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1. 发明专利

TW201301331A 用於處理靶材表面的帶電荷粒子系統审中-公开
简体标题：用于处理靶材表面的带电荷粒子系统
公开(公告)号：TW201301331A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101115109
申请日：2012-04-27
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：凡登布朗艾爾瑞克 , VAN DEN BROM, ALRIK , 史丁柏齡克史丁威稜賀曼卡羅 , STEENBRINK, STIJN WILLEM HERMAN KAREL , 威蘭德瑪寇傑加寇 , WIELAND, MARCO JAN-JACO , 迪包爾古伊杜 , DE BOER, GUIDO , 卡派爾霍夫彼得 , KAPPELHOF, PIETER
IPC分类号： H01J37/20
CPC分类号： H01J37/20 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/708 , G03F7/70825 , G03F7/70975 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/024 , H01J2237/03 , H01J2237/0437 , H01J2237/1502 , H01J2237/153
摘要：本發明關於一種用於以至少一個帶電荷粒子束來處理靶材表面的帶電荷粒子系統。該系統包含光學柱，其具有用於產生複數個帶電荷粒子束的束產生器模組、用於將該複數個束接通及切斷的束調變器模組以及用於將束或子束投射在該靶材表面上的束投射器模組。該系統更包含將該等模組中的各者支撐在固定位置的框架以及用於將束及/或子束中的至少一者與下游模組元件對準的對準元件。
简体摘要：本发明关于一种用于以至少一个带电荷粒子束来处理靶材表面的带电荷粒子系统。该系统包含光学柱，其具有用于产生复数个带电荷粒子束的束产生器模块、用于将该复数个束接通及切断的束调制器模块以及用于将束或子束投射在该靶材表面上的束投射器模块。该系统更包含将该等模块中的各者支撑在固定位置的框架以及用于将束及/或子束中的至少一者与下游模块组件对准的对准组件。

2. 发明专利

TW201127219A 電漿處理裝置及電漿處理裝置用的電極审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理设备用的电极
公开(公告)号：TW201127219A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099106453
申请日：2010-03-05
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：檜森慎司
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32577 , H01J37/3255 , H01J2237/03
摘要：本發明課題是在於控制被消費於電漿生成之高頻的電場強度分布。其解決手段係提供一種使用於藉由高頻的能量來產生電漿而電漿處理晶圓(W)的電漿蝕刻裝置(10)之電極，具有：藉由金屬來形成的基材(105a)、及設於基材(105a)的電漿側的面的中央部，至少一部分會從基材(105a)露出的第1電介體(105b)、及設於第1電介體(105b)與電漿之間，藉由金屬來形成所定的圖案之第1電阻器(105d)。
简体摘要：本发明课题是在于控制被消费于等离子生成之高频的电场强度分布。其解决手段系提供一种使用于借由高频的能量来产生等离子而等离子处理晶圆(W)的等离子蚀刻设备(10)之电极，具有：借由金属来形成的基材(105a)、及设于基材(105a)的等离子侧的面的中央部，至少一部分会从基材(105a)露出的第1电介体(105b)、及设于第1电介体(105b)与等离子之间，借由金属来形成所定的图案之第1电阻器(105d)。

