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1. 发明专利

TW201001668A 電子元件組裝架構 ELECTRONIC ELEMENT ASSEMBLY STRUCTURE 审中-公开
简体标题：电子组件组装架构 ELECTRONIC ELEMENT ASSEMBLY STRUCTURE
公开(公告)号：TW201001668A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098116655
申请日：2009-05-20
申请人： EPCOS AG集團股份公司
发明人：恩葛爾寬特 , 費奇丁葛爾湯馬士 , 潘西娜艾克索爾
IPC分类号： H01L , H01C
CPC分类号： H01C7/12 , H01C7/10 , H01C7/102 , H01C7/105 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/4848 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種電子元件組裝架構，其包含至少一半導體元件(1)，安裝於一壓敏電阻器單元(2)之上。該壓敏電阻器單元係與該半導體元件的靜電放電防護設施形成接觸，且其中，該壓敏電阻器單元內含有一複合材料，且該複合材料係利用一壓敏電阻陶瓷材料來形成母體和一與該壓敏電阻陶瓷材料不同之導熱性材料來形成填充材料。
简体摘要：本发明提供一种电子组件组装架构，其包含至少一半导体组件(1)，安装于一压敏电阻器单元(2)之上。该压敏电阻器单元系与该半导体组件的静电放电防护设施形成接触，且其中，该压敏电阻器单元内含有一复合材料，且该复合材料系利用一压敏电阻陶瓷材料来形成母体和一与该压敏电阻陶瓷材料不同之导热性材料来形成填充材料。

2. 发明专利

TW201517330A 複合樹脂及電子裝置审中-公开
简体标题：复合树脂及电子设备
公开(公告)号：TW201517330A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103132615
申请日：2014-09-22
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：杉崎吉昭 , SUGIZAKI, YOSHIAKI , 小島章弘 , KOJIMA, AKIHIRO , 古山英人 , FURUYAMA, HIDETO
IPC分类号： H01L33/56 , C08K3/22
CPC分类号： H01L33/56 , C08K3/22 , C08K2003/2296 , H01C7/105 , H01C7/112 , H01L23/60 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L25/167 , H01L27/15 , H01L33/26 , H01L33/382 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12035 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , C08L63/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：若藉由實施型態時，複合樹脂具備樹脂成分，和複數之第1粉體，該複數之第1粉體係被分散在上述樹脂成分中，持有電阻隨著電壓上升而下降之非直線性的電流電壓特性。各個上述第1粉體為多晶粉體，其係複數之1次粒子隔著比起1次粒子內部以較高濃度存在與上述1次粒子之主成分不同之成分的晶界而連結。
简体摘要：若借由实施型态时，复合树脂具备树脂成分，和复数之第1粉体，该复数之第1粉体系被分散在上述树脂成分中，持有电阻随着电压上升而下降之非直线性的电流电压特性。各个上述第1粉体为多晶粉体，其系复数之1次粒子隔着比起1次粒子内部以较高浓度存在与上述1次粒子之主成分不同之成分的晶界而链接。

3. 发明专利

TWI549321B 電子裝置有权
简体标题：电子设备
公开(公告)号：TWI549321B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW103132615
申请日：2014-09-22
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：杉崎吉昭 , SUGIZAKI, YOSHIAKI , 小島章弘 , KOJIMA, AKIHIRO , 古山英人 , FURUYAMA, HIDETO
IPC分类号： H01L33/56 , C08K3/22
CPC分类号： H01L33/56 , C08K3/22 , C08K2003/2296 , H01C7/105 , H01C7/112 , H01L23/60 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L25/167 , H01L27/15 , H01L33/26 , H01L33/382 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12035 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , C08L63/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

4. 发明专利

TW201128663A 非聚合物的電壓調變介電材質及其組成的基板裝置、其形成在靶材上的方法及其製程 NON-POLYMERIC VOLTAGE SWITCHABLE DIELECTRIC(VSD) MATERIAL AND SUBSTRATE DEVICE FORMED THEREWITH, AND METHOD FOR FORMING NON-POLYMERIC VSD MATERIAL ON TARGET AND PROCESS THEREOF 审中-公开
简体标题：非聚合物的电压调制介电材质及其组成的基板设备、其形成在靶材上的方法及其制程 NON-POLYMERIC VOLTAGE SWITCHABLE DIELECTRIC(VSD) MATERIAL AND SUBSTRATE DEVICE FORMED THEREWITH, AND METHOD FOR FORMING NON-POLYMERIC VSD MATERIAL ON TARGET AND PROCESS THEREOF
公开(公告)号：TW201128663A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099141750
申请日：2010-12-01
申请人：撼動科技公司
发明人：施寧 , 弗萊明羅伯特 , 吳君君 , 科索沃斯基雷克斯
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/105 , C01G9/02 , C01G29/00 , C01G41/02 , C01P2006/40 , H01C7/10 , H01C7/112 , H01C17/06 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H05K1/0257 , H05K1/0259 , H05K2201/0738 , Y10T29/49099 , Y10T428/31678 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：所述具體實施例包含一種非聚合物的電壓調變介電(Voltage Switchable Dielectric,VSD)材質，實質上係由單一化合物所形成的粒狀結構、製造同樣粒狀結構的流程及使用此一非聚合物的VSD材質之應用所組成。
简体摘要：所述具体实施例包含一种非聚合物的电压调制介电(Voltage Switchable Dielectric,VSD)材质，实质上系由单一化合物所形成的粒状结构、制造同样粒状结构的流程及使用此一非聚合物的VSD材质之应用所组成。

