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1. 发明专利

TWI475927B 色溫可調控發光二極體光源之驅動電路有权
简体标题：色温可调控发光二极管光源之驱动电路
公开(公告)号：TWI475927B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW100128798
申请日：2011-08-12
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：漢士奈因古拉姆 , HASNAIN, GHULAM
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： H05B33/086 , H05B33/0869 , H05B33/0872

2. 发明专利

TWI466591B 一種發光之方法、可重新組態之發光二極體陣列及可重新組態之發光二極體陣列於照明系統之應用有权
简体标题：一种发光之方法、可重新组态之发光二极管数组及可重新组态之发光二极管数组于照明系统之应用
公开(公告)号：TWI466591B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW099123078
申请日：2010-07-14
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：胡大衛 , HUM, DAVID , 藍斯特史蒂芬 , LESTER, STEVE
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： H05B33/083 , H05B33/0815 , H05B33/0824 , Y02B20/346

3. 发明专利

TW201421741A 發光裝置之反射表面子組體製造方法审中-公开
简体标题：发光设备之反射表面子组体制造方法
公开(公告)号：TW201421741A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW103101120
申请日：2010-10-05
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：雪克費區艾力克斯 , SHAIKEVITCH, ALEX , 賀比寧瑞內 , HELBING, RENE
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： G02B5/02 , G02B5/08 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種發光裝置之反射表面子組體製造方法，其包括：一基板、至少一保留來將一發光裝置組合放置在該基板上之區域，及一漫射層，係施予在該基板的選取區域上，其中當該發光裝置組合放置在該至少一區域上，則該漫射層會反射該發光裝置組合所發出之光子。
简体摘要：本发明揭示一种发光设备之反射表面子组体制造方法，其包括：一基板、至少一保留来将一发光设备组合放置在该基板上之区域，及一漫射层，系施予在该基板的选取区域上，其中当该发光设备组合放置在该至少一区域上，则该漫射层会反射该发光设备组合所发出之光子。

4. 发明专利

TW201314944A 使用硫化鋅緩衝層之矽基板上發光二極體失效
简体标题：使用硫化锌缓冲层之硅基板上发光二极管
公开(公告)号：TW201314944A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101120369
申请日：2012-06-07
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：陳振 , CHEN, ZHEN
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/007 , H01L24/32 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種垂直氮化鎵藍光LED，其具有一成長於一依序直接成長於矽基板上的硫化鋅層上的n型氮化鎵層。在一個範例中，該硫化鋅層係一厚度為50nm的轉換緩衝層，並且該n型GaN層的厚度至少2000nm。在該硫化鋅緩衝層上成長該n型GaN層降低該n型層內的晶格缺陷密度。該硫化鋅緩衝層提供一與該矽基板匹配良好的晶格常數，並且提供一用於後續氮化鎵成長的一化合物極性樣板。在該LED的該等磊晶層形成之後，一導電載體晶圓貼合至該結構。然後，移除該矽基板與該硫化鋅緩衝層。之後加入電極，並且切割該結構以形成完成的LED裝置。
简体摘要：本发明揭示一种垂直氮化镓蓝光LED，其具有一成长于一依序直接成长于硅基板上的硫化锌层上的n型氮化镓层。在一个范例中，该硫化锌层系一厚度为50nm的转换缓冲层，并且该n型GaN层的厚度至少2000nm。在该硫化锌缓冲层上成长该n型GaN层降低该n型层内的晶格缺陷密度。该硫化锌缓冲层提供一与该硅基板匹配良好的晶格常数，并且提供一用于后续氮化镓成长的一化合物极性样板。在该LED的该等磊晶层形成之后，一导电载体晶圆贴合至该结构。然后，移除该硅基板与该硫化锌缓冲层。之后加入电极，并且切割该结构以形成完成的LED设备。

