专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI533417B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI533417B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW101100197
申请日：2012-01-03
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：新田文彥 , NITTA, FUMIHIKO
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/222 , H01L27/226 , H01L29/82 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10S977/935

2. 发明专利

TWI419319B 由兩個或兩個以上結合在一起之基板形成之電子裝置、包含電子裝置之電子系統及製作電子裝置之方法有权
简体标题：由两个或两个以上结合在一起之基板形成之电子设备、包含电子设备之电子系统及制作电子设备之方法
公开(公告)号：TWI419319B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099106970
申请日：2010-03-10
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：米迪羅伊E , MEADE, ROY E. , 珊得胡高提傑S , SANDHU, GURTEJ S.
IPC分类号： H01L27/22
CPC分类号： H05K1/0298 , B82Y99/00 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C11/14 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C19/0808 , H01L24/02 , H01L24/80 , H01L2224/04042 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01093 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H05K1/112 , H05K1/113 , H05K1/144 , H05K3/3436 , H05K3/36 , H05K3/4697 , H05K7/04 , H05K2201/09381 , Y10S977/932 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201214436A 於具有第一磁穿隧接面及第二磁穿隧接面之位元晶胞產生一非可逆態 GENERATING A NON-REVERSIBLE STATE AT A BITCELL HAVING A FIRST MAGNETIC TUNNEL JUNCTION AND A SECOND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION 审中-公开
简体标题：于具有第一磁穿隧接面及第二磁穿隧接面之比特晶胞产生一非可逆态 GENERATING A NON-REVERSIBLE STATE AT A BITCELL HAVING A FIRST MAGNETIC TUNNEL JUNCTION AND A SECOND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION
公开(公告)号：TW201214436A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100127675
申请日：2011-08-03
申请人：高通公司
发明人：瑞歐哈里M , 金正丕 , 康森H , 朱曉中 , 金泰煥 , 李康和 , 李霞 , 徐瑋南 , 郝武揚 , 蘇忠萬 , 余尼裘拉斯K , 諾瓦馬修麥可 , 米蘭多夫史蒂芬M , 艾許肯納茲艾薩夫
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/14 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C17/02 , G11C17/16 , G11C29/027
摘要：一種在具有一第一磁穿隧接面(MTJ)及一第二MTJ之一位元晶胞處產生一不可逆態的方法包括：施加一程式電壓至該位元晶胞之該第一MTJ而不施加該程式電壓至該位元晶胞之該第二MTJ。一種記憶體器件包括具有一第一MTJ及一第二MTJ之一位元晶胞以及程式化電路，該程式化電路經組態以藉由施加一程式信號至該位元晶胞之該第一MTJ及該第二MTJ中之一選定者而在該位元晶胞處產生一不可逆態。
简体摘要：一种在具有一第一磁穿隧接面(MTJ)及一第二MTJ之一比特晶胞处产生一不可逆态的方法包括：施加一进程电压至该比特晶胞之该第一MTJ而不施加该进程电压至该比特晶胞之该第二MTJ。一种内存器件包括具有一第一MTJ及一第二MTJ之一比特晶胞以及进程化电路，该进程化电路经组态以借由施加一进程信号至该比特晶胞之该第一MTJ及该第二MTJ中之一选定者而在该比特晶胞处产生一不可逆态。