3. 发明专利

TW200824506A 使用多頻率射頻電力之混合射頻電容性及電感性耦合電漿源及其使用方法 HYBRID RF CAPACITIVELY AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE USING MULTIFREQUENCY RF POWERS AND METHODS OF USE THEREOF 审中-公开
简体标题：使用多频率射频电力之混合射频电容性及电感性耦合等离子源及其使用方法 HYBRID RF CAPACITIVELY AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE USING MULTIFREQUENCY RF POWERS AND METHODS OF USE THEREOF
公开(公告)号：TW200824506A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096126202
申请日：2007-07-18
申请人：藍姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：愛力克司瑪拉坦夫 MARAKHTANOV, ALEXEI , 拉金德汀沙 DHINDSA, RAJINDER , 艾瑞克修德森 HUDSON, ERIC , 安德瑞亞非區爾 FISCHER, ANDREAS
IPC分类号： H05H , C23F , C23C , H01L
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32091 , H01J2237/03
摘要：本發明揭示一種用於電感性限制一電漿處理設備內所形成之電容性耦合射頻電漿之裝置。該設備包括一上部電極與一下部電極,該下部電極係調適成用以支撐一基板並在該基板與該上部電極之間產生電漿。該裝置包括一同心圍繞該上部電極之介電支撐環與固定在該介電支撐環上的複數個線圈單元。各線圈單元包括一沿該介電支撐環之一半徑方向定位的鐵磁芯與纏繞於各鐵磁芯周圍的至少一線圈。該等線圈單元在從一射頻電源接收射頻電力時產生電場及磁場,其減小擴散離開電漿之電漿帶電粒子之數目。
简体摘要：本发明揭示一种用于电感性限制一等离子处理设备内所形成之电容性耦合射频等离子之设备。该设备包括一上部电极与一下部电极,该下部电极系调适成用以支撑一基板并在该基板与该上部电极之间产生等离子。该设备包括一同心围绕该上部电极之介电支撑环与固定在该介电支撑环上的复数个线圈单元。各线圈单元包括一沿该介电支撑环之一半径方向定位的铁磁芯与缠绕于各铁磁芯周围的至少一线圈。该等线圈单元在从一射频电源接收射频电力时产生电场及磁场,其减小扩散离开等离子之等离子带电粒子之数目。

5. 发明专利

TWI479530B 靜電透鏡結構、靜電透鏡陣列、帶電粒子的子束微影系統以及製造絕緣結構的方法有权
简体标题：静电透镜结构、静电透镜数组、带电粒子的子束微影系统以及制造绝缘结构的方法
公开(公告)号：TWI479530B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW098133357
申请日：2009-10-01
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：史提賓克史提恩威廉卡瑞爾赫曼 , STEENBRINK, STIJN WILLEM HERMAN KAREL , 寇尼約漢胡斯特 , KONING, JOHAN JOOST , 維爾特曼彼得 , VELTMAN, PETER
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/12
CPC分类号： H01J37/12 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/004 , H01J2237/0203 , H01J2237/03 , H01J2237/04924 , Y10T29/49

6. 发明专利

TW201227795A 使用浸潤式低電感ＲＦ線圈和多尖端磁鐵配置的感應耦合電漿流體槍 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA FLOOD GUN USING AN IMMERSED LOW INDUCTANCE RF COIL AND MULTICUSP MAGNETIC ARRANGEMENT 审中-公开
简体标题：使用浸润式低电感ＲＦ线圈和多尖端磁铁配置的感应耦合等离子流体枪 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA FLOOD GUN USING AN IMMERSED LOW INDUCTANCE RF COIL AND MULTICUSP MAGNETIC ARRANGEMENT
公开(公告)号：TW201227795A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100136747
申请日：2011-10-11
申请人：瓦里安半導體設備公司
发明人：庫魯尼西彼得F , 本夫尼斯特維克多M , 那莫佛斯奇奧利佛V
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J37/32688 , H01J2237/03
摘要：一種揭露用來提供感應耦合射頻之電漿流體槍的裝置。在一個特定的例示性實施例中,此裝置是在離子佈植系統中之電漿流體槍。電漿流體槍可包括具有一個或多個孔之電漿腔室、能夠供應至少一種氣體物質至電漿腔室之氣體源、設置於電漿腔室裡之單匝線圈、以及用來感應耦合射頻電功率以激發電漿腔室中至少一種氣體物質以產生電漿而耦合至線圈的電源。電漿腔室之內表面可以是不含金屬之材料,且電漿不可暴露於電漿腔室裡任何含金屬之組件。電漿腔室可包括多數個用來控制電漿之磁鐵。出口孔可提供於電漿腔室中以使得產出電漿之負電荷粒子能參與離子束,其中離子束為相關離子佈植系統的部份。在一個實施例中,磁鐵可以被設置在孔之相對側上,且被使用於操縱電漿之電子。
简体摘要：一种揭露用来提供感应耦合射频之等离子流体枪的设备。在一个特定的例示性实施例中,此设备是在离子布植系统中之等离子流体枪。等离子流体枪可包括具有一个或多个孔之等离子腔室、能够供应至少一种气体物质至等离子腔室之气体源、设置于等离子腔室里之单匝线圈、以及用来感应耦合射频电功率以激发等离子腔室中至少一种气体物质以产生等离子而耦合至线圈的电源。等离子腔室之内表面可以是不含金属之材料,且等离子不可暴露于等离子腔室里任何含金属之组件。等离子腔室可包括多数个用来控制等离子之磁铁。出口孔可提供于等离子腔室中以使得产出等离子之负电荷粒子能参与离子束,其中离子束为相关离子布植系统的部份。在一个实施例中,磁铁可以被设置在孔之相对侧上,且被使用于操纵等离子之电子。

