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1. 发明专利

TWI630034B 半導體基板的清潔方法與半導體裝置的製作方法有权
简体标题：半导体基板的清洁方法与半导体设备的制作方法
公开(公告)号：TWI630034B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW103136768
申请日：2014-10-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：葉明熙 , YEH, MING HSI , 吳松勳 , WU, SUNG HSUN , 陳昭成 , CHEN, CHAO CHENG , 章勳明 , JANG, SYUN MING , 周柏瑋 , CHOU, BO WEI
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/67

2. 发明专利

TW201019419A 製造半導體裝置的方法 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：制造半导体设备的方法 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201019419A
公开(公告)日：2010-05-16
申请号：TW098138594
申请日：2009-11-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李達元 , 陳建豪 , 陳啟群 , 葉明熙 , 李幸叡
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823814 , H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L29/7848
摘要：本發明提供一種製造半導體裝置的方法，包括：提供一具有第一區域與第二區域的半導體基底；於該第一區域上形成一第一閘極結構，並於該第二區域上形成一第二閘極結構，該第一閘極結構包括一第一虛置介電質與第一虛置閘極，該第二閘極結構包括一第二虛置介電質與第二虛置閘極；從該第一閘極結構移除該第一虛置閘極與第一虛置介電質，藉此形成一第一溝槽，並從該第二閘極結構移除該第二虛置閘極與第二虛置介電質，藉此形成一第二溝槽；形成一閘極層以填充部分該第一與第二溝槽，該閘極層包括一高介電常數介電層；形成一材料層以填充剩餘的該第一與第二溝槽；移除部分該材料層，使該材料層的剩餘部分保護該閘極層分別位於該第一與第二溝槽底部的一第一部分；移除該閘極層的一第二部分；分別從該第一與第二溝槽移除該材料層的剩餘部分；以及在該第一溝槽中形成一第一金屬閘極，並在該第二溝槽中形成一第二金屬閘極。
简体摘要：本发明提供一种制造半导体设备的方法，包括：提供一具有第一区域与第二区域的半导体基底；于该第一区域上形成一第一闸极结构，并于该第二区域上形成一第二闸极结构，该第一闸极结构包括一第一虚置介电质与第一虚置闸极，该第二闸极结构包括一第二虚置介电质与第二虚置闸极；从该第一闸极结构移除该第一虚置闸极与第一虚置介电质，借此形成一第一沟槽，并从该第二闸极结构移除该第二虚置闸极与第二虚置介电质，借此形成一第二沟槽；形成一闸极层以填充部分该第一与第二沟槽，该闸极层包括一高介电常数介电层；形成一材料层以填充剩余的该第一与第二沟槽；移除部分该材料层，使该材料层的剩余部分保护该闸极层分别位于该第一与第二沟槽底部的一第一部分；移除该闸极层的一第二部分；分别从该第一与第二沟槽移除该材料层的剩余部分；以及在该第一沟槽中形成一第一金属闸极，并在该第二沟槽中形成一第二金属闸极。

3. 发明专利

TWI696220B 半導體裝置的形成方法有权
简体标题：半导体设备的形成方法
公开(公告)号：TWI696220B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW107134392
申请日：2018-09-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃銘淇 , HUANG, MING CHI , 莊英良 , CHUANG, YING LIANG , 葉明熙 , YEH, MING HSI , 黃國彬 , HUANG, KUO BIN
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/8238

4. 发明专利

TW201351505A 半導體積體電路的製造方法审中-公开
简体标题：半导体集成电路的制造方法
公开(公告)号：TW201351505A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102118580
申请日：2013-05-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：于偉波 , YU, WEIBO , 葉明熙 , YEH, MING HSI , 彭治棠 , PENG, CHIH TANG , 連浩明 , LIEN, HAO MING , 陳昭成 , CHEN, CHAO CHENG , 章勳明 , JANG, SYUN MING
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L29/66795
摘要：本發明揭露一種半導體積體電路的製造方法。此方法包含接收一裝置。該裝置包括一半導體基底、多個鰭片和多個溝槽，位於鰭片和半導體基底之間。上述方法也包含以介電材料填充溝槽以形成淺溝槽隔離(STI)，以及對介電材料進行低熱預算退火和濕處理。
简体摘要：本发明揭露一种半导体集成电路的制造方法。此方法包含接收一设备。该设备包括一半导体基底、多个鳍片和多个沟槽，位于鳍片和半导体基底之间。上述方法也包含以介电材料填充沟槽以形成浅沟槽隔离(STI)，以及对介电材料进行低热预算退火和湿处理。

5. 发明专利

TW201113936A 閘極結構之製造方法 METHOD FOR FABRICATING A GATE STRUCTURE 审中-公开
简体标题：闸极结构之制造方法 METHOD FOR FABRICATING A GATE STRUCTURE
公开(公告)号：TW201113936A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW099133479
申请日：2010-10-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：葉明熙 , 黃益成 , 徐帆毅 , 歐陽暉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/2822 , H01L29/51 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要：一種閘極結構之製造方法,包括:於一基板上依序沈積與圖案化一假氧化物層與一假閘極電極層;使一含氮介電層與一層間介電層環繞該假氧化物層與該假閘極電極層;移除該假閘極電極層;於一第一溫度下,暴露該假氧化物層之一表面於含氨氣與含氟化合物之一氣態混合物中,以移除該假氧化物層;加熱該基板至高於該第一溫度之一第二溫度,以於該含氮介電層內形成一開口;沈積一閘極介電物;以及沈積一閘極電極。
简体摘要：一种闸极结构之制造方法,包括:于一基板上依序沉积与图案化一假氧化物层与一假闸极电极层;使一含氮介电层与一层间介电层环绕该假氧化物层与该假闸极电极层;移除该假闸极电极层;于一第一温度下,暴露该假氧化物层之一表面于含氨气与含氟化合物之一气态混合物中,以移除该假氧化物层;加热该基板至高于该第一温度之一第二温度,以于该含氮介电层内形成一开口;沉积一闸极介电物;以及沉积一闸极电极。

