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1. 发明专利

TW201523685A 離子植入裝置审中-公开
简体标题：离子植入设备
公开(公告)号：TW201523685A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103140643
申请日：2014-11-24
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/21 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/1415 , H01J2237/303 , H01J2237/30477
摘要：本發明提供一種能夠廣泛使用之離子植入裝置及離子植入方法。該離子植入裝置的多段四極透鏡(900)具備第1四極透鏡(904)及第3四極透鏡(908)。第1四極透鏡(904)的第1孔半徑(R1)亦可小於第3四極透鏡(908)的第3孔半徑(R3)。多段四極透鏡(900)亦可在第1四極透鏡(904)與第3四極透鏡(908)之間具備第2四極透鏡(906)。第2四極透鏡(906)的第2孔半徑(R2)亦可在第1四極透鏡(904)的第1孔半徑(R1)與第3四極透鏡(908)的第3孔半徑(R3)之間。
简体摘要：本发明提供一种能够广泛使用之离子植入设备及离子植入方法。该离子植入设备的多段四极透镜(900)具备第1四极透镜(904)及第3四极透镜(908)。第1四极透镜(904)的第1孔半径(R1)亦可小于第3四极透镜(908)的第3孔半径(R3)。多段四极透镜(900)亦可在第1四极透镜(904)与第3四极透镜(908)之间具备第2四极透镜(906)。第2四极透镜(906)的第2孔半径(R2)亦可在第1四极透镜(904)的第1孔半径(R1)与第3四极透镜(908)的第3孔半径(R3)之间。

2. 发明专利

TW201419368A 離子植入裝置、射束平行化裝置及離子植入方法审中-公开
简体标题：离子植入设备、射束平行化设备及离子植入方法
公开(公告)号：TW201419368A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102140279
申请日：2013-11-06
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI , 椛澤光昭 , KABASAWA, MITSUAKI , 佐佐木玄 , SASAKI, HARUKA
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/04
摘要：本發明提供一種能夠廣泛使用之離子植入裝置、射束平行化裝置及離子植入方法。本發明的離子植入裝置(700)具備射束平行化部(704)及第3電源部(726)，其中，射束平行化部(704)具備加速透鏡(706)及沿離子束輸送方向與加速透鏡(706)相鄰配置之減速透鏡(708)，第3電源部(726)在複數個能量設定中的任一設定下使射束平行化部(704)動作。複數個能量設定包括適合低能量離子束的輸送之第1能量設定及適合高能量離子束的輸送之第2能量設定。第3電源部(726)以在第2能量設定下至少在加速透鏡(706)上產生電位差，在第1能量設定下至少在減速透鏡(708)上產生電位差之方式構成。減速透鏡(708)的彎曲比加速透鏡(706)的彎曲更平緩。
简体摘要：本发明提供一种能够广泛使用之离子植入设备、射束平行化设备及离子植入方法。本发明的离子植入设备(700)具备射束平行化部(704)及第3电源部(726)，其中，射束平行化部(704)具备加速透镜(706)及沿离子束输送方向与加速透镜(706)相邻配置之减速透镜(708)，第3电源部(726)在复数个能量设置中的任一设置下使射束平行化部(704)动作。复数个能量设置包括适合低能量离子束的输送之第1能量设置及适合高能量离子束的输送之第2能量设置。第3电源部(726)以在第2能量设置下至少在加速透镜(706)上产生电位差，在第1能量设置下至少在减速透镜(708)上产生电位差之方式构成。减速透镜(708)的弯曲比加速透镜(706)的弯曲更平缓。

3. 发明专利

TW201401329A 離子植入裝置及其控制方法审中-公开
简体标题：离子植入设备及其控制方法
公开(公告)号：TW201401329A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102110715
申请日：2013-03-26
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：狩谷宏行 , KARIYA, HIROYUKI , 石川雅基 , ISHIKAWA, MASAKI , 院田佳昭 , INDA, YOSHIAKI , 黑瀬猛 , KUROSE, TAKESHI , 八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI , 弓山敏男 , YUMIYAMA, TOSHIO
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J37/304 , H01J2237/24521 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01L21/265 , H01L21/67213
摘要：本發明提供一種離子植入裝置及其控制方法。藉由複數個固定式射束測定器以及移動式或固定式射束測定裝置測定離子束的垂直方向剖面、水平方向剖面及積分電流值。控制裝置在離子植入前的射束電流調整階段，依據前述固定式射束測定器以及移動式或固定式射束測定裝置的測量值，同時執行射束電流對該射束電流的預設值的調整、為了固定離子束的水平方向離子束密度的均勻性而所需之水平方向射束尺寸的調整以及為了固定垂直方向離子植入分佈的均勻性而所需之垂直方向射束尺寸的調整中的至少一方。
简体摘要：本发明提供一种离子植入设备及其控制方法。借由复数个固定式射束测定器以及移动式或固定式射束测定设备测定离子束的垂直方向剖面、水平方向剖面及积分电流值。控制设备在离子植入前的射束电流调整阶段，依据前述固定式射束测定器以及移动式或固定式射束测定设备的测量值，同时运行射束电流对该射束电流的默认值的调整、为了固定离子束的水平方向离子束密度的均匀性而所需之水平方向射束尺寸的调整以及为了固定垂直方向离子植入分布的均匀性而所需之垂直方向射束尺寸的调整中的至少一方。

