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1. 发明专利

TW201642313A 具有可調的中性之定向自組裝用旋塗式層审中-公开
简体标题：具有可调的中性之定向自组装用旋涂式层
公开(公告)号：TW201642313A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105107998
申请日：2016-03-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：史密斯傑佛瑞 , SMITH, JEFFREY
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , C08L53/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/002 , G03F7/004 , G03F7/16 , G03F7/165 , G03F7/2059 , G03F7/26 , G03F7/265 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31058
摘要：此處所揭露之技術包含與複數之不同嵌段共聚物材料相協作之定向自組裝可調中性層的產生方法。此處之技術可包含沉積一中性層、並且然後對該中性層進行後處理以調節其特性，使得該中性層與特定嵌段共聚物架構或複數架構相容。該中性層於此的後處理可將給定碳膜或其他膜層中π鍵及σ鍵的比率改變至接近將沉積於該中性層上之給定的自組裝膜層。據此，針對中性層可使用一般性的或單一的材料，且該一般性的或單一的材料可被改質為與待沉積之給定嵌段共聚物相匹配。
简体摘要：此处所揭露之技术包含与复数之不同嵌段共聚物材料相协作之定向自组装可调中性层的产生方法。此处之技术可包含沉积一中性层、并且然后对该中性层进行后处理以调节其特性，使得该中性层与特定嵌段共聚物架构或复数架构兼容。该中性层于此的后处理可将给定碳膜或其他膜层中π键及σ键的比率改变至接近将沉积于该中性层上之给定的自组装膜层。据此，针对中性层可使用一般性的或单一的材料，且该一般性的或单一的材料可被改质为与待沉积之给定嵌段共聚物相匹配。

2. 发明专利

TW200510915A 藉由化學放大型阻抗成像形成50奈米或更小半間距特徵之製程 PROCESS FOR FORMING FEATURES OF 50 NM OR LESS HALF-PITCH WITH CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST IMAGING 审中-公开
简体标题：借由化学放大型阻抗成像形成50奈米或更小半间距特征之制程 PROCESS FOR FORMING FEATURES OF 50 NM OR LESS HALF-PITCH WITH CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST IMAGING
公开(公告)号：TW200510915A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093116876
申请日：2004-06-11
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：大衛R 米德羅 MEDEIROS, DAVID R. , 吳桑黃 HUANG, WU-SONG , 葛瑞格里M 沃爾瑞 WALLRAFF, GREGORY M. , 比爾海斯伯 HINSBERG, BILL , 法蘭西斯侯萊 HOULE, FRANCES
IPC分类号： G03C
CPC分类号： G03F7/265 , G03F7/38
摘要：藉由使用降低溫度後曝光製程，與低活化能化學放大型阻抗，在化學放大型阻抗(常用於積體電路之製造)中，50nm(或更低)之微影成像半間距特徵被致能。後曝光製程較佳涉及常溫或微昇溫，與去保護反應(deprotection)依附性共反應物(如水)之存在。
简体摘要：借由使用降低温度后曝光制程，与低活化能化学放大型阻抗，在化学放大型阻抗(常用于集成电路之制造)中，50nm(或更低)之微影成像半间距特征被致能。后曝光制程较佳涉及常温或微升温，与去保护反应(deprotection)依附性共反应物(如水)之存在。