7. 发明专利

TW201801121A 改良式離子源斥拒極罩审中-公开
简体标题：改良式离子源斥拒极罩
公开(公告)号：TW201801121A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106111613
申请日：2017-04-05
申请人：艾克塞利斯科技公司 , AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：卡爾文奈爾K , COLVIN, NEIL K. , 謝澤仁 , HSIEH, TSEH-JEN , 席爾斯坦保羅 , SILVERSTEIN, PAUL
IPC分类号： H01J27/08 , H01J9/32 , H01J37/08
CPC分类号： G21F1/06 , H01J9/32 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/03 , H01J2237/31701
摘要：一弧形腔室具有以可操作方式耦接至本體的一襯墊。該襯墊具有自一第一表面凹陷的一第二表面及具有一第一直徑的一孔。該襯墊具有自該第二表面向該第一表面朝上延伸的一襯墊邊緣，該襯墊邊緣環繞該孔且具有一第二直徑。一電極具有一軸件及頭部。該軸件具有小於該第一直徑的一第三直徑且穿過該本體及孔且藉由一環形間隙與該襯墊電隔離。該頭部具有一第四直徑及一第三表面，該第三表面具有自該第三表面向該第二表面朝下延伸的一電極邊緣。該電極邊緣具有在該第二直徑與該第四直徑之間的一第五直徑。該襯墊邊緣與該電極邊緣之間的一間距界定一曲徑密封件且大體上防止污染物進入該環形間隙。該軸件具有經組態以容納一氮化硼密封件的一環形凹槽。
简体摘要：一弧形腔室具有以可操作方式耦接至本体的一衬垫。该衬垫具有自一第一表面凹陷的一第二表面及具有一第一直径的一孔。该衬垫具有自该第二表面向该第一表面朝上延伸的一衬垫边缘，该衬垫边缘环绕该孔且具有一第二直径。一电极具有一轴件及头部。该轴件具有小于该第一直径的一第三直径且穿过该本体及孔且借由一环形间隙与该衬垫电隔离。该头部具有一第四直径及一第三表面，该第三表面具有自该第三表面向该第二表面朝下延伸的一电极边缘。该电极边缘具有在该第二直径与该第四直径之间的一第五直径。该衬垫边缘与该电极边缘之间的一间距界定一曲径密封件且大体上防止污染物进入该环形间隙。该轴件具有经组态以容纳一氮化硼密封件的一环形凹槽。

8. 发明专利

TWI517766B 電漿處理裝置及電漿處理裝置用的電極有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理设备用的电极
公开(公告)号：TWI517766B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW099106453
申请日：2010-03-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：檜森慎司 , HIMORI, SHINJI
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32577 , H01J37/3255 , H01J2237/03

9. 发明专利

TWI503859B 使用於離子佈植系統中的電漿流體槍以及提供離子佈植系統中的電漿流體槍之方法有权
简体标题：使用于离子布植系统中的等离子流体枪以及提供离子布植系统中的等离子流体枪之方法
公开(公告)号：TWI503859B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW100136747
申请日：2011-10-11
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：庫魯尼西彼得F , KURUNCZI, PETER F. , 本夫尼斯特維克多M , BENVENISTE, VICTOR M. , 那莫佛斯奇奧利佛V , NAUMOVSKI, OLIVER V.
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/02
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J37/32688 , H01J2237/03

10. 发明专利

TWI435664B 使用多頻率射頻電力之混合射頻電容性及電感性耦合電漿源及其使用方法有权
简体标题：使用多频率射频电力之混合射频电容性及电感性耦合等离子源及其使用方法
公开(公告)号：TWI435664B
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW096126202
申请日：2007-07-18
申请人：藍姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：愛力克司瑪拉坦夫 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 拉金德汀沙 , DHINDSA, RAJINDER , 艾瑞克修德森 , HUDSON, ERIC , 安德瑞亞非區爾 , FISCHER, ANDREAS
IPC分类号： H05H1/46 , C23F1/00 , C23C16/00 , H01L21/302
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32091 , H01J2237/03

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