4. 发明专利

TW201537608A 離子植入裝置、最終能量過濾器以及離子植入方法审中-公开
简体标题：离子植入设备、最终能量过滤器以及离子植入方法
公开(公告)号：TW201537608A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104106051
申请日：2015-02-25
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/147 , H01J37/05 , H01J37/3007 , H01J37/3171 , H01J2237/057
摘要：本發明提供一種能夠廣泛使用之離子植入裝置及離子植入方法。本發明的最終能量過濾器(400)具備入口側單透鏡(304)、中間電極部(401)及出口側單透鏡(308)。最終能量過濾器(400)具備FEF電源部(414)，該FEF電源部構成為分別單獨向入口側單透鏡(304)、中間電極部(401)及出口側單透鏡(308)施加電壓。FEF電源部(414)分別向上游輔助電極部(402)、偏向電極部(306)及下游輔助電極部(404)施加電壓，以使上游輔助電極部(402)與偏向電極部(306)之間的第1區域中之離子束的能量範圍和偏向電極部(306)與下游輔助電極部(404)之間的第2區域中之離子束的能量範圍成為相同程度。
简体摘要：本发明提供一种能够广泛使用之离子植入设备及离子植入方法。本发明的最终能量过滤器(400)具备入口侧单透镜(304)、中间电极部(401)及出口侧单透镜(308)。最终能量过滤器(400)具备FEF电源部(414)，该FEF电源部构成为分别单独向入口侧单透镜(304)、中间电极部(401)及出口侧单透镜(308)施加电压。FEF电源部(414)分别向上游辅助电极部(402)、偏向电极部(306)及下游辅助电极部(404)施加电压，以使上游辅助电极部(402)与偏向电极部(306)之间的第1区域中之离子束的能量范围和偏向电极部(306)与下游辅助电极部(404)之间的第2区域中之离子束的能量范围成为相同程度。

5. 发明专利

TWI452611B 射束處理系統及射束處理方法有权
简体标题：射束处理系统及射束处理方法
公开(公告)号：TWI452611B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW096119592
申请日：2007-05-31
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI , 泉谷壽樹 , IZUTANI, HISAKI , 月原光國 , TSUKIHARA, MITSUKUNI , 黑田隆之 , KURODA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/26 , G02B26/10
CPC分类号： H01J37/20 , H01J2237/201 , H01J2237/20214 , H01J2237/20228 , H01J2237/31701 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10S359/90

6. 发明专利

TWI450305B 離子植入設備以及其所使用之聚集／成形離子束之方法有权
简体标题：离子植入设备以及其所使用之聚集／成形离子束之方法
公开(公告)号：TWI450305B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW097113027
申请日：2008-04-10
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：月原光國 , TSUKIHARA, MITSUKUNI , 八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI , 天野吉隆 , AMANO, YOSHITAKA , 椛澤光昭 , KABASAWA, MITSUAKI
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/04 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/304 , H01J2237/30477

7. 发明专利

TW201419367A 離子植入裝置及離子植入方法审中-公开
简体标题：离子植入设备及离子植入方法
公开(公告)号：TW201419367A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102140278
申请日：2013-11-06
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：真鍋和久 , MANABE, KAZUHISA , 八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI
IPC分类号： H01J37/317
摘要：本發明提供一種能夠廣泛使用之離子植入裝置及離子植入方法。本發明的離子植入裝置(400)具備高電壓部(312)及在複數個能量設定中的任一設定下對高電壓部(312)施加電位之高電壓電源系統(314)，其中，高電壓部(312)具備向被處理物(W)植入離子之植入處理室(306)、生成離子之離子源部(302)、及設置於離子源部(302)與植入處理室(306)之間之射束輸送部(304)。高電壓電源系統(314)具備用於使流入被處理物(W)之射束電流返回到離子源部(302)之複數個電流路徑，使複數個能量設定分別與複數個電流路徑中的任一個電流路徑對應。
简体摘要：本发明提供一种能够广泛使用之离子植入设备及离子植入方法。本发明的离子植入设备(400)具备高电压部(312)及在复数个能量设置中的任一设置下对高电压部(312)施加电位之高电压电源系统(314)，其中，高电压部(312)具备向被处理物(W)植入离子之植入处理室(306)、生成离子之离子源部(302)、及设置于离子源部(302)与植入处理室(306)之间之射束输送部(304)。高电压电源系统(314)具备用于使流入被处理物(W)之射束电流返回到离子源部(302)之复数个电流路径，使复数个能量设置分别与复数个电流路径中的任一个电流路径对应。

8. 发明专利

TWI460760B 離子植入設備及離子植入方法有权
简体标题：离子植入设备及离子植入方法
公开(公告)号：TWI460760B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW097113024
申请日：2008-04-10
申请人：斯伊恩斯綺艾亞舍立股份有限公司 , SEN CORPORATION, AN SHI AND AXCELIS COMPANY
发明人：月原光國 , TSUKIHARA, MITSUKUNI , 八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI , 曾我部博 , SOGABE, HIROSHI , 弓山敏男 , YUMIYAMA, TOSHIO , 椛澤光昭 , KABASAWA, MITSUAKI
IPC分类号： H01J37/00 , B01D59/44 , G21K5/10
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/045 , H01J37/304 , H01J2237/0213 , H01J2237/151 , H01J2237/30455 , H01J2237/31703

9. 发明专利

TWI466157B 射束處理裝置有权
简体标题：射束处理设备
公开(公告)号：TWI466157B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW097114344
申请日：2008-04-18
申请人：斯伊恩斯綺艾亞舍立股份有限公司 , SEN CORPORATION, AN SHI AND AXCELIS COMPANY
发明人：月原光國 , TSUKIHARA, MITSUKUNI , 椛澤光昭 , KABASAWA, MITSUAKI , 松下浩 , MATSUSHITA, HIROSHI , 八木田貴典 , YAGITA, TAKANORI , 天野吉隆 , AMANO, YOSHITAKA , 藤井嘉人 , FUJII, YOSHITO
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1477 , H01J2237/0042 , H01J2237/028

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