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1. 发明专利

TW201729267A 半導體結構的形成方法审中-公开
简体标题：半导体结构的形成方法
公开(公告)号：TW201729267A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105137388
申请日：2016-11-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：田希文 , TIEN, HSI WEN , 戴爾茲卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H. , 李忠儒 , LEE, CHUNG JU , 眭曉林 , SHUE, SHAU LIN , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/7688 , H01L21/288 , H01L21/31051 , H01L21/31111 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76877 , H01L21/76885 , H01L23/5226 , H01L23/53228 , H01L2221/1063
摘要：半導體結構的形成方法，包括：形成第一介電層於基板上，以及形成犧牲層於第一介電層上。此方法亦包括形成開口於犧牲層中，並經由開口蝕刻第一介電層，以形成通孔。此方法亦包括形成導電結構於通孔及開口中，以及移除犧牲層以露出導電結構的較上部份。此方法亦包括形成第二介電層圍繞導電結構的較上部份。
简体摘要：半导体结构的形成方法，包括：形成第一介电层于基板上，以及形成牺牲层于第一介电层上。此方法亦包括形成开口于牺牲层中，并经由开口蚀刻第一介电层，以形成通孔。此方法亦包括形成导电结构于通孔及开口中，以及移除牺牲层以露出导电结构的较上部份。此方法亦包括形成第二介电层围绕导电结构的较上部份。

2. 发明专利

TWI588935B 半導體裝置結構的製造方法有权
简体标题：半导体设备结构的制造方法
公开(公告)号：TWI588935B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW104136274
申请日：2015-11-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳泳字 , CHEN, YUNGTZU , 陳玉樹 , CHEN, YU SHU , 劉又誠 , LIU, YU CHENG
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76879 , H01L21/02126 , H01L21/02186 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76811 , H01L2221/1063

3. 发明专利

TW201707143A 微電子導電路線及其製造方法审中-公开
简体标题：微电子导电路线及其制造方法
公开(公告)号：TW201707143A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105108822
申请日：2016-03-22
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：喬拉詹斯密特 , CHAWLA, JASMEET S. , 胡拉尼拉米 , HOURANI, RAMI , 科布林斯基莫羅 , KOBRINSKY, MAURO J. , 格斯坦弗羅瑞恩 , GSTREIN, FLORIAN , 克蘭德寧史考特 , CLENDENNING, SCOTT B. , 羅伯茲珍娜緹 , ROBERTS, JEANETTE M.
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L23/528 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L2221/1063
摘要：可形成一導電路線結構，其包括導電跡線及導電通孔，其中該導電通孔直接地接觸該導電跡線。在一實施例中，該導電路線結構可藉由在該導電跡線上形成介電質材料層而被形成。可形成穿過該介電質材料層之通孔開口以曝露該導電跡線之部分且可僅在該導電跡線之該曝露部分上形成阻擋層。可在該通孔開口之側壁上形成障壁襯墊且該阻擋層可在之後被移除。接著可在該通孔開口中形成導電通孔，其中，該導電通孔直接地接觸該導電跡線。
简体摘要：可形成一导电路线结构，其包括导电迹线及导电通孔，其中该导电通孔直接地接触该导电迹线。在一实施例中，该导电路线结构可借由在该导电迹在线形成介电质材料层而被形成。可形成穿过该介电质材料层之通孔开口以曝露该导电迹线之部分且可仅在该导电迹线之该曝露部分上形成阻挡层。可在该通孔开口之侧壁上形成障壁衬垫且该阻挡层可在之后被移除。接着可在该通孔开口中形成导电通孔，其中，该导电通孔直接地接触该导电迹线。

4. 发明专利

TWI524423B 蝕刻及灰化期間低Ｋ材料之側壁保護有权
简体标题：蚀刻及灰化期间低Ｋ材料之侧壁保护
公开(公告)号：TWI524423B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW102122167
申请日：2013-06-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：千葉祐毅 , CHIBA, YUKI
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/02118 , H01L21/02274 , H01L21/3105 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/76811 , H01L21/76813 , H01L21/76814 , H01L21/76831 , H01L2221/1063