3. 发明专利

TW498407B UV增强烷矽化處理以增加超薄光阻的蝕刻阻抗失效
简体标题： UV增强烷硅化处理以增加超薄光阻的蚀刻阻抗
公开(公告)号：TW498407B
公开(公告)日：2002-08-11
申请号：TW090110325
申请日：2001-04-30
申请人：高級微裝置公司
发明人：巴瑞斯瑞加拉罕 , 括伊A 潘 , 瑞姆庫碼薩伯瑞尼亞 , 巴華辛 , 麥克K 坦布烈頓 , 山傑K 尤多 , 布萊恩裘
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/265 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要：本發明係於一實施例中有關一種處理超薄光阻層(16)的方法，包括在半導體基板(12)上沉積該超薄光阻層(16)，該超薄光阻層(16)具有小於約3,000埃的厚度；利用具有約250毫微米或更短波長之電磁輻射照射該超薄光阻層(16)；使該超薄光阻層(16)顯影；並在紫外光和臭氧至少其中之一的環境下，使該超薄光阻層(16)與含矽化合物接觸；其中該超薄光阻層(16)與含矽化合物之接觸係於照射及使該超薄光阻層(16)顯影之間，或於該超薄光阻層(16)顯影之後進行的步驟。
简体摘要：本发明系于一实施例中有关一种处理超薄光阻层(16)的方法，包括在半导体基板(12)上沉积该超薄光阻层(16)，该超薄光阻层(16)具有小于约3,000埃的厚度；利用具有约250毫微米或更短波长之电磁辐射照射该超薄光阻层(16)；使该超薄光阻层(16)显影；并在紫外光和臭氧至少其中之一的环境下，使该超薄光阻层(16)与含硅化合物接触；其中该超薄光阻层(16)与含硅化合物之接触系于照射及使该超薄光阻层(16)显影之间，或于该超薄光阻层(16)显影之后进行的步骤。

4. 发明专利

TWI550365B 使用後處理方法以加速超紫外線微影之方法有权
简体标题：使用后处理方法以加速超紫外线微影之方法
公开(公告)号：TWI550365B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW103138749
申请日：2014-11-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：德維利耶安東J , DEVILLIERS, ANTON J. , 庫馬寇西克 , KUMAR, KAUSHIK
IPC分类号： G03F7/26
CPC分类号： H01L21/31144 , G03F7/26 , G03F7/265 , H01L21/0272 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31116

5. 发明专利

TW563201B 乾式顯像方法有权
简体标题：干式显像方法
公开(公告)号：TW563201B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW091118308
申请日：2002-08-14
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：北村彰規 , 巴拉薩伯曼尼維德亞 , 稻澤剛一郎 , 西野雅
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/265 , G03F7/0035 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/36 , G03F7/405 , H01L21/31144
摘要：將處理氣體導入於設置在真空處理容器102內的平行平板電極之間，並且施加高頻電力來形成處理氣體的電漿，並藉由以下方式來進行形成於被處理物150上的光阻之乾式顯像。亦即，被蝕刻層152上部的光阻具有包含已顯像的矽之上層光阻156，以及設置於於上層光阻156的下層光阻154，而下層光阻154則藉由，採用一氧化碳氣體及氧氣氣體之混合氣體來進行電漿處理的第1工程，以及採用氮氣氣體及氫氣氣體之混合氣體來進行電漿處理的第2工程，來進行形成於被處理物150上的光阻之乾式顯像。藉由此，可以以高精密且高效率的方式來針對光阻進施以乾式顯像。
简体摘要：将处理气体导入于设置在真空处理容器102内的平行平板电极之间，并且施加高频电力来形成处理气体的等离子，并借由以下方式来进行形成于被处理物150上的光阻之干式显像。亦即，被蚀刻层152上部的光阻具有包含已显像的硅之上层光阻156，以及设置于于上层光阻156的下层光阻154，而下层光阻154则借由，采用一氧化碳气体及氧气气体之混合气体来进行等离子处理的第1工程，以及采用氮气气体及氢气气体之混合气体来进行等离子处理的第2工程，来进行形成于被处理物150上的光阻之干式显像。借由此，可以以高精密且高效率的方式来针对光阻进施以干式显像。

