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1. 发明专利

TW201814707A 具有耦合至自旋轉移扭矩元件的ＰＭＯＳ電晶體的自旋轉移扭矩記憶體裝置审中-公开
简体标题：具有耦合至自旋转移扭矩组件的ＰＭＯＳ晶体管的自旋转移扭矩内存设备
公开(公告)号：TW201814707A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106127649
申请日：2017-08-15
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：杜西馬克 , DOCZY, MARK , 郭查爾斯 , KUO, CHARLES C. , 歐固茲肯恩 , OGUZ, KAAN , 道爾布萊恩 , DOYLE, BRIAN , 歐布萊恩凱文 , O'BRIEN, KEVIN
IPC分类号： G11C11/40 , G11C11/22 , H01L27/105
CPC分类号： G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/22 , H01L43/08
摘要：本揭露有關自旋轉移扭矩記憶體裝置之製造，其中自旋轉移扭矩元件係連接至PMOS電晶體。於一實施例中，自旋轉移扭矩元件可具有固定側與自由側，而隧道阻障層被設置於該固定側與該自由側之間，且PMOS電晶體可具有電性連接至該自旋轉移扭矩元件之該固定側的汲極結構。
简体摘要：本揭露有关自旋转移扭矩内存设备之制造，其中自旋转移扭矩组件系连接至PMOS晶体管。于一实施例中，自旋转移扭矩组件可具有固定侧与自由侧，而隧道阻障层被设置于该固定侧与该自由侧之间，且PMOS晶体管可具有电性连接至该自旋转移扭矩组件之该固定侧的汲极结构。

2. 发明专利

TW201738882A 應用於MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置审中-公开
简体标题：应用于MRAM的尖峰电流旁路保护控制设备
公开(公告)号：TW201738882A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105113000
申请日：2016-04-26
申请人：來揚科技股份有限公司 , LYONTEK INC.
发明人：張玲月 , CHANG, LING-YUEH , 黃鵬如 , HUANG, PENG-JU , 洪奇正 , HUNG, CHI-CHENG
IPC分类号： G11C7/24
CPC分类号： G11C11/1695 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要：一種應用於MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置，於複數磁性記憶元所組成的記憶元陣列中，針對每一列磁性記憶元並聯一旁路單元，以在對前述記憶元陣列中的磁性記憶元讀寫時，於選擇開關導通的瞬間，透過該磁性記憶元所並聯旁路單元，以將流經該磁性記憶元上的尖峰電流導出。
简体摘要：一种应用于MRAM的尖峰电流旁路保护控制设备，于复数磁性记忆元所组成的记忆元数组中，针对每一列磁性记忆元并联一旁路单元，以在对前述记忆元数组中的磁性记忆元读写时，于选择开关导通的瞬间，透过该磁性记忆元所并联旁路单元，以将流经该磁性记忆元上的尖峰电流导出。

3. 发明专利

TW201711038A 用於記憶體裝置的升壓產生器與電壓產生器审中-公开
简体标题：用于内存设备的升压产生器与电压产生器
公开(公告)号：TW201711038A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105119484
申请日：2016-06-22
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：安東尼揚艾杜爾 , ANTONYAN, ARTUR
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C11/1697 , G11C5/025 , G11C5/145 , G11C8/08 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C13/0038
摘要：本發明提供一種升壓產生器，其可包含差壓產生器、第一充電電路、第二充電電路以及開關電路。差壓產生器基於參考電壓及供電電壓產生差壓至第一節點。連接在第一節點與接地電壓之間的第一充電電路回應於第一脈衝信號在第一階段期間在其中對差壓充電。連接在第一節點與接地電壓之間的第二充電電路回應於第二脈衝信號在第二階段期間在其中對差壓充電。連接至第一充電電路中的第二節點、第二充電電路中的第三節點以及輸出節點的開關電路在第一階段及第二階段中的每一者期間將遵循目標位準的升壓提供至輸出節點。
简体摘要：本发明提供一种升压产生器，其可包含差压产生器、第一充电电路、第二充电电路以及开关电路。差压产生器基于参考电压及供电电压产生差压至第一节点。连接在第一节点与接地电压之间的第一充电电路回应于第一脉冲信号在第一阶段期间在其中对差压充电。连接在第一节点与接地电压之间的第二充电电路回应于第二脉冲信号在第二阶段期间在其中对差压充电。连接至第一充电电路中的第二节点、第二充电电路中的第三节点以及输出节点的开关电路在第一阶段及第二阶段中的每一者期间将遵循目标位准的升压提供至输出节点。