5. 发明专利

TW201401435A 形成外露式低Ｋ表面上之含ＳｉＯＣｌ的層以減少低Ｋ損傷审中-公开
简体标题：形成外露式低Ｋ表面上之含ＳｉＯＣｌ的层以减少低Ｋ损伤
公开(公告)号：TW201401435A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102108086
申请日：2013-03-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK , 庫馬寇西克 , KUMAR, KAUSHIK
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/02126 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L2221/1063
摘要：本發明描述一種用於保護外露式低k表面的方法。該方法包括接收一基板，其具有一遮罩層及一低k層形成於其上，其中利用一微影處理形成於遮罩層的一圖案已利用一蝕刻處理轉移到低k層，以在其中形成一結構特徵部。此外，該方法包括在該遮罩層及該低k層的外露表面形成一含SiOCl層，並且由該遮罩層的一頂部表面及該低k層中該結構特徵部的一底部表面各向異性地除去該含SiOCl層，同時保留該結構特徵部的側壁表面上之該含SiOCl層的一剩餘部分。該方法更包括實行一灰化處理以除去該遮罩層，以及然後，由該結構特徵部的該側壁表面選擇性地除去該含SiOCl層的該剩餘部分。
简体摘要：本发明描述一种用于保护外露式低k表面的方法。该方法包括接收一基板，其具有一遮罩层及一低k层形成于其上，其中利用一微影处理形成于遮罩层的一图案已利用一蚀刻处理转移到低k层，以在其中形成一结构特征部。此外，该方法包括在该遮罩层及该低k层的外露表面形成一含SiOCl层，并且由该遮罩层的一顶部表面及该低k层中该结构特征部的一底部表面各向异性地除去该含SiOCl层，同时保留该结构特征部的侧壁表面上之该含SiOCl层的一剩余部分。该方法更包括实行一灰化处理以除去该遮罩层，以及然后，由该结构特征部的该侧壁表面选择性地除去该含SiOCl层的该剩余部分。

6. 发明专利

TWI234872B 針對精確控制關鍵尺寸以形成底部抗反射塗佈開口之方法 METHOD FOR FORMING NOVEL BARC OPEN FOR PRECISION CRITICAL DIMENSION CONTROL 有权
简体标题：针对精确控制关键尺寸以形成底部抗反射涂布开口之方法 METHOD FOR FORMING NOVEL BARC OPEN FOR PRECISION CRITICAL DIMENSION CONTROL
公开(公告)号：TWI234872B
公开(公告)日：2005-06-21
申请号：TW093131063
申请日：2004-10-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蔡明桓 TSAI, MINGHUAN , 姜儒健 CHIANG, RUCHIAN , 陶宏遠 TAO, HUNJAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/0276 , H01L21/31116 , H01L21/76807 , H01L2221/1063
摘要：一種在半導體元件中形成開口之方法。在一實施例中，形成之底部抗反射塗佈(Bottom Anti-Reflection Coating； BARC)層覆蓋於基材之絕緣層。形成圖案化光阻層覆蓋於底部抗反射塗佈層，其中此圖案化光阻層中包括至少一開口。以圖案化光阻層為罩幕，蝕刻底部抗反射塗佈層與絕緣層，其中此蝕刻步驟至少包含：將半導體元件放入處理室中，並導入第一氣體，第一氣體包括用以進行蝕刻及聚合物形成之氟碳氣體；導入第二氣體於處理室中，第二氣體含有用以控制聚合物形成之氧氣；部分蝕刻由至少一開口定義之底部抗反射塗佈層，隨後形成聚合物層於至少一開口之內側上；重複前述部分蝕刻及聚合物形成之步驟，藉以形成至少一開口於底部抗反射塗佈層中；以及繼續前述部分蝕刻及聚合物形成之步驟，藉以形成至少一開口於絕緣層中。
简体摘要：一种在半导体组件中形成开口之方法。在一实施例中，形成之底部抗反射涂布(Bottom Anti-Reflection Coating； BARC)层覆盖于基材之绝缘层。形成图案化光阻层覆盖于底部抗反射涂布层，其中此图案化光阻层中包括至少一开口。以图案化光阻层为罩幕，蚀刻底部抗反射涂布层与绝缘层，其中此蚀刻步骤至少包含：将半导体组件放入处理室中，并导入第一气体，第一气体包括用以进行蚀刻及聚合物形成之氟碳气体；导入第二气体于处理室中，第二气体含有用以控制聚合物形成之氧气；部分蚀刻由至少一开口定义之底部抗反射涂布层，随后形成聚合物层于至少一开口之内侧上；重复前述部分蚀刻及聚合物形成之步骤，借以形成至少一开口于底部抗反射涂布层中；以及继续前述部分蚀刻及聚合物形成之步骤，借以形成至少一开口于绝缘层中。

