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1. 发明专利

TWI453483B 光通訊組件及應用其之光通訊封裝模組有权
简体标题：光通信组件及应用其之光通信封装模块
公开(公告)号：TWI453483B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW101132088
申请日：2012-09-03
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：邱建良 , CHIU, CHIEN LIANG , 李國源 , LEE, KUO YUAN , 賴逸少 , LAI, YI SHAO
IPC分类号： G02B6/42 , H01L27/15

2. 发明专利

TW201409756A 半導體光源模組、其製造方法及其基板結構审中-公开
简体标题：半导体光源模块、其制造方法及其基板结构
公开(公告)号：TW201409756A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW101129801
申请日：2012-08-16
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：黃彥良 , HUANG, YEN LIANG , 蔡宗岳 , TSAI, TSUNG YUEH , 賴逸少 , LAI, YI SHAO
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/52
摘要：一種半導體光源模組、其製造方法及其基板結構。半導體光源模組包括一基板結構及一發光二極體。基板結構包括一基材、一第一導電跡線、一第二導電跡線及一填充材料。基材具有一第一表面、一第二表面及一貫穿開口。第一表面相對於第二表面。第一導電跡線自第一表面經由貫穿開口延伸至第二表面。第二導電跡線自第一表面經由貫穿開口延伸至第二表面。填充材料填充於貫穿開口內。發光二極體設置於第一表面之上，並電性連接第一導電跡線及第二導電跡線。發光二極體之投影範圍涵蓋貫穿開口。
简体摘要：一种半导体光源模块、其制造方法及其基板结构。半导体光源模块包括一基板结构及一发光二极管。基板结构包括一基材、一第一导电迹线、一第二导电迹线及一填充材料。基材具有一第一表面、一第二表面及一贯穿开口。第一表面相对于第二表面。第一导电迹线自第一表面经由贯穿开口延伸至第二表面。第二导电迹线自第一表面经由贯穿开口延伸至第二表面。填充材料填充于贯穿开口内。发光二极管设置于第一表面之上，并电性连接第一导电迹线及第二导电迹线。发光二极管之投影范围涵盖贯穿开口。

3. 发明专利

TW201145490A 半導體封裝結構 SEMICONDUCTOR PACKAGE 审中-公开
简体标题：半导体封装结构 SEMICONDUCTOR PACKAGE
公开(公告)号：TW201145490A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW099133196
申请日：2010-09-30
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：賴逸少 , 蔡宗岳 , 陳明坤 , 張效銓 , 鄭明祥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/13 , H01L23/3171 , H01L23/48 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/0401 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/731 , H01L2224/85 , H01L2225/06527 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01076 , H01L2924/014 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本發明係關於一種半導體封裝結構,其包括一基板、一第一晶片及一第二晶片。該基板具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔。該第一晶片係鄰接於該基板之第一表面。該第一晶片包括一第一主動面及複數個第一訊號墊。部分該第一主動面係顯露於該穿孔。該等第一訊號墊之位置係對應該穿孔。該第二晶片係鄰接於該第二表面。該第二晶片包括一第二主動面及複數個第二訊號墊。部分該第二主動面係顯露於該穿孔。該等第二訊號墊之位置係對應該穿孔,且該等第二訊號墊係與該第一晶片之第一訊號墊電容耦合,以提供該第一晶片及該第二晶片間之鄰近通訊。因此,在附著於該基板後,該第一晶片及該第二晶片之强度提升,進而提升該半導體封裝結構之良率。
简体摘要：本发明系关于一种半导体封装结构,其包括一基板、一第一芯片及一第二芯片。该基板具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔。该第一芯片系邻接于该基板之第一表面。该第一芯片包括一第一主动面及复数个第一信号垫。部分该第一主动面系显露于该穿孔。该等第一信号垫之位置系对应该穿孔。该第二芯片系邻接于该第二表面。该第二芯片包括一第二主动面及复数个第二信号垫。部分该第二主动面系显露于该穿孔。该等第二信号垫之位置系对应该穿孔,且该等第二信号垫系与该第一芯片之第一信号垫电容耦合,以提供该第一芯片及该第二芯片间之邻近通信。因此,在附着于该基板后,该第一芯片及该第二芯片之强度提升,进而提升该半导体封装结构之良率。

