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    • 1. 发明专利
    • 電容器之金屬化膜
    • 电容器之金属化膜
    • TW384538B
    • 2000-03-11
    • TW085100391
    • 1996-01-15
    • 艾羅福克斯公司東麗塑膠美國股份有限公司東麗股份有限公司
    • 馬丁.哈迪思古胡守田研司
    • H01L
    • H01G4/38
    • 一種薄膜電容器其中未金屬化邊緣設有一層半導電層。該層於電容器內提供並聯電阻路徑,因此免除外部電阻器之需求。也橫跨邊緣使電場分級,亦即,使電場更均勻,因此使邊緣可更狹窄而不會電崩潰,如此可縮小電容器的物理尺寸。一層耐火半導電層設於金屬層與介電薄膜間。耐火半導電層經由隔絕下方介電薄膜與蒸發金屬產生的熱量而加速自行清除過程,如此加快蒸發,並減少介電薄膜碳化傾向。結果可大體消耗較少能量而去除瑕疵。較佳,耐火層亦為半導電性,俾減少場發射效果,因而減少介電薄膜之瑕疵頻率。
    • 一种薄膜电容器其中未金属化边缘设有一层半导电层。该层于电容器内提供并联电阻路径,因此免除外部电阻器之需求。也横跨边缘使电场分级,亦即,使电场更均匀,因此使边缘可更狭窄而不会电崩溃,如此可缩小电容器的物理尺寸。一层耐火半导电层设于金属层与介电薄膜间。耐火半导电层经由隔绝下方介电薄膜与蒸发金属产生的热量而加速自行清除过程,如此加快蒸发,并减少介电薄膜碳化倾向。结果可大体消耗较少能量而去除瑕疵。较佳,耐火层亦为半导电性,俾减少场发射效果,因而减少介电薄膜之瑕疵频率。