6. 发明专利

TWI392030B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI392030B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW098131017
申请日：2009-09-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：葉明熙 , YEH, MATT , 蔡方文 , TSAI, FANG WEN , 陳啟群 , CHEN, CHI CHUN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/32139 , H01L29/517 , H01L29/66545

7. 发明专利

TW201017776A 半導體裝置的製造方法 METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法 METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201017776A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098131017
申请日：2009-09-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：葉明熙 , 蔡方文 , 陳啟群
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/32139 , H01L29/517 , H01L29/66545
摘要：本發明提供一種半導體裝置的製造方法，包括：提供一半導體基底，其具有第一閘極堆疊於第一區、第二閘極堆疊於第二區，其各自包含一虛置閘極；從第一閘極堆疊與第二閘極堆疊中去除虛置閘極，以形成一溝槽；形成一金屬層填入部分溝槽；形成一氧化層於金屬層上，且填滿溝槽之其餘部分；對氧化層進行第一處理；形成一圖案化光阻層於第一區上之氧化層；對第二區上之氧化層進行第二處理；蝕刻第二區上之氧化層；蝕刻第二區上之金屬層；去除圖案化光阻層；以及，去除第一區上之氧化層。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备的制造方法，包括：提供一半导体基底，其具有第一闸极堆栈于第一区、第二闸极堆栈于第二区，其各自包含一虚置闸极；从第一闸极堆栈与第二闸极堆栈中去除虚置闸极，以形成一沟槽；形成一金属层填入部分沟槽；形成一氧化层于金属层上，且填满沟槽之其余部分；对氧化层进行第一处理；形成一图案化光阻层于第一区上之氧化层；对第二区上之氧化层进行第二处理；蚀刻第二区上之氧化层；蚀刻第二区上之金属层；去除图案化光阻层；以及，去除第一区上之氧化层。

8. 发明专利

TW201830489A 半導體裝置的形成方法审中-公开
简体标题：半导体设备的形成方法
公开(公告)号：TW201830489A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106117013
申请日：2017-05-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：劉季康 , LIU, CHI KANG , 吳松勳 , WU, SUNG HSUN , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 葉明熙 , YEH, MING HSI , 林煥哲 , LIN, HUAN JUST
IPC分类号： H01L21/28
摘要：為了圖案化閘極，先沉積芯材並圖案化芯材。在一實施例中，上述圖案化芯材的方法為進行第一蝕刻製程以得到粗略的目標，接著進行蝕刻參數不同的第二蝕刻製程以得到精確的目標。芯之後可用於形成間隔物，且間隔物接著可作為圖案化閘極的遮罩。
简体摘要：为了图案化闸极，先沉积芯材并图案化芯材。在一实施例中，上述图案化芯材的方法为进行第一蚀刻制程以得到粗略的目标，接着进行蚀刻参数不同的第二蚀刻制程以得到精确的目标。芯之后可用于形成间隔物，且间隔物接着可作为图案化闸极的遮罩。

9. 发明专利

TW201611914A 半導體基板的清潔方法與半導體裝置的製作方法审中-公开
简体标题：半导体基板的清洁方法与半导体设备的制作方法
公开(公告)号：TW201611914A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103136768
申请日：2014-10-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：葉明熙 , YEH, MING HSI , 吳松勳 , WU, SUNG HSUN , 陳昭成 , CHEN, CHAO CHENG , 章勳明 , JANG, SYUN MING , 周柏瑋 , CHOU, BO WEI
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/67
摘要：本發明揭露清潔基板(如用於製作IC之半導體基板)的方法，包括以酸與鹼中的一者及臭氧之第一混合物清潔半導體基板，接著以酸與鹼中的另一者及臭氧之第二混合物清潔半導體基板。上述清潔混合物可更包含去離子水。在一實施例中，混合物係噴灑至加熱的基板表面上。酸可為氫氟酸，而鹼可為氫氧化銨。
简体摘要：本发明揭露清洁基板(如用于制作IC之半导体基板)的方法，包括以酸与碱中的一者及臭氧之第一混合物清洁半导体基板，接着以酸与碱中的另一者及臭氧之第二混合物清洁半导体基板。上述清洁混合物可更包含去离子水。在一实施例中，混合物系喷洒至加热的基板表面上。酸可为氢氟酸，而碱可为氢氧化铵。

10. 发明专利

TWI493628B 半導體積體電路的製造方法有权
简体标题：半导体集成电路的制造方法
公开(公告)号：TWI493628B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW102118580
申请日：2013-05-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：于偉波 , YU, WEIBO , 葉明熙 , YEH, MING HSI , 彭治棠 , PENG, CHIH TANG , 連浩明 , LIEN, HAO MING , 陳昭成 , CHEN, CHAO CHENG , 章勳明 , JANG, SYUN MING
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L29/66795

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