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1. 发明专利

TWI335116B 突波吸收元件及突波吸收電路有权
简体标题：突波吸收组件及突波吸收电路
公开(公告)号：TWI335116B
公开(公告)日：2010-12-21
申请号：TW095126550
申请日：2006-07-20
申请人： TDK股份有限公司
发明人：寺田祐二 , 松岡大 , 千田直樹
IPC分类号： H02H , H01C
CPC分类号： H02H9/005 , H01F2017/0026 , H01F2017/065 , H01G4/30 , H01G4/35 , H01G4/40 , H03H7/0107 , H03H7/09 , H03H7/1708 , H03H7/38 , H03H7/425 , H03H2001/0085
摘要：本發明之目的在於提供對於高速訊號具備優異之阻抗匹配，且小型之突波吸收元件以及突波吸收電路。突波吸收元件SA1具有第1及第2電感器部10、20、與第1及第2突波吸收部30、40。第1電感器部10具有第1及第2線圈13、15，第2電感器部20具有第3及第4線圈21、23。藉由適當設定各線圈之間之耦合係數以及第1~第4線圈13、15、21、23之感應係數，於寬頻帶可實現頻率特性平坦之影像阻抗。又，由於第1~第4線圈13、15、21、23相互具有正之磁耦合狀態，故而與無正之磁耦合狀態時相比，可使第1~第4線圈13、15、21、23之感應係數減小。
简体摘要：本发明之目的在于提供对于高速信号具备优异之阻抗匹配，且小型之突波吸收组件以及突波吸收电路。突波吸收组件SA1具有第1及第2电感器部10、20、与第1及第2突波吸收部30、40。第1电感器部10具有第1及第2线圈13、15，第2电感器部20具有第3及第4线圈21、23。借由适当设置各线圈之间之耦合系数以及第1~第4线圈13、15、21、23之感应系数，于宽带带可实现频率特性平坦之影像阻抗。又，由于第1~第4线圈13、15、21、23相互具有正之磁耦合状态，故而与无正之磁耦合状态时相比，可使第1~第4线圈13、15、21、23之感应系数减小。

2. 发明专利

TWI351041B 變阻器有权
简体标题：变阻器
公开(公告)号：TWI351041B
公开(公告)日：2011-10-21
申请号：TW097147854
申请日：2008-12-09
申请人： TDK股份有限公司
发明人：柳田美幸 , 山口孝一 , 五十嵐克彥 , 千田直樹
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/112 , H01C7/102 , H01C7/105
摘要：本發明係關於一種變阻器。變阻器1具備變阻器素體10，位於變阻器素體10之一方之主面上之一對外部電極30a、30b，及位於該主面上之電阻元件60，電阻元件60以連接一對外部電極30a、30b之方式而設置。變阻器素體10含有氧化鋅作為主成分，含有鈣氧化物、矽氧化物、及稀土類金屬之氧化物作為副成分，相對於100莫耳之主成分之鈣氧化物之Ca原子換算的比率X為2~80原子%，相對於100莫耳之主成分之矽氧化物之Si原子換算的比率Y為1~40原子%，X/Y滿足下述式(1)，外部電極及電阻元件含有與氧化鉍及氧化銅不同之氧化物。
简体摘要：本发明系关于一种变阻器。变阻器1具备变阻器素体10，位于变阻器素体10之一方之主面上之一对外部电极30a、30b，及位于该主面上之电阻组件60，电阻组件60以连接一对外部电极30a、30b之方式而设置。变阻器素体10含有氧化锌作为主成分，含有钙氧化物、硅氧化物、及稀土类金属之氧化物作为副成分，相对于100莫耳之主成分之钙氧化物之Ca原子换算的比率X为2~80原子%，相对于100莫耳之主成分之硅氧化物之Si原子换算的比率Y为1~40原子%，X/Y满足下述式(1)，外部电极及电阻组件含有与氧化铋及氧化铜不同之氧化物。

3. 发明专利

TW200941512A 變阻器审中-公开
简体标题：变阻器
公开(公告)号：TW200941512A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097147854
申请日：2008-12-09
申请人： TDK股份有限公司
发明人：柳田美幸 , 山口孝一 , 五十嵐克彥 , 千田直樹
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/112 , H01C7/102 , H01C7/105
摘要：本發明係關於一種變阻器。變阻器1具備變阻器素體10，位於變阻器素體10之一方之主面上之一對外部電極30a、30b，及位於該主面上之電阻元件60，電阻元件60以連接一對外部電極30a、30b之方式而設置。變阻器素體10含有氧化鋅作為主成分，含有鈣氧化物、矽氧化物、及稀土類金屬之氧化物作為副成分，相對於100莫耳之主成分之鈣氧化物之Ca原子換算的比率X為2~80原子％，相對於100莫耳之主成分之矽氧化物之Si原子換算的比率Y為1~40原子％，X/Y滿足下述式(1)，外部電極及電阻元件含有與氧化鉍及氧化銅不同之氧化物。1≦X/Y＜3 (1)
简体摘要：本发明系关于一种变阻器。变阻器1具备变阻器素体10，位于变阻器素体10之一方之主面上之一对外部电极30a、30b，及位于该主面上之电阻组件60，电阻组件60以连接一对外部电极30a、30b之方式而设置。变阻器素体10含有氧化锌作为主成分，含有钙氧化物、硅氧化物、及稀土类金属之氧化物作为副成分，相对于100莫耳之主成分之钙氧化物之Ca原子换算的比率X为2~80原子％，相对于100莫耳之主成分之硅氧化物之Si原子换算的比率Y为1~40原子％，X/Y满足下述式(1)，外部电极及电阻组件含有与氧化铋及氧化铜不同之氧化物。1≦X/Y＜3 (1)

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