4. 发明专利

TW201023353A 磁性記憶體及其驅動方法與製造方法 MAGNETIC MEMORY, DRIVING METHOD THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：磁性内存及其驱动方法与制造方法 MAGNETIC MEMORY, DRIVING METHOD THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201023353A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW097146625
申请日：2008-12-01
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：蔡慶祥
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： G11C19/0808 , G11C11/14 , G11C19/0816 , G11C19/0825
摘要：一種磁性記憶體、磁性記憶體的驅動方法及磁性記憶體的製造方法。磁性記憶體包括多條導線結構、多個第一磁性金屬結構、一第二磁性金屬結構及一絕緣層。各個第一磁性金屬結構配置於兩相鄰的導線結構之間,而第二磁性金屬結構跨越導線結構。第一磁性金屬結構與第二磁性金屬結構所構成的結構包括多個彼此相連的磁性記憶胞。每一磁性記憶胞具有一磁區及緊鄰磁區的一磁壁,其中磁區適於儲存一位元資料。
简体摘要：一种磁性内存、磁性内存的驱动方法及磁性内存的制造方法。磁性内存包括多条导线结构、多个第一磁性金属结构、一第二磁性金属结构及一绝缘层。各个第一磁性金属结构配置于两相邻的导线结构之间,而第二磁性金属结构跨越导线结构。第一磁性金属结构与第二磁性金属结构所构成的结构包括多个彼此相连的磁性记忆胞。每一磁性记忆胞具有一磁区及紧邻磁区的一磁壁,其中磁区适于存储一比特数据。

5. 发明专利

TW200903491A 具有雙記憶體單元的非揮發性記憶體裝置 NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING TWIN MEMORY CELLS 审中-公开
简体标题：具有双内存单元的非挥发性内存设备 NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING TWIN MEMORY CELLS
公开(公告)号：TW200903491A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097116029
申请日：2008-04-30
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：姜尚範 KANG, SANG-BEOM , 趙佑榮 CHO, WOO-YEONG , 吳泂錄 OH, HYUNG-ROK , 朴民 PARK, JOON-MIN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C13/003 , G11C11/14 , G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76
摘要：一種非揮發性記憶體裝置包括:多個第一位元線,其在一第一方向上延伸;多個字線,其形成於該等第一位元線上且在一不同於該第一方向之第二方向上延伸;及多個第二位元線,其形成於該等字線上且在該第一方向上延伸。該非揮發性記憶體裝置亦包括多個雙記憶體單元,其中之每一者包括一耦接於一第一位元線與一字線之間的第一記憶體單元及一耦接於該字線與一第二位元線之間的第二記憶體單元。該第一記憶體單元及該第二記憶體單元儲存不同資料。
简体摘要：一种非挥发性内存设备包括:多个第一比特线,其在一第一方向上延伸;多个字线,其形成于该等第一比特在线且在一不同于该第一方向之第二方向上延伸;及多个第二比特线,其形成于该等字在线且在该第一方向上延伸。该非挥发性内存设备亦包括多个双内存单元,其中之每一者包括一耦接于一第一比特线与一字线之间的第一内存单元及一耦接于该字线与一第二比特线之间的第二内存单元。该第一内存单元及该第二内存单元存储不同数据。

6. 发明专利

TW200818190A 電阻式記憶體元件及其製造方法與操作方法 RESISTANCE TYPE MEMORY DEVICE AND FABRICATIUNG METHOD AND OPERATING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：电阻式内存组件及其制造方法与操作方法 RESISTANCE TYPE MEMORY DEVICE AND FABRICATIUNG METHOD AND OPERATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200818190A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096126592
申请日：2007-07-20
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：李明道 LEE, MING DAOU , 何家驊 HO, CHIA HUA , 賴二琨 LAI, ERH KUN , 謝光宇 HSIEH, KUANG YEU
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/54 , G11C11/14 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633 , Y10S438/972
摘要：一種電阻式記憶體元件,其配置於基底上,包括鎢電極、上電極與氧化鎢層。上電極配置於鎢電極上。氧化鎢層配置於鎢電極與上電極之間。
简体摘要：一种电阻式内存组件,其配置于基底上,包括钨电极、上电极与氧化钨层。上电极配置于钨电极上。氧化钨层配置于钨电极与上电极之间。