5. 发明专利

TW511103B 用於靜電放電保護之聚合體複合材料有权
简体标题：用于静电放电保护之聚合体复合材料
公开(公告)号：TW511103B
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：TW088100617
申请日：1999-01-15
申请人：李特爾佛斯公司
发明人：修.凱悦 , 路易斯.雷特
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/105 , H01C7/12
摘要：一種用於提供保護對抗過電應力(EOS)之組成物其包含絕緣黏合劑、摻雜半導粒，以及半導粒。該複合材料對普通的操作電壓值具有高電氣阻抗，但是在EOS瞬變期間則回應EOS瞬變切換成低電氣阻抗並且將EOS瞬變電壓鉗位於低水平。
简体摘要：一种用于提供保护对抗过电应力(EOS)之组成物其包含绝缘黏合剂、掺杂半导粒，以及半导粒。该复合材料对普通的操作电压值具有高电气阻抗，但是在EOS瞬变期间则回应EOS瞬变切换成低电气阻抗并且将EOS瞬变电压钳位于低水平。

6. 发明专利

TWI427761B 電子元件組裝架構有权
简体标题：电子组件组装架构
公开(公告)号：TWI427761B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW098116655
申请日：2009-05-20
申请人： EPCOS AG集團股份公司 , EPCOS AG
发明人：恩葛爾寬特 , ENGEL, GUNTER , 費奇丁葛爾湯馬士 , FEICHTINGER, THOMAS , 潘西娜艾克索爾 , PECINA, AXEL
IPC分类号： H01L25/16 , H01L25/18 , H01L23/60 , H01C7/105
CPC分类号： H01C7/12 , H01C7/10 , H01C7/102 , H01C7/105 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/4848 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

7. 发明专利

TW201230082A 電壓敏感電阻器唯讀記憶體 VOLTAGE SENSITIVE RESISTOR (VSR) READ ONLY MEMORY 审中-公开
简体标题：电压敏感电阻器唯读内存 VOLTAGE SENSITIVE RESISTOR (VSR) READ ONLY MEMORY
公开(公告)号：TW201230082A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100123033
申请日：2011-06-30
申请人：萬國商業機器公司
发明人：金泰倫斯L , 王允愈 , 王光翰
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01L45/1616 , G11C17/14 , H01C7/1013 , H01C7/105 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一電壓敏感電阻器(VSR)寫入一次(WO)唯讀記憶體(ROM)裝置,其包含:一半導體裝置;以及一連接至該半導體裝置的VSR。該VSR WO ROM裝置係寫入一次唯讀裝置。該VSR包含一CVD氮化鈦層,其具有殘餘鈦-碳鍵結,使得該VSR在形成時為電阻性而當預設電壓與電流被施加至該VSR時電阻性會小了102的數量級,更佳的係,小了103的數量級,最佳的係,小了104的數量級。複數個該等VSR WO ROM裝置可被排列成以一3D堆疊形成一高密度可程式化邏輯電路。本發明還揭示用以形成該VSR WO ROM裝置的方法。
简体摘要：本发明揭示一电压敏感电阻器(VSR)写入一次(WO)唯读内存(ROM)设备,其包含:一半导体设备;以及一连接至该半导体设备的VSR。该VSR WO ROM设备系写入一次唯读设备。该VSR包含一CVD氮化钛层,其具有残余钛-碳键结,使得该VSR在形成时为电阻性而当默认电压与电流被施加至该VSR时电阻性会小了102的数量级,更佳的系,小了103的数量级,最佳的系,小了104的数量级。复数个该等VSR WO ROM设备可被排列成以一3D堆栈形成一高密度可进程化逻辑电路。本发明还揭示用以形成该VSR WO ROM设备的方法。