4. 发明专利

TW201011880A 銅製銲線、銲線接合結構及銲線加工及接合方法 COPPER BONDING WIRE, WIRE BONDING STRUCTURE AND METHOD FOR PROCESSING AND BONDING A WIRE 审中-公开
简体标题：铜制焊线、焊线接合结构及焊线加工及接合方法 COPPER BONDING WIRE, WIRE BONDING STRUCTURE AND METHOD FOR PROCESSING AND BONDING A WIRE
公开(公告)号：TW201011880A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW097133402
申请日：2008-09-01
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：張效銓 , 蔡宗岳 , 賴逸少 , 唐和明 , 陳建成 , 易維綺 , 洪常瀛 , 徐正宗 , 洪誌成
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/85 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/05624 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85043 , H01L2224/85045 , H01L2224/85047 , H01L2224/85201 , H01L2224/85365 , H01L2224/85947 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2924/00012
摘要：一種銅製銲線包含一線狀部及一非球形塊狀部。該非球形塊狀部連接於該線狀部，且該非球形塊狀部之剖面面積大於該線狀部之剖面面積。
简体摘要：一种铜制焊线包含一线状部及一非球形块状部。该非球形块状部连接于该线状部，且该非球形块状部之剖面面积大于该线状部之剖面面积。

5. 发明专利

TWI415707B 銅製銲線、銲線接合結構及銲線接合方法有权
简体标题：铜制焊线、焊线接合结构及焊线接合方法
公开(公告)号：TWI415707B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW097133400
申请日：2008-09-01
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：張效銓 , CHANG, HSIAO CHUAN , 蔡宗岳 , TSAI, TSUNG YUEH , 賴逸少 , LAI, YI SHAO , 唐和明 , TONG, HO MING , 陳建成 , CHEN, JIAN CHENG , 易維綺 , YIH, WEI CHI , 洪常瀛 , HUNG, CHANG YING
IPC分类号： B23K35/363 , B23K9/22 , H01L23/49
CPC分类号： H01L2224/45147 , H01L2224/48465 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2924/01029 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

6. 发明专利

TW201344974A 半導體光源模組、其製造方法及其基板結構审中-公开
简体标题：半导体光源模块、其制造方法及其基板结构
公开(公告)号：TW201344974A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101113671
申请日：2012-04-17
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：黃彥良 , HUANG, YEN LIANG , 蔡宗岳 , TSAI, TSUNG YUEH , 賴逸少 , LAI, YI SHAO
IPC分类号： H01L33/48 , H01L27/15
摘要：一種半導體光源模組、其製造方法及其基板結構。半導體光源模組包括一基板結構及一發光二極體。基板結構包括一基材、一稽納二極體及一填充材料。基材具有一貫穿開口。稽納二極體設置於貫穿開口內。填充材料填充於貫穿開口。發光二極體設置於基板結構上，並電性連接稽納二極體。發光二極體之投影範圍涵蓋貫穿開口。
简体摘要：一种半导体光源模块、其制造方法及其基板结构。半导体光源模块包括一基板结构及一发光二极管。基板结构包括一基材、一稽纳二极管及一填充材料。基材具有一贯穿开口。稽纳二极管设置于贯穿开口内。填充材料填充于贯穿开口。发光二极管设置于基板结构上，并电性连接稽纳二极管。发光二极管之投影范围涵盖贯穿开口。

7. 发明专利

TW201332164A 半導體光源模組审中-公开
简体标题：半导体光源模块
公开(公告)号：TW201332164A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101101837
申请日：2012-01-17
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：黃彥良 , HUANG, YEN LIANG , 彭勝揚 , PENG, SHENG YANG , 蔡宗岳 , TSAI, TSUNG YUEH , 賴逸少 , LAI, YI SHAO
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/60
摘要：一種半導體光源模組。半導體光源模組包括一基板、一發光二極體及一反射結構。基板具有一第一表面、一第二表面及至少一貫穿孔。貫穿孔貫穿第一表面及第二表面。發光二極體設置於第一表面上。反射結構設置於基板上，並位於發光二極體之周圍。反射結構包括一封膠材料層及一反射層。封膠材料層覆蓋部份之基板並填入貫穿孔。封膠材料層具有一傾斜側壁。傾斜側壁位於發光二極體之外圍。反射層至少設置於傾斜側壁上。
简体摘要：一种半导体光源模块。半导体光源模块包括一基板、一发光二极管及一反射结构。基板具有一第一表面、一第二表面及至少一贯穿孔。贯穿孔贯穿第一表面及第二表面。发光二极管设置于第一表面上。反射结构设置于基板上，并位于发光二极管之周围。反射结构包括一封胶材料层及一反射层。封胶材料层覆盖部份之基板并填入贯穿孔。封胶材料层具有一倾斜侧壁。倾斜侧壁位于发光二极管之外围。反射层至少设置于倾斜侧壁上。