7. 发明专利

TWI234238B 具磁性材料層半導體元件之表面平滑導電層 SURFACE-SMOOTHING CONDUCTIVE LAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH MAGNETIC MATERIAL LAYERS 失效
简体标题：具磁性材料层半导体组件之表面平滑导电层 SURFACE-SMOOTHING CONDUCTIVE LAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH MAGNETIC MATERIAL LAYERS
公开(公告)号：TWI234238B
公开(公告)日：2005-06-11
申请号：TW092112046
申请日：2003-05-01
申请人：億恆科技股份公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：羅凱.申 LOW KIA SENG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/14 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F41/308 , H01F41/34
摘要：一半導體裝置(118)及其製造方法，其中複數個導電線路(124)係形成在一工作部件上、一表面平滑導電材料(140)位於該導電線路(124)上、及一磁性材料(132)再位於該表面平滑導電材料(140)上。該表面平滑導電材料(140)具較該其下導電線路(124)更為小的晶粒結構。該表面平滑導電材料(140)被拋光以使該表面平滑導電材料(140)具較該導電線路(124)表面更為質地平滑的表面。
简体摘要：一半导体设备(118)及其制造方法，其中复数个导电线路(124)系形成在一工作部件上、一表面平滑导电材料(140)位于该导电线路(124)上、及一磁性材料(132)再位于该表面平滑导电材料(140)上。该表面平滑导电材料(140)具较该其下导电线路(124)更为小的晶粒结构。该表面平滑导电材料(140)被抛光以使该表面平滑导电材料(140)具较该导电线路(124)表面更为质地平滑的表面。

8. 发明专利

TW200405357A 用於具有至少兩個不同阻抗狀態的記憶體之感測放大器 SENSE AMPLIFIER FOR A MEMORY HAVING AT LEAST TWO DISTINCT RESISTANCE STATES 失效
简体标题：用于具有至少两个不同阻抗状态的内存之传感放大器 SENSE AMPLIFIER FOR A MEMORY HAVING AT LEAST TWO DISTINCT RESISTANCE STATES
公开(公告)号：TW200405357A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092117685
申请日：2003-06-27
申请人：摩托羅拉公司 MOTOROLA INC.
发明人：約瑟夫J 拿哈斯 JOSEPH J. NAHAS , 湯瑪斯W 安德烈 THOMAS W. ANDRE , 布萊利J 加尼 BRADLEY GARNI , 奇特拉撒拉曼尼恩 CHITRA K. SUBRAMANIAN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/14 , G11C7/067 , G11C7/14 , G11C2207/063
摘要：於記憶體(10)中，感測系統(14)可利用一資料(54)輸入以及兩個參考(64、75)輸入來偵測位元狀態，用以感測一被選到之記憶體位元單元(77)的導電性與一中點參考導電性間的差異。參考導電性係處於高導電狀態中之記憶體單元(78)與處於低導電狀態中之記憶體單元(79)的平均導電性。資料輸入(54)係被耦合至該被選到之記憶體位元單元(77)。該等兩個參考輸入可選擇性地被耦合至處於高導電記憶體狀態或低導電記憶體狀態中的記憶體單元。該感測放大器可利用電流偏壓或電壓偏壓，於該等位元單元上施加位於預設電壓範圍之內的感測電壓。藉由電路設計便可平衡被耦合至該等感測放大器之互補輸出的電容。在一形式中，該等兩個參考輸入係於內部互相連接。數個增益級(90、150、110、130)中其中一者會放大該感測放大器輸出，而不會產生寄生錯誤。
简体摘要：于内存(10)中，传感系统(14)可利用一数据(54)输入以及两个参考(64、75)输入来侦测比特状态，用以传感一被选到之内存比特单元(77)的导电性与一中点参考导电性间的差异。参考导电性系处于高导电状态中之内存单元(78)与处于低导电状态中之内存单元(79)的平均导电性。数据输入(54)系被耦合至该被选到之内存比特单元(77)。该等两个参考输入可选择性地被耦合至处于高导电内存状态或低导电内存状态中的内存单元。该传感放大器可利用电流偏压或电压偏压，于该等比特单元上施加位于默认电压范围之内的传感电压。借由电路设计便可平衡被耦合至该等传感放大器之互补输出的电容。在一形式中，该等两个参考输入系于内部互相连接。数个增益级(90、150、110、130)中其中一者会放大该传感放大器输出，而不会产生寄生错误。