4. 发明专利

TWI573135B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI573135B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW103129987
申请日：2014-08-29
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：清水直樹 , SHIMIZU, NAOKI
IPC分类号： G11C11/16 , G06F12/02
CPC分类号： G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1693

5. 发明专利

TW201644081A 電阻變化記憶體审中-公开
简体标题：电阻变化内存
公开(公告)号：TW201644081A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105107960
申请日：2016-03-15
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , 愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：相川尚徳 , AIKAWA, HISANORI , 岸達也 , KISHI, TATSUYA , 中塚圭祐 , NAKATSUKA, KEISUKE , 稲葉聡 , INABA, SATOSHI , 都甲大 , TOKO, MASARU , 細谷啓司 , HOSOTANI, KEIJI , 李宰淵 , YI, JAE YUN , 徐弘周 , SUH, HONG JU , 金世東 , KIM, SE DONG
IPC分类号： H01L45/00 , G11C13/00
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C5/063 , G11C8/08 , G11C8/12 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L43/08 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要：根據一實施例，一種電阻變化記憶體包含：一半導體基板；一電晶體，其具有一控制端子、一第一端子及一第二端子，該電晶體設置於該半導體基板上；一絕緣層，其覆蓋該電晶體；一第一導線，其連接至該第一端子且設置於該絕緣層上；一第二導線，其設置於該絕緣層上；及一電阻變化元件，其連接於該第二端子與該第二導線之間。該第一導線在配置該第一導線及該第二導線之一方向上具有大於該第二導線之一寬度的一寬度。
简体摘要：根据一实施例，一种电阻变化内存包含：一半导体基板；一晶体管，其具有一控制端子、一第一端子及一第二端子，该晶体管设置于该半导体基板上；一绝缘层，其覆盖该晶体管；一第一导线，其连接至该第一端子且设置于该绝缘层上；一第二导线，其设置于该绝缘层上；及一电阻变化组件，其连接于该第二端子与该第二导线之间。该第一导线在配置该第一导线及该第二导线之一方向上具有大于该第二导线之一宽度的一宽度。

6. 发明专利

TW201619964A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201619964A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104144062
申请日：2014-03-11
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：藤田勝之 , FUJITA, KATSUYUKI
IPC分类号： G11C13/00 , G11C29/02
CPC分类号： G11C29/76 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C29/04 , G11C29/787
摘要：根據一項實施例，一種半導體記憶裝置包含：第一字線，其連接至一記憶體胞元陣列；第二字線，其連接至一冗餘區域；一第一列解碼器，其經組態以執行基於一列位址自該等第一字線之選擇；一判斷電路，其經組態以基於包含於該列位址中之一冗餘位址判定是否需要用該冗餘區域進行一替換操作；及一第二列解碼器，其經組態以執行自該等第二字線之選擇。該列位址以一分時方法依序包含一第一列位址及一第二列位址輸入。該第一列位址包含所有該冗餘位址。
简体摘要：根据一项实施例，一种半导体记忆设备包含：第一字线，其连接至一内存胞元数组；第二字线，其连接至一冗余区域；一第一列译码器，其经组态以运行基于一列位址自该等第一字线之选择；一判断电路，其经组态以基于包含于该列位址中之一冗余位址判定是否需要用该冗余区域进行一替换操作；及一第二列译码器，其经组态以运行自该等第二字线之选择。该列位址以一分时方法依序包含一第一列位址及一第二列位址输入。该第一列位址包含所有该冗余位址。

7. 发明专利

TWI524341B 儲存裝置、儲存器單元以及數據寫入方法有权
简体标题：存储设备、存储器单元以及数据写入方法
公开(公告)号：TWI524341B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW102148715
申请日：2013-12-27
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大澤隆 , OHSAWA, TAKASHI , 遠藤哲郎 , ENDOH, TETSUO
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/412 , G11C13/00
CPC分类号： G11C7/22 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C14/0081 , G11C14/009

