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1. 发明专利

TW200625529A 接觸孔洞結構和接觸結構和其製造方法 CONTACT HOLE STRUCTURES AND CONTACT STRUCTURES AND FABRICATION MEHTODS THEREOF 审中-公开
简体标题：接触孔洞结构和接触结构和其制造方法 CONTACT HOLE STRUCTURES AND CONTACT STRUCTURES AND FABRICATION MEHTODS THEREOF
公开(公告)号：TW200625529A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW095100375
申请日：2006-01-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：徐祖望 HSU, JUWANG , 謝志宏 SHIEH, JYUHORNG , 蘇怡年 SU, YINIEN , 徐鵬富 HSU, PENGFU , 陶宏遠 TAO, HUNJAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/76835
摘要：一種接觸孔洞結構和接觸結構和其製造方法。製造方法係先形成實質上一無矽材質層於一基底上。一材質層形成於無矽材質層之上。一接觸孔洞形成在實質上無矽材質層及材質層之內而實質上不損傷基底。另外，導體層形成於接觸孔洞內而形成接觸結構。
简体摘要：一种接触孔洞结构和接触结构和其制造方法。制造方法系先形成实质上一无硅材质层于一基底上。一材质层形成于无硅材质层之上。一接触孔洞形成在实质上无硅材质层及材质层之内而实质上不损伤基底。另外，导体层形成于接触孔洞内而形成接触结构。

2. 发明专利

TWI305023B 在製程中測量低介電常數的薄膜性質 MEASURING LOW DIELECTRIC CONSTANT FILM PROPERTIES DURING PROCESSING 有权
简体标题：在制程中测量低介电常数的薄膜性质 MEASURING LOW DIELECTRIC CONSTANT FILM PROPERTIES DURING PROCESSING
公开(公告)号：TWI305023B
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW095108634
申请日：2006-03-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蔡嘉祥 TSAI, JANGSHIANG , 徐鵬富 HSU, PENGFU , 彭寶慶 PERNG, BAWCHING , 徐祖望 HSU, JUWANG , 謝志宏 SHIEH, JYUHORNG , 蘇怡年 SU, YINIEN , 陶宏遠 TAO, HUNJAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N21/211
摘要：一種決定製造基板上低介電常數薄膜的介電係數的方法與系統。此方法包含用橢圓儀測量介電常數的電子組成,用紅外光譜儀測量介電常數的離子組成,用微波光譜儀測量整體介電常數,以及推導出介電常數的偶極組成。此測量方法為非接觸式,並且裝置在測量後還可以繼續後續的製程。
简体摘要：一种决定制造基板上低介电常数薄膜的介电系数的方法与系统。此方法包含用椭圆仪测量介电常数的电子组成,用红外光谱仪测量介电常数的离子组成,用微波光谱仪测量整体介电常数,以及推导出介电常数的偶极组成。此测量方法为非接触式,并且设备在测量后还可以继续后续的制程。

3. 发明专利

TW200620556A 具有選擇形成及回填半導體基底區域以增加元件特性之互補式金氧半導體 CMOS DEVICE WITH SELECTIVELY FORMED AND BACKFILLED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AREAS TO IMPROVE DEVICE PERFORMANCE 审中-公开
简体标题：具有选择形成及回填半导体基底区域以增加组件特性之互补式金属氧化物半导体 CMOS DEVICE WITH SELECTIVELY FORMED AND BACKFILLED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AREAS TO IMPROVE DEVICE PERFORMANCE
公开(公告)号：TW200620556A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094115798
申请日：2005-05-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃怡君 HUANG, YICHUN , 陶宏遠 TAO, HUNJAN , 林俊杰 LIN, CHUNCHIEH , 柯誌欣 KO, CHIHHSIH
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/165 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7848
摘要：一種N型及P型金氧半導體元件對，具有選擇性的應力大小及態樣形成於分別的通道區域上和其製造方法。形成之方法包括先提供一基底；形成隔離區域以分隔包括N型金氧半導體元件區域及P型金氧半導體元件區域之主動區域；微影圖案化半導體基底以及在半導體基底上N型金氧半導體元件區域及P型金氧半導體元件區域分別以蝕刻形成預定深度的凹陷；以至少一半導體合金回填凹陷；以及在N型金氧半導體元件區域及P型金氧半導體元件區域分別形成閘極結構和側壁間隙壁。
简体摘要：一种N型及P型金属氧化物半导体组件对，具有选择性的应力大小及态样形成于分别的信道区域上和其制造方法。形成之方法包括先提供一基底；形成隔离区域以分隔包括N型金属氧化物半导体组件区域及P型金属氧化物半导体组件区域之主动区域；微影图案化半导体基底以及在半导体基底上N型金属氧化物半导体组件区域及P型金属氧化物半导体组件区域分别以蚀刻形成预定深度的凹陷；以至少一半导体合金回填凹陷；以及在N型金属氧化物半导体组件区域及P型金属氧化物半导体组件区域分别形成闸极结构和侧壁间隙壁。

