃亮魁 , HUANG, LIANG-KUEI , 王保亞 , WANG, PAO-YA
IPC分类号： H01L33/56
摘要：一種光電封裝體包括一載件、一發光晶片、一蓋體以及一密封材料。載件具有一承載平面以及一位於承載平面的線路層。發光晶片裝設於承載平面上，並電連接線路層。蓋體連接載件，其中蓋體與載件之間形成一空腔，而發光晶片位於空腔內。密封材料形成在載件上以及蓋體周圍，其中密封材料完全覆蓋蓋體與載件之間的連接處，而密封材料的水蒸氣滲透率（WVTR）小於 1 g/m2/day。
简体摘要：一种光电封装体包括一载件、一发光芯片、一盖体以及一密封材料。载件具有一承载平面以及一位于承载平面的线路层。发光芯片装设于承载平面上，并电连接线路层。盖体连接载件，其中盖体与载件之间形成一空腔，而发光芯片位于空腔内。密封材料形成在载件上以及盖体周围，其中密封材料完全覆盖盖体与载件之间的连接处，而密封材料的水蒸气渗透率（WVTR）小于 1 g/m2/day。

7. 发明专利

TW201628217A 改良之發光二極體封裝結構與方法审中-公开
简体标题：改良之发光二极管封装结构与方法
公开(公告)号：TW201628217A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104103314
申请日：2015-01-30
申请人：聯京光電股份有限公司 , UNISTARS CORPORATION
发明人：錢文正 , CHIEN, WEN CHENG , 吳上義 , WU, SHANG YI
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L33/483 , H01L33/54 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/20 , H01L2224/73267 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058
摘要：本發明提供一種改良之發光二極體封裝方法與結構，尤其是一種應用與習知技術不同甚或相反的封裝流程進行製造，且跳脫了傳統的金線接合程序的封裝方法與結構。該方法包括以下步驟：(A)提供一具有高透明度之透明基板；(B)形成一光電半導體晶片於該透明基板之一面，該光電半導體晶片具有一出光面與至少二電極，其中，該光電半導體晶片發出之光線係透過該透明基板而射出；(C)形成一絕緣層於該透明基板，以部分覆蓋該二電極、該光電半導體晶片與該透明基板；及(D)分離地形成至少二金屬佈線部於該二電極上面，且該二金屬佈線部分別與該二電極電性連接。
简体摘要：本发明提供一种改良之发光二极管封装方法与结构，尤其是一种应用与习知技术不同甚或相反的封装流程进行制造，且跳脱了传统的金线接合进程的封装方法与结构。该方法包括以下步骤：(A)提供一具有高透明度之透明基板；(B)形成一光电半导体芯片于该透明基板之一面，该光电半导体芯片具有一出光面与至少二电极，其中，该光电半导体芯片发出之光线系透过该透明基板而射出；(C)形成一绝缘层于该透明基板，以部分覆盖该二电极、该光电半导体芯片与该透明基板；及(D)分离地形成至少二金属布线部于该二电极上面，且该二金属布线部分别与该二电极电性连接。

8. 实用新型

TWM499652U 改良之發光二極體封裝結構有权
简体标题：改良之发光二极管封装结构
公开(公告)号：TWM499652U
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW104201607
申请日：2015-01-30
申请人：聯京光電股份有限公司 , UNISTARS CORPORATION
发明人：錢文正 , CHIEN, WEN CHENG , 吳上義 , WU, SHANG YI
IPC分类号： H01L33/52

9. 发明专利

TW201508954A 光電半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：光电半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201508954A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102131131
申请日：2013-08-29
申请人：聯京光電股份有限公司 , UNISTARS CORPORATION
发明人：錢文正 , CHIEN, WEN CHENG , 黃田昊 , HUANG, TIEN HAO , 吳上義 , WU, SHANG YI
IPC分类号： H01L33/48
摘要：一種光電半導體元件，包括基材、第一實心介層插塞、光電半導體晶片、螢光層以及封膠體。其中，第一實心介層插塞貫穿基材。光電半導體晶片封膠體，具有一第一電極，對準並與第一實心介層插塞電性連接。螢光層覆蓋於光電半導體晶片之至少一表面上。封膠體包覆基材、光電半導體晶片以及螢光層。
简体摘要：一种光电半导体组件，包括基材、第一实心介层插塞、光电半导体芯片、萤光层以及封胶体。其中，第一实心介层插塞贯穿基材。光电半导体芯片封胶体，具有一第一电极，对准并与第一实心介层插塞电性连接。萤光层覆盖于光电半导体芯片之至少一表面上。封胶体包覆基材、光电半导体芯片以及萤光层。

10. 发明专利

TWI422290B 防靜電結構有权
简体标题：防静电结构
公开(公告)号：TWI422290B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW100117699
申请日：2011-05-20
申请人：聯京光電股份有限公司 , UNISTARS
发明人：鄭欽源 , CHENG, CHIN YUAN , 吳上義 , WU, SHANG YI , 蔡佳倫 , TSAI, CHIA LUN
IPC分类号： H05K1/02 , H05F3/00

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