8. 发明专利

TW201523601A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201523601A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103129987
申请日：2014-08-29
申请人：清水直樹 , SHIMIZU, NAOKI
发明人：清水直樹 , SHIMIZU, NAOKI
IPC分类号： G11C11/16 , G06F12/02
CPC分类号： G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1693
摘要：本發明揭示一種半導體記憶裝置，其包含：記憶體庫，其等各包含一記憶體胞陣列；字線，其等經連接至該等記憶體庫之各者中之列；及一位址鎖存電路，其經組態以鎖存指定該等字線之一者之一全位址，該全位址包含一第一位址及一第二位址。該位址鎖存電路接收一第一命令及一第二命令，以根據該第一命令及該第二命令來分別鎖存該第一位址及該第二位址。用於該第一位址及該第二位址之路徑經組態以彼此分離。
简体摘要：本发明揭示一种半导体记忆设备，其包含：内存库，其等各包含一内存胞数组；字线，其等经连接至该等内存库之各者中之列；及一位址锁存电路，其经组态以锁存指定该等字线之一者之一全位址，该全位址包含一第一位址及一第二位址。该位址锁存电路接收一第一命令及一第二命令，以根据该第一命令及该第二命令来分别锁存该第一位址及该第二位址。用于该第一位址及该第二位址之路径经组态以彼此分离。

9. 发明专利

TW201513111A 磁性記憶體及其控制方法审中-公开
简体标题：磁性内存及其控制方法
公开(公告)号：TW201513111A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103130656
申请日：2014-09-04
申请人：境新太郎 , SAKAI, SHINTARO , 中山昌彥 , NAKAYAMA, MASAHIKO
发明人：境新太郎 , SAKAI, SHINTARO , 中山昌彥 , NAKAYAMA, MASAHIKO
IPC分类号： G11C11/14
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1695
摘要：根據一實施例，一種磁性記憶體包含：一記憶體胞陣列，其包含複數個記憶體胞，各記憶體胞包含一磁阻效應元件；及一讀取電路，其自基於一位址信號而自該等記憶體胞中選擇之一記憶體胞讀取資料。該讀取電路自複數個判定位準中選擇對應於該記憶體胞陣列中之一磁阻效應元件之一位置之一判定位準，且使用該所選判定位準來執行該資料之讀取。
简体摘要：根据一实施例，一种磁性内存包含：一内存胞数组，其包含复数个内存胞，各内存胞包含一磁阻效应组件；及一读取电路，其自基于一位址信号而自该等内存胞中选择之一内存胞读取数据。该读取电路自复数个判定位准中选择对应于该内存胞数组中之一磁阻效应组件之一位置之一判定位准，且使用该所选判定位准来运行该数据之读取。

10. 发明专利

TW200912925A 自旋累積磁化反轉型記憶體元件及自旋隨機存取記憶體 MEMORY ELEMENT UTILIZING MAGNETIZATION SWITCHING CAUSED BY SPIN ACCUMULATION AND SPIN RAM DEVICE USING THE MEMORY ELEMENT 审中-公开
简体标题：自旋累积磁化反转型内存组件及自旋随机存取内存 MEMORY ELEMENT UTILIZING MAGNETIZATION SWITCHING CAUSED BY SPIN ACCUMULATION AND SPIN RAM DEVICE USING THE MEMORY ELEMENT
公开(公告)号：TW200912925A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097117004
申请日：2008-05-08
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：三浦勝哉 MIURA, KATSUYA
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要：【【課題】】實現耐久性優的自旋記憶體。【【解決手段】】具備:强磁性字元線;和與强磁性字元線交叉的非磁性位元線;和與强磁性字元線相對向的配線;和設置在强磁性字元線及非磁性位元線的交叉部分與配線之間的磁電阻效應元件。在寫入動作時,使電流在强磁性字元線與前述非磁性位元線之間流動,使自旋從强磁性字元線累積於非磁性位元線,藉此使磁電阻效應元件之自由層的磁化方向反轉。在讀出動作時,使電流在非磁性位元線與配線之間流動,以磁電阻效應元件的膜厚方向流動電流。
简体摘要：【【课题】】实现耐久性优的自旋内存。【【解决手段】】具备:强磁性字符线;和与强磁性字符线交叉的非磁性比特线;和与强磁性字符线相对向的配线;和设置在强磁性字符线及非磁性比特线的交叉部分与配线之间的磁电阻效应组件。在写入动作时,使电流在强磁性字符线与前述非磁性比特线之间流动,使自旋从强磁性字符线累积于非磁性比特线,借此使磁电阻效应组件之自由层的磁化方向反转。在读出动作时,使电流在非磁性比特线与配线之间流动,以磁电阻效应组件的膜厚方向流动电流。

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