4. 发明专利

TWI303468B 接觸孔洞結構製造方法 FABRICATION METHODS FOR CONTACT HOLE STRUCTURES 有权
简体标题：接触孔洞结构制造方法 FABRICATION METHODS FOR CONTACT HOLE STRUCTURES
公开(公告)号：TWI303468B
公开(公告)日：2008-11-21
申请号：TW095100375
申请日：2006-01-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：徐祖望 HSU, JUWANG , 謝志宏 SHIEH, JYUHORNG , 蘇怡年 SU, YINIEN , 徐鵬富 HSU, PENGFU , 陶宏遠 TAO, HUNJAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/76835
摘要：一種接觸孔洞結構和接觸結構和其製造方法。製造方法
係先形成實質上一無矽材質層於一基底上。一材質層形成於
無矽材質層之上。一接觸孔洞形成在實質上無矽材質層及材
質層之內而實質上不損傷基底。另外,導體層形成於接觸孔
洞內而形成接觸結構。
简体摘要：一种接触孔洞结构和接触结构和其制造方法。制造方法系先形成实质上一无硅材质层于一基底上。一材质层形成于无硅材质层之上。一接触孔洞形成在实质上无硅材质层及材质层之内而实质上不损伤基底。另外,导体层形成于接触孔洞内而形成接触结构。

5. 发明专利

TW200634971A 在製程中測量低介電常數的薄膜性質 MEASURING LOW DIELECTRIC CONSTANT FILM PROPERTIES DURING PROCESSING 审中-公开
简体标题：在制程中测量低介电常数的薄膜性质 MEASURING LOW DIELECTRIC CONSTANT FILM PROPERTIES DURING PROCESSING
公开(公告)号：TW200634971A
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW095108634
申请日：2006-03-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蔡嘉祥 TSAI, JANGSHIANG , 徐鵬富 HSU, PENGFU , 彭寶慶 PERNG, BAWCHING , 徐祖望 HSU, JUWANG , 謝志宏 SHIEH, JYUHORNG , 蘇怡年 SU, YINIEN , 陶宏遠 TAO, HUNJAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N21/211
摘要：一種決定製造基板上低介電常數薄膜的介電係數的方法與系統。此方法包含用橢圓儀測量介電常數的電子組成，用紅外光譜儀測量介電常數的離子組成，用微波光譜儀測量整體介電常數，以及推導出介電常數的偶極組成。此測量方法為非接觸式，並且裝置在測量後還可以繼續後續的製程。
简体摘要：一种决定制造基板上低介电常数薄膜的介电系数的方法与系统。此方法包含用椭圆仪测量介电常数的电子组成，用红外光谱仪测量介电常数的离子组成，用微波光谱仪测量整体介电常数，以及推导出介电常数的偶极组成。此测量方法为非接触式，并且设备在测量后还可以继续后续的制程。