7. 发明专利

TW200402103A 於含矽介電材料中蝕刻一溝渠之方法 METHOD OF ETCHING A TRENCH IN A SILICON-CONTAINING DIELECTRIC MATERIAL 审中-公开
简体标题：于含硅介电材料中蚀刻一沟渠之方法 METHOD OF ETCHING A TRENCH IN A SILICON-CONTAINING DIELECTRIC MATERIAL
公开(公告)号：TW200402103A
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW092112734
申请日：2003-05-09
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：金潤相 YUNSANG KIM , 肯尼 L 德恩 KENNY L. DOAN , 克蕾絲H 喬克曼 CLAES H. BJORKMAN , 沈宏金 HONGQING SHAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76804 , H01L21/76808 , H01L2221/1063
摘要：於此揭示一於含矽介電材料蝕刻一溝渠之方法，其不需使用溝渠蝕刻終止層，其中含矽介電材料之介電常數約為4或更低。該方法至少包含將介電材料暴露於由至少包含含氟之蝕刻劑氣體與由含有一氧化碳、氬與該氣體組合構成之群組中選取之添加氣體之電漿源氣體所產生之電漿下。添加氣體相對於含氟之蝕刻劑氣體的體積流率範圍為約1.25：1至20：1（更典型值為2.5：1至20：1)，該範圍取決於所使用之特定含氟之蝕刻劑氣體。該方法提供蝕刻溝渠時對於關鍵尺寸與蝕刻範型的良好控制。於此尚揭示形成雙鑲嵌結構之方法，其同樣不需使用中間蝕刻終止層。
简体摘要：于此揭示一于含硅介电材料蚀刻一沟渠之方法，其不需使用沟渠蚀刻终止层，其中含硅介电材料之介电常数约为4或更低。该方法至少包含将介电材料暴露于由至少包含含氟之蚀刻剂气体与由含有一氧化碳、氩与该气体组合构成之群组中选取之添加气体之等离子源气体所产生之等离子下。添加气体相对于含氟之蚀刻剂气体的体积流率范围为约1.25：1至20：1（更典型值为2.5：1至20：1)，该范围取决于所使用之特定含氟之蚀刻剂气体。该方法提供蚀刻沟渠时对于关键尺寸与蚀刻范型的良好控制。于此尚揭示形成双镶嵌结构之方法，其同样不需使用中间蚀刻终止层。

8. 发明专利

TWI610363B 被處理體之處理方法有权
简体标题：被处理体之处理方法
公开(公告)号：TWI610363B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW104120867
申请日：2015-06-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：渡邊光 , WATANABE, HIKARU , 本田昌伸 , HONDA, MASANOBU , 辻晃弘 , TSUJI, AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/31116 , H01L21/76814 , H01L2221/1063