5. 发明专利

TW200926461A 改良式發光二極體結構 IMPROVED LED STRUCTURE 审中-公开
简体标题：改良式发光二极管结构 IMPROVED LED STRUCTURE
公开(公告)号：TW200926461A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097143203
申请日：2008-11-07
申请人：普瑞光電股份有限公司 BRIDGELUX INC.
发明人：列斯特史提夫D LESTER, STEVE D. , 哈斯奈古蘭 HASNAIN, GHULAM
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44
摘要：本發明提供一種發光元件、一晶圓用於製作該發光元件及該發光元件的製造方法。該元件及晶圓包括一具第一導電型材料之第一層、一主動層及一具第二導電型材料之第二層。該主動層位在該第一層上方,該主動層產生光。該第二層位在該主動層上方,該第二層具有一第一表面相鄰接觸該主動層及一第二表面具有一表面係包含散射照在該第二表面之光的特徵。一透明導電材料層相鄰該第二表面且被一第一介電層覆蓋,該第一介電層係對於該主動層產生之光具有穿透性。一具有大於百分之九十的反射率的鏡面層沉積於該第一介電層上方。
简体摘要：本发明提供一种发光组件、一晶圆用于制作该发光组件及该发光组件的制造方法。该组件及晶圆包括一具第一导电型材料之第一层、一主动层及一具第二导电型材料之第二层。该主动层位在该第一层上方,该主动层产生光。该第二层位在该主动层上方,该第二层具有一第一表面相邻接触该主动层及一第二表面具有一表面系包含散射照在该第二表面之光的特征。一透明导电材料层相邻该第二表面且被一第一介电层覆盖,该第一介电层系对于该主动层产生之光具有穿透性。一具有大于百分之九十的反射率的镜面层沉积于该第一介电层上方。

6. 发明专利

TWI305683B 發光二極體元件及其製作方法 LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：发光二极管组件及其制作方法 LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI305683B
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：TW095129364
申请日：2006-08-10
申请人：普瑞光電股份有限公司 BRIDGELUX INC.
发明人：劉恆 LIU, HENG , 莫慶偉 MO, QINGWEI
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種以自行對準晶圓分割技術(self-aligned wafer singulation technique)製作之發光二極體元件,其係以晶圓上每一顆發光二極體晶粒的電極做為該晶圓上形成刻劃線(scribing lines)的對準標記(alignment mark),而無需在晶圓上相鄰發光二極體晶粒之間至少沿一方向預先蝕刻出切割道(scribing street)。本發明發光二極體晶粒周緣面積在至少一方向上不被切割道佔據,故可增加發光二極體晶粒的發光面積,而提高其發光效率。
简体摘要：本发明提供一种以自行对准晶圆分割技术(self-aligned wafer singulation technique)制作之发光二极管组件,其系以晶圆上每一颗发光二极管晶粒的电极做为该晶圆上形成刻划线(scribing lines)的对准标记(alignment mark),而无需在晶圆上相邻发光二极管晶粒之间至少沿一方向预先蚀刻出切割道(scribing street)。本发明发光二极管晶粒周缘面积在至少一方向上不被切割道占据,故可增加发光二极管晶粒的发光面积,而提高其发光效率。

7. 发明专利

TWI288489B 具改良式反射片之發光二極體元件 LIGHT-EMITTING DIODE WITH IMPROVED REFLECTOR 有权
简体标题：具改良式反射片之发光二极管组件 LIGHT-EMITTING DIODE WITH IMPROVED REFLECTOR
公开(公告)号：TWI288489B
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：TW095101168
申请日：2006-01-12
申请人：普瑞光電股份有限公司 BRIDGELUX INC.
发明人：法蘭克.修恩 FRANK SHUM , 史提夫.列斯特 STEVE LESTER
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種具改良式反射片之發光二極體元件，係於相對發光層之透光基底的表面形成一改良式反射片。該改良式反射片具有至少一透光介電層相鄰於該透光基底及至少一金屬層。藉該改良式反射片之設計，使穿透該透光基底的大部份發射光於該透光基底與該反射片的介面產生全反射，藉以使朝向該透光基底的發射光被導引朝元件正面發光，進而提高該發光二極體元件的光輸出率。
简体摘要：本发明提供一种具改良式反射片之发光二极管组件，系于相对发光层之透光基底的表面形成一改良式反射片。该改良式反射片具有至少一透光介电层相邻于该透光基底及至少一金属层。藉该改良式反射片之设计，使穿透该透光基底的大部份发射光于该透光基底与该反射片的界面产生全反射，借以使朝向该透光基底的发射光被导引朝组件正面发光，进而提高该发光二极管组件的光输出率。

9. 发明专利

TWI573957B 固態電燈之散熱裝置有权
简体标题：固态电灯之散热设备
公开(公告)号：TWI573957B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW098121796
申请日：2009-06-29
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：史考特凱斯 , SCOTT, KEITH
IPC分类号： F21V29/00
CPC分类号： F21V29/004 , F21K9/23 , F21S8/065 , F21V29/717 , F21V29/76 , F21V29/773 , F21W2121/00 , Y10S362/80

10. 发明专利

TWI468623B 無驅動器之發光裝置有权
简体标题：无驱动器之发光设备
公开(公告)号：TWI468623B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW100141192
申请日：2011-11-11
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：法摩陶德 , FARMER, TODD
IPC分类号： F21V29/00 , F21Y101/02
CPC分类号： F21K9/68 , F21K9/20 , F21V29/004 , F21Y2115/10

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