6. 发明专利

TW200608505A 關鍵尺寸之臨場(In-Situ)量測方法與系統 IN-SITU CRITICAL DIMENSION MEASURNMENT 审中-公开
简体标题：关键尺寸之临场(In-Situ)量测方法与系统 IN-SITU CRITICAL DIMENSION MEASURNMENT
公开(公告)号：TW200608505A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW094113130
申请日：2005-04-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王祥保 WANG, SHIANGBAU , 邱遠鴻 CHIU, YUANHUNG , 陶宏遠 TAO, HUNJAN , 蔡肇宗 TSAI, CHAOTZUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/20
摘要：一種積體電路中之結構元件關鍵尺寸(Critical Dimension；CD)的監測方法與系統，此方法至少包含下列步驟：收集在進行蝕刻一或多層步驟來形成結構元件時所產生之光學干擾終點訊號；以及依據此光學干擾終點訊號，來決定結構元件之關鍵尺寸。
简体摘要：一种集成电路中之结构组件关键尺寸(Critical Dimension；CD)的监测方法与系统，此方法至少包含下列步骤：收集在进行蚀刻一或多层步骤来形成结构组件时所产生之光学干扰终点信号；以及依据此光学干扰终点信号，来决定结构组件之关键尺寸。

7. 发明专利

TW200627512A 含有介層窗與淺溝渠之結構以及其製造方法 STRUCTURE WITH VIA HOLE AND TRENCH AND THE FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：含有介层窗与浅沟渠之结构以及其制造方法 STRUCTURE WITH VIA HOLE AND TRENCH AND THE FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200627512A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW094135265
申请日：2005-10-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃益成 HUANG, YICHEN , 傅健忠 FU, CHIENCHUNG , 謝明宏 HSIEH, MING HONG , 歐陽暉 OUYANG, HUI , 蘇怡年 SU, YINIEN , 陶宏遠 TAO, HUNJAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76865 , H01L21/76808 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76862
摘要：揭露一種含有介層窗與淺溝渠的結構，以及其製造方法。此一結構至少包括第一導電層、介電層、介層窗、導電襯墊以及溝渠。其中，第一導電層位於介電層之中。介層窗位於介電層之中，用來將第一導電層之一部份表面暴露出來。導電襯墊覆蓋於第一導電層所暴露出來的表面上。溝渠位於介層窗上方之介電層內部沒有導電襯墊層的部分。同時揭露一種雙層鑲嵌結構以及其製造方法，在形成介層窗與溝渠結構之後，在介層窗與溝渠結構之中形成第二導電層。
简体摘要：揭露一种含有介层窗与浅沟渠的结构，以及其制造方法。此一结构至少包括第一导电层、介电层、介层窗、导电衬垫以及沟渠。其中，第一导电层位于介电层之中。介层窗位于介电层之中，用来将第一导电层之一部份表面暴露出来。导电衬垫覆盖于第一导电层所暴露出来的表面上。沟渠位于介层窗上方之介电层内部没有导电衬垫层的部分。同时揭露一种双层镶嵌结构以及其制造方法，在形成介层窗与沟渠结构之后，在介层窗与沟渠结构之中形成第二导电层。

8. 发明专利

TWI256699B 特徵尺寸與輪廓之結構及其量測方法 METHODS AND STRUCTURES FOR CRITICAL DIMENSION AND PROFILE MEASUREMENT 有权
简体标题：特征尺寸与轮廓之结构及其量测方法 METHODS AND STRUCTURES FOR CRITICAL DIMENSION AND PROFILE MEASUREMENT
公开(公告)号：TWI256699B
公开(公告)日：2006-06-11
申请号：TW094100553
申请日：2005-01-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：謝志宏 SHIEH, JYUHORNG , 邱文智 CHIOU, WENCHIH , 徐鵬富 HSU, PENGFU , 彭寶慶 PERNG, BAWCHING , 陶宏遠 TAO, HUNJAN , 陳嘉仁 CHEN, CHIAJEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/34
摘要：本發明提供一種特徵尺寸與輪廓之結構及其量測方法，主要包含下列步驟：提供設有重複性開口之基材，並且於開口中形成材質層，以使該基材的表面平坦化。最後對設有材質層之基材施加散射法，以量測特徵尺寸與輪廓。
简体摘要：本发明提供一种特征尺寸与轮廓之结构及其量测方法，主要包含下列步骤：提供设有重复性开口之基材，并且于开口中形成材质层，以使该基材的表面平坦化。最后对设有材质层之基材施加散射法，以量测特征尺寸与轮廓。