8. 发明专利

TW201332138A 半導體光源模組及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体光源模块及其制造方法
公开(公告)号：TW201332138A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101101835
申请日：2012-01-17
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：黃彥良 , HUANG, YEN LIANG , 彭勝揚 , PENG, SHENG YANG , 蔡宗岳 , TSAI, TSUNG YUEH , 賴逸少 , LAI, YI SHAO
IPC分类号： H01L33/00 , H01L29/866
摘要：一種半導體光源模組及其製造方法。半導體光源模組包括一基板、一稽納二極體及一發光二極體。基板具有一凹槽。稽納二極體設置於凹槽內。發光二極體設置於基板上，並電性連接稽納二極體。發光二極體之投影範圍涵蓋凹槽。
简体摘要：一种半导体光源模块及其制造方法。半导体光源模块包括一基板、一稽纳二极管及一发光二极管。基板具有一凹槽。稽纳二极管设置于凹槽内。发光二极管设置于基板上，并电性连接稽纳二极管。发光二极管之投影范围涵盖凹槽。

9. 发明专利

TWI375997B 黏著間隙球於晶圓上之方法 METHOD FOR BONDING BALL SPACERS ON A WAFER 有权
简体标题：黏着间隙球于晶圆上之方法 METHOD FOR BONDING BALL SPACERS ON A WAFER
公开(公告)号：TWI375997B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW096127310
申请日：2007-07-26
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：蔡宗岳 , 賴逸少
IPC分类号： H01L
摘要：一種將間隙球黏著於晶圓上之方法，首先將晶圓之背面塗佈黏膠，然後將間隙球塗佈於晶圓背面使得間隙球黏著於晶圓上。
简体摘要：一种将间隙球黏着于晶圆上之方法，首先将晶圆之背面涂布黏胶，然后将间隙球涂布于晶圆背面使得间隙球黏着于晶圆上。

10. 发明专利

TWI372434B 溫度循環測試裝置及利用此裝置加熱覆晶封裝結構的方法 TEMPERATURE CYCLE TEST APPARATUS AND METHOD FOR HEATING FLIP CHIP STRUCTURE USING THE SAME 有权
简体标题：温度循环测试设备及利用此设备加热覆晶封装结构的方法 TEMPERATURE CYCLE TEST APPARATUS AND METHOD FOR HEATING FLIP CHIP STRUCTURE USING THE SAME
公开(公告)号：TWI372434B
公开(公告)日：2012-09-11
申请号：TW097103479
申请日：2008-01-30
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：鍾啟生 , 賴逸少 , 葉昶麟
IPC分类号： H01L
摘要：一種適於加熱覆晶封裝結構的溫度循環測試裝置。覆晶封裝結構包括第一基板、晶片、第一承載基板與多個第一銲球，晶片與第一承載基板分別配置於第一基板之上表面與下表面。其中，晶片係以覆晶接合方式與第一基板電性連接。第一銲球配置於第一基板與第一承載基板之間，且第一基板與第一承載基板藉由第一銲球而電性連接。溫度循環測試裝置包括第二基板、熱測試晶片、多個凸塊、第二承載基板與多個第二銲球。第二基板具有上表面與下表面，而熱測試晶片配置於第二基板的上表面上方且貼附於晶片上。凸塊配置於第二基板與熱測試晶片之間並電性連接第二基板與熱測試晶片。第二承載基板配置於第二基板的下表面的下方，而第二銲球配置於第二基板與第二承載基板之間並電性連接第二基板與第二承載基板。
简体摘要：一种适于加热覆晶封装结构的温度循环测试设备。覆晶封装结构包括第一基板、芯片、第一承载基板与多个第一焊球，芯片与第一承载基板分别配置于第一基板之上表面与下表面。其中，芯片系以覆晶接合方式与第一基板电性连接。第一焊球配置于第一基板与第一承载基板之间，且第一基板与第一承载基板借由第一焊球而电性连接。温度循环测试设备包括第二基板、热测试芯片、多个凸块、第二承载基板与多个第二焊球。第二基板具有上表面与下表面，而热测试芯片配置于第二基板的上表面上方且贴附于芯片上。凸块配置于第二基板与热测试芯片之间并电性连接第二基板与热测试芯片。第二承载基板配置于第二基板的下表面的下方，而第二焊球配置于第二基板与第二承载基板之间并电性连接第二基板与第二承载基板。

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