9. 发明专利

TW201707093A 電極及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：电极及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201707093A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105111231
申请日：2016-04-11
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：倉田求 , KURATA, MOTOMU , 笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 方堂涼太 , HODO, RYOTA , 飯田裕太 , IIDA, YUTA , 岡本悟 , OKAMOTO, SATORU
IPC分类号： H01L21/473 , H01L21/4757 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/02063 , H01L21/76814 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L2221/1063
摘要：提供一種微型電晶體。另外，提供一種具有低寄生電容的電晶體。另外，提供一種具有高頻率特性的電晶體。另外，提供一種包括該電晶體的電極。提供一種新穎的電極。該電極包括含有金屬的第一導電層、絕緣層和第二導電層。在第一導電層上形成絕緣層。在絕緣層上形成遮罩層。將遮罩層用作遮罩使用電漿而對絕緣層進行蝕刻，藉此在絕緣層中形成開口以到達第一導電層。在氧氣氛圍下至少對開口進行電漿處理。藉由電漿處理，在開口中的第一導電層上形成含有金屬的氧化物。去除該氧化物，並在該開口中形成第二導電層。
简体摘要：提供一种微型晶体管。另外，提供一种具有低寄生电容的晶体管。另外，提供一种具有高频率特性的晶体管。另外，提供一种包括该晶体管的电极。提供一种新颖的电极。该电极包括含有金属的第一导电层、绝缘层和第二导电层。在第一导电层上形成绝缘层。在绝缘层上形成遮罩层。将遮罩层用作遮罩使用等离子而对绝缘层进行蚀刻，借此在绝缘层中形成开口以到达第一导电层。在氧气氛围下至少对开口进行等离子处理。借由等离子处理，在开口中的第一导电层上形成含有金属的氧化物。去除该氧化物，并在该开口中形成第二导电层。

10. 发明专利

TW201635469A 通孔阻隔層审中-公开
简体标题：通孔阻隔层
公开(公告)号：TW201635469A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104138782
申请日：2015-11-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：克里薩克瑪麗 , KRYSAK, MARIE , 格斯坦弗羅瑞恩 , GSTREIN, FLORIAN , 鮑爾馬克 , BOHR, MARK , 胡拉尼拉米 , HOURANI, RAMI , 布萊恩露絲 , BRAIN, RUTH A.
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/3205 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L23/3171 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L2221/1031 , H01L2221/1063
摘要：技術係揭示用以在給定的互連層內使選擇之通孔絕緣或電性隔離，以致使導電路由可跨越該等選擇隔離之通孔，而到達該相同層中的其它通孔或互連。此通孔阻隔層可視需要地在給定的互連內之任何數目的位置中被選擇性地實施。用以形成該通孔阻隔層的技術亦被提供，包含第一方法，其使用犧牲鈍化層以促進形成該通孔阻隔層之絕緣體材料的選擇性沉積；第二方法，其使用可濕凹陷聚合物製劑的旋塗以促進形成該通孔阻隔層之絕緣體材料的選擇性沉積；以及第三方法，其使用奈米粒子製劑的旋塗以促進形成該通孔阻隔層之絕緣體材料的選擇性沉積。通常與共形沉積處理相關聯的有害蝕刻處理可被避免。
简体摘要：技术系揭示用以在给定的互连层内使选择之通孔绝缘或电性隔离，以致使导电路由可跨越该等选择隔离之通孔，而到达该相同层中的其它通孔或互连。此通孔阻隔层可视需要地在给定的互连内之任何数目的位置中被选择性地实施。用以形成该通孔阻隔层的技术亦被提供，包含第一方法，其使用牺牲钝化层以促进形成该通孔阻隔层之绝缘体材料的选择性沉积；第二方法，其使用可湿凹陷聚合物制剂的旋涂以促进形成该通孔阻隔层之绝缘体材料的选择性沉积；以及第三方法，其使用奈米粒子制剂的旋涂以促进形成该通孔阻隔层之绝缘体材料的选择性沉积。通常与共形沉积处理相关联的有害蚀刻处理可被避免。

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