9. 发明专利

TW504693B 自鐵磁記憶格讀取資料之方法及裝置有权
简体标题：自铁磁记忆格读取数据之方法及设备
公开(公告)号：TW504693B
公开(公告)日：2002-10-01
申请号：TW090105753
申请日：2001-03-09
申请人：理查李諾
发明人：理查李諾
IPC分类号： G11C , G01R
CPC分类号： G11C11/15 , G11C11/14 , G11C11/18
摘要：所揭亦為一種鐵磁記憶格。該格子包括一由具有殘留極性之鐵磁材料製成之儲存單元(10)。該格子亦包括一耦合於儲存單元(10)之一第一部份之讀驅動線(20)，以饋送電流於儲存單元(10)內。一感測導體(30)耦合於儲存單元(10)之一第二部份，以自儲存單元(10)接收該電流。導過儲存單元(10)之電流對儲存單元(10)之極性反應。亦揭示一種用於測定鐵磁儲存單元(10)磁極性之方法。此方法提供一由鐵磁材料製成且具有一殘留極性之儲存單元(10)。一輸入電流(50)經由一耦合於儲存單元(10)之一第一部份之讀驅動線(20)饋入儲存單元(10)內。一輸出電流(60)經由一耦合於儲存單元(10)之一第二部份之感測導體(30)接收自儲存單元(10)。導過儲存單元(10)之電流對儲存單元(10)之極性反應。然後感測輸入電流(50)與輸出電流(60)間之差異，以之測定儲存單元(10)之磁極性。
简体摘要：所揭亦为一种铁磁记忆格。该格子包括一由具有残留极性之铁磁材料制成之存储单元(10)。该格子亦包括一耦合于存储单元(10)之一第一部份之读驱动线(20)，以馈送电流于存储单元(10)内。一传感导体(30)耦合于存储单元(10)之一第二部份，以自存储单元(10)接收该电流。导过存储单元(10)之电流对存储单元(10)之极性反应。亦揭示一种用于测定铁磁存储单元(10)磁极性之方法。此方法提供一由铁磁材料制成且具有一残留极性之存储单元(10)。一输入电流(50)经由一耦合于存储单元(10)之一第一部份之读驱动线(20)馈入存储单元(10)内。一输出电流(60)经由一耦合于存储单元(10)之一第二部份之传感导体(30)接收自存储单元(10)。导过存储单元(10)之电流对存储单元(10)之极性反应。然后传感输入电流(50)与输出电流(60)间之差异，以之测定存储单元(10)之磁极性。

10. 发明专利

TW466485B 測定磁阻式記憶體中之晶胞電阻所用之裝置失效
简体标题：测定磁阻式内存中之晶胞电阻所用之设备
公开(公告)号：TW466485B
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：TW089105457
申请日：2000-03-24
申请人：印芬龍科技股份有限公司
发明人：羅蘭德西威斯 , 威勒威貝
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/15 , G11C11/14 , G11C11/16
摘要：本發明係關於一種磁阻式記憶體用之測定電路，其中較高之臨界(critical)偏移(offset)電壓(特別是對這些具有較小電壓位準及較小損耗功率之新組件而言）在此種測定裝置中是以下述方式而被消除，即：一種與晶胞之各別資訊狀態有關之晶胞電流被降低之值是平均晶胞電流值且將此種電流差(difference)轉換成相對應之輸出電壓，其中須組合這些含有不同資訊內容之晶胞之晶胞電阻以便在形成平均晶胞電流時可供使用。
简体摘要：本发明系关于一种磁阻式内存用之测定电路，其中较高之临界(critical)偏移(offset)电压(特别是对这些具有较小电压位准及较小损耗功率之新组件而言）在此种测定设备中是以下述方式而被消除，即：一种与晶胞之各别信息状态有关之晶胞电流被降低之值是平均晶胞电流值且将此种电流差(difference)转换成相对应之输出电压，其中须组合这些含有不同信息内容之晶胞之晶胞电阻以便在形成平均晶胞电流时可供使用。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式