9. 发明专利

TW200608488A 光阻剝除製程 LOW OXYGEN CONTENT PHOTORESIST STRIPPING PROCESS FOR LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIALS 审中-公开
简体标题：光阻剥除制程 LOW OXYGEN CONTENT PHOTORESIST STRIPPING PROCESS FOR LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIALS
公开(公告)号：TW200608488A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW093136665
申请日：2004-11-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：謝志宏 SHIEH, JYUHORNG , 蘇怡年 SU, YINIEN , 蔡嘉祥 TSAI, JANGSHIANG , 葉震南 YEH, CHENNAN , 陶宏遠 TAO, HUNJAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31138 , G03F7/427
摘要：一種光阻剝除製程，係使用低氧含量電漿剝除光阻。此電漿含有5-10%氧氣及90-95%鈍氣，以剝除在半導體元件中或其上的低介電常數材質上方的光阻。此鈍氣為氮氣、氫氣或其混合物，或至少含有氮氣、氫氣、氨氣、氬氣、氦氣和四氟化碳其中之一。而電漿的操作壓力範圍在1mTorr至150mTorr之間。此電漿有效移除光阻，並移除蝕刻製程中形成的硬皮層及聚合性沉積物。電漿更可快速的剝除光阻，以使用於生產製程中，並且不會明顯地攻擊含碳的低介電常數材料。一種具有一電漿工具之裝置也同時被揭露，此電漿工具包含一半導體基材與低氧含量的電漿。
简体摘要：一种光阻剥除制程，系使用低氧含量等离子剥除光阻。此等离子含有5-10%氧气及90-95%钝气，以剥除在半导体组件中或其上的低介电常数材质上方的光阻。此钝气为氮气、氢气或其混合物，或至少含有氮气、氢气、氨气、氩气、氦气和四氟化碳其中之一。而等离子的操作压力范围在1mTorr至150mTorr之间。此等离子有效移除光阻，并移除蚀刻制程中形成的硬皮层及聚合性沉积物。等离子更可快速的剥除光阻，以使用于生产制程中，并且不会明显地攻击含碳的低介电常数材料。一种具有一等离子工具之设备也同时被揭露，此等离子工具包含一半导体基材与低氧含量的等离子。

10. 发明专利

TW200540980A 晶圓清洗方法 WAFER CLEAN PROCESS 审中-公开
简体标题：晶圆清洗方法 WAFER CLEAN PROCESS
公开(公告)号：TW200540980A
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：TW094101236
申请日：2005-01-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：彭寶慶 PERNG, BAWCHING , 陶宏遠 TAO, HUNJAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02063 , B08B3/02 , B08B3/04 , H01L21/67051
摘要：一種半導體晶圓的清洗方法。此清洗方法可減少或消除清洗製程中，因晶圓旋轉使晶圓與清洗水或其他液體間的摩擦所導致之電荷累積損害。在一實施例中，晶圓放置在清洗反應室內的晶圓固定盤或支撐平台上。一離子氣體在清洗液加到晶圓上時被導入清洗反應室中。此氣體可藉由在液體中形成離子，以增加清洗液的導電性，因此可減少或消除清洗液之電荷累積，更避免介電材質的破壞，及／或晶圓上的金屬腐蝕。在另一實施例中，把氣體溶解在清洗液中，再把清洗液加到旋轉的晶圓上。在又一實施例中，清洗液被加熱後加至晶圓上。
简体摘要：一种半导体晶圆的清洗方法。此清洗方法可减少或消除清洗制程中，因晶圆旋转使晶圆与清洗水或其他液体间的摩擦所导致之电荷累积损害。在一实施例中，晶圆放置在清洗反应室内的晶圆固定盘或支撑平台上。一离子气体在清洗液加到晶圆上时被导入清洗反应室中。此气体可借由在液体中形成离子，以增加清洗液的导电性，因此可减少或消除清洗液之电荷累积，更避免介电材质的破坏，及／或晶圆上的金属腐蚀。在另一实施例中，把气体溶解在清洗液中，再把清洗液加到旋转的晶圆上。在又一实施例中，清洗液被加热后加至晶圆上。

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