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1. 发明专利

TW201826394A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201826394A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106136821
申请日：2017-10-26
申请人：日商瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：利根川丘 , TONEGAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L23/00
摘要：本發明之目的在於令半導體裝置的可靠度提高。為了達成上述目的，本發明以覆蓋源極電極SE以及閘極電極GE的方式形成了絶緣膜（PA），並於該絶緣膜（PA），形成了露出源極電極SE的一部分的開口部（OPS）以及露出閘極電極GE的一部分的開口部（OPG）。在從開口部（OPS）露出的源極電極SE上，形成了電鍍層PLS，在從開口部（OPG）露出的閘極電極GE上，形成了電鍍層PLG。利用從開口部（OPS）露出之部分的源極電極SE與電鍍層PLS，形成源極焊墊（PDS），利用從開口部（OPG）露出之部分的閘極電極GE與電鍍層PLG，形成閘極焊墊（PDG）。閘極焊墊用的開口部（OPG）的面積，比源極焊墊用的開口部（OPS）的面積更小，電鍍層PLG的厚度，比電鍍層PLS的厚度更厚。
简体摘要：本发明之目的在于令半导体设备的可靠度提高。为了达成上述目的，本发明以覆盖源极电极SE以及闸极电极GE的方式形成了绝缘膜（PA），并于该绝缘膜（PA），形成了露出源极电极SE的一部分的开口部（OPS）以及露出闸极电极GE的一部分的开口部（OPG）。在从开口部（OPS）露出的源极电极SE上，形成了电镀层PLS，在从开口部（OPG）露出的闸极电极GE上，形成了电镀层PLG。利用从开口部（OPS）露出之部分的源极电极SE与电镀层PLS，形成源极焊垫（PDS），利用从开口部（OPG）露出之部分的闸极电极GE与电镀层PLG，形成闸极焊垫（PDG）。闸极焊垫用的开口部（OPG）的面积，比源极焊垫用的开口部（OPS）的面积更小，电镀层PLG的厚度，比电镀层PLS的厚度更厚。

2. 发明专利

TW201921623A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201921623A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107121415
申请日：2018-06-22
申请人：日商瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：森山卓史 , MORIYAMA, TAKASHI , 利根川丘 , TONEGAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/60
摘要：本發明之課題係提升半導體裝置之可靠性，謀求半導體裝置之微細化，抑制半導體裝置之製造成本的增加。其解決手段係提供本發明之半導體裝置及其製造方法，其具備：焊墊電極PD，形成在半導體基板（SB）上所形成之多層配線層中之最上層的配線層；表面保護膜PV1，形成為包覆焊墊電極PD；開口部OP1，形成於表面保護膜而使焊墊電極PD之局部露出；以及導電層OPM，形成於在開口部OP1之底部露出的焊墊電極PD上。然後，形成在焊墊電極PD上之導電層OPM的膜厚，小於形成在焊墊電極PD上之表面保護膜PV1的膜厚。
简体摘要：本发明之课题系提升半导体设备之可靠性，谋求半导体设备之微细化，抑制半导体设备之制造成本的增加。其解决手段系提供本发明之半导体设备及其制造方法，其具备：焊垫电极PD，形成在半导体基板（SB）上所形成之多层配线层中之最上层的配线层；表面保护膜PV1，形成为包覆焊垫电极PD；开口部OP1，形成于表面保护膜而使焊垫电极PD之局部露出；以及导电层OPM，形成于在开口部OP1之底部露出的焊垫电极PD上。然后，形成在焊垫电极PD上之导电层OPM的膜厚，小于形成在焊垫电极PD上之表面保护膜PV1的膜厚。

3. 发明专利

TW201721746A 半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201721746A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105124462
申请日：2016-08-02
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：利根川丘 , TONEGAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L21/31 , H01L21/31056 , H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L21/44 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/4827 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L29/7802 , H01L2224/02126 , H01L2224/02145 , H01L2224/0215 , H01L2224/02206 , H01L2224/02215 , H01L2224/031 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/03522 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05017 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48799 , H01L2224/48844 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2924/05042 , H01L2924/0509 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/1203 , H01L2924/1206 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/059 , H01L2924/0103 , H01L2924/00
摘要：本發明的課題是在於使半導體裝置的特性提升。其解決手段是以能夠具有：形成於配線(M1)上，具有開口部(OA1)的保護膜(PRO1)、及形成於開口部(OA1)內的電鍍膜(OPM1)之方式，構成半導體裝置。而且，在開口部(OA1)的側面設有縫隙(SL)，在此縫隙(SL)內也配置有電鍍膜(OPM1)。藉由如此在開口部(OA1)的側面設置縫隙(SL)，在其內部也使電鍍膜(OPM1)成長，在以後的電鍍膜的形成時，電鍍液的侵入路徑會變長。因此，不易在配線(焊墊領域(PD))(M1)產生腐蝕部。並且，即使產生腐蝕部，也因為縫隙(SL)的部分比配線(焊墊領域(PD))(M1)還先犠牲腐蝕，所以可抑制腐蝕部進展至配線(焊墊領域(PD))(M1)。
简体摘要：本发明的课题是在于使半导体设备的特性提升。其解决手段是以能够具有：形成于配线(M1)上，具有开口部(OA1)的保护膜(PRO1)、及形成于开口部(OA1)内的电镀膜(OPM1)之方式，构成半导体设备。而且，在开口部(OA1)的侧面设有缝隙(SL)，在此缝隙(SL)内也配置有电镀膜(OPM1)。借由如此在开口部(OA1)的侧面设置缝隙(SL)，在其内部也使电镀膜(OPM1)成长，在以后的电镀膜的形成时，电镀液的侵入路径会变长。因此，不易在配线(焊垫领域(PD))(M1)产生腐蚀部。并且，即使产生腐蚀部，也因为缝隙(SL)的部分比配线(焊垫领域(PD))(M1)还先犠牲腐蚀，所以可抑制腐蚀部进展至配线(焊垫领域(PD))(M1)。

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