8. 发明专利

TW564439B 電子陶瓷組件有权
简体标题：电子陶瓷组件
公开(公告)号：TW564439B
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW091114138
申请日：2002-06-27
申请人：艾普可斯股份有限公司
发明人：阿克塞派西納 , 羅伯特克魯菲斯
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/105 , H01C7/18
摘要：一種電子陶瓷組件，具具有低的電容且其特徵為：具有一個基體，其包含至少一第一陶瓷材料(1)區及一第二陶瓷材料(5)區，第二陶瓷材料(5)之介電常數較第一陶瓷材料者還小，在基體之表面上設有至少一第一(10)及一第二(15)接觸層，第二陶瓷材料至少一部份配置在第一及第二接觸層之間，第一陶瓷材料(1)除了界定電容之外亦界定此組件之電性。
简体摘要：一种电子陶瓷组件，具具有低的电容且其特征为：具有一个基体，其包含至少一第一陶瓷材料(1)区及一第二陶瓷材料(5)区，第二陶瓷材料(5)之介电常数较第一陶瓷材料者还小，在基体之表面上设有至少一第一(10)及一第二(15)接触层，第二陶瓷材料至少一部份配置在第一及第二接触层之间，第一陶瓷材料(1)除了界定电容之外亦界定此组件之电性。

9. 发明专利

TW201627368A 複合樹脂及電子裝置审中-公开
简体标题：复合树脂及电子设备
公开(公告)号：TW201627368A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104125625
申请日：2015-08-06
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：杉崎吉昭 , SUGIZAKI, YOSHIAKI
IPC分类号： C08K3/00 , C08L63/00 , H01L23/60 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H01L27/0248 , C08K3/22 , H01B1/22 , H01C7/105 , H01C7/112 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/486 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1421 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要：根據一實施例，複合樹脂包括樹脂組份；分散在該樹脂組份中的複數個第一粉末體，且具有當電壓升高時具有下降的電阻之非線性電流電壓特性；以及分散在該樹脂組份中的複數個第二粉末體，且具有導電性。該複數個第一粉末體係為多晶粉末體，其包括複數個由晶粒邊界限制的一次粒子、不同於上述的該複數個一次粒子之主要組份的組份。複數個第二粉末體之功函數不大於複數個一次粒子之功函數。
简体摘要：根据一实施例，复合树脂包括树脂组份；分散在该树脂组份中的复数个第一粉末体，且具有当电压升高时具有下降的电阻之非线性电流电压特性；以及分散在该树脂组份中的复数个第二粉末体，且具有导电性。该复数个第一粉末体系为多晶粉末体，其包括复数个由晶粒边界限制的一次粒子、不同于上述的该复数个一次粒子之主要组份的组份。复数个第二粉末体之功函数不大于复数个一次粒子之功函数。

10. 发明专利

TWI351041B 變阻器有权
简体标题：变阻器
公开(公告)号：TWI351041B
公开(公告)日：2011-10-21
申请号：TW097147854
申请日：2008-12-09
申请人： TDK股份有限公司
发明人：柳田美幸 , 山口孝一 , 五十嵐克彥 , 千田直樹
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/112 , H01C7/102 , H01C7/105
摘要：本發明係關於一種變阻器。變阻器1具備變阻器素體10，位於變阻器素體10之一方之主面上之一對外部電極30a、30b，及位於該主面上之電阻元件60，電阻元件60以連接一對外部電極30a、30b之方式而設置。變阻器素體10含有氧化鋅作為主成分，含有鈣氧化物、矽氧化物、及稀土類金屬之氧化物作為副成分，相對於100莫耳之主成分之鈣氧化物之Ca原子換算的比率X為2~80原子%，相對於100莫耳之主成分之矽氧化物之Si原子換算的比率Y為1~40原子%，X/Y滿足下述式(1)，外部電極及電阻元件含有與氧化鉍及氧化銅不同之氧化物。
简体摘要：本发明系关于一种变阻器。变阻器1具备变阻器素体10，位于变阻器素体10之一方之主面上之一对外部电极30a、30b，及位于该主面上之电阻组件60，电阻组件60以连接一对外部电极30a、30b之方式而设置。变阻器素体10含有氧化锌作为主成分，含有钙氧化物、硅氧化物、及稀土类金属之氧化物作为副成分，相对于100莫耳之主成分之钙氧化物之Ca原子换算的比率X为2~80原子%，相对于100莫耳之主成分之硅氧化物之Si原子换算的比率Y为1~40原子%，X/Y满足下述式(1)，外部电极及电阻组件含有与氧化铋及氧化铜不同之氧化物。

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