6. 发明专利

TW554076B 電漿蝕刻具有一層可矽烷化材料之基底之方法失效
简体标题：等离子蚀刻具有一层可硅烷化材料之基底之方法
公开(公告)号：TW554076B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW090107763
申请日：2001-03-30
申请人：東京威力科創有限公司
发明人：柳連俊
IPC分类号： C23F
CPC分类号： H01J37/321 , G03F7/265 , G03F7/36
摘要：乾矽烷化方法包括以電漿蝕刻一具有上表面的基底(100)，該上表面(100S)係具有一個或多個矽烷化區域(S1,S2)而且藉由第一層(L1)可矽烷化材料所塗覆。電漿(66)是使用氧氣的而且具有第一區域(66L)及第二區域(66U)，第一區域係具有低電漿密度及高活性基密度，而且第二區域係具有高電漿密度及低活性基密度。該製程包括將一或多個矽烷化區域暴露至第一電漿區域，以形成來自一或多個矽烷化區域的一或多個氧化區域(OR1,OR2)的步驟。下個步驟隨後將基底暴露於第二電漿區域以選擇性蝕刻直接暴露於電漿的矽烷化材料。例如，本發明的方法可用於半導體製造中，形成具有(垂直)側壁(SW)的光阻圖案P。
简体摘要：干硅烷化方法包括以等离子蚀刻一具有上表面的基底(100)，该上表面(100S)系具有一个或多个硅烷化区域(S1,S2)而且借由第一层(L1)可硅烷化材料所涂覆。等离子(66)是使用氧气的而且具有第一区域(66L)及第二区域(66U)，第一区域系具有低等离子密度及高活性基密度，而且第二区域系具有高等离子密度及低活性基密度。该制程包括将一或多个硅烷化区域暴露至第一等离子区域，以形成来自一或多个硅烷化区域的一或多个氧化区域(OR1,OR2)的步骤。下个步骤随后将基底暴露于第二等离子区域以选择性蚀刻直接暴露于等离子的硅烷化材料。例如，本发明的方法可用于半导体制造中，形成具有(垂直)侧壁(SW)的光阻图案P。

7. 发明专利

TW469491B 矽烷化處理裝置及方法失效
简体标题：硅烷化处理设备及方法
公开(公告)号：TW469491B
公开(公告)日：2001-12-21
申请号：TW089124258
申请日：2000-11-16
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：戶島孝之 , 大森傳 , 山下剛秀
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： H01L21/67109 , G03F7/265 , G03F7/70991
摘要：本發明之矽烷化處理裝置包含有一腔室、一設於該室內而用以加熱基板之加熱機構、一用以供給含有矽烷化劑蒸氣入該室內之供給機構及一用以於該腔室內固持前述基板並使基板與前述加熱機構之間隔可做至少3階段之調節的基板固持具;如此，可利用該裝置，於離加熱機構最遠而於不易受腔室內之熱的影響下接受基板，並將基板置於距加熱機構較近處等待處理，一直至該腔室內之溫度保有面內均勻性為止，俟達到面內均勻性後，再進一步靠近加熱機構，使其發生矽烷化反應。
简体摘要：本发明之硅烷化处理设备包含有一腔室、一设于该室内而用以加热基板之加热机构、一用以供给含有硅烷化剂蒸气入该室内之供给机构及一用以于该腔室内固持前述基板并使基板与前述加热机构之间隔可做至少3阶段之调节的基板固持具;如此，可利用该设备，于离加热机构最远而于不易受腔室内之热的影响下接受基板，并将基板置于距加热机构较近处等待处理，一直至该腔室内之温度保有面内均匀性为止，俟达到面内均匀性后，再进一步靠近加热机构，使其发生硅烷化反应。

8. 发明专利

TW426815B 照相平版印刷結構之製造(一) 失效
简体标题：照相平版印刷结构之制造(一)
公开(公告)号：TW426815B
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：TW084109354
申请日：1995-09-07
申请人：西門斯股份有限公司
发明人：瑞凱希茲 , 瑞那路屈納 , 厄威屈密特
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/265 , G03F7/0226 , G03F7/0233 , Y10S430/12
摘要：在以照相平版印刷在次微米範圍內產生結構的方法中,基質上塗上一層光阻劑層,光阻劑由包含羧酸酐基,及三級丁酯-或三級丁氧基羰氧基的聚合物,與包含一種含芳香或脂肪族芳香的羥基化合物、具二疊氮-4-磺酸結構、形式為酯類的光活性成分,以及一種適當的溶劑所組成;光阻劑層係被烘乾,依照影像需要加以感光,並予以溫度處理,溫度介於120℃與150℃之間,過程共100至600秒,然後將光阻劑予以液態矽化,並在各向異性的氧氣電漿中,予以乾式顯像。
简体摘要：在以照相平版印刷在次微米范围内产生结构的方法中,基质上涂上一层光阻剂层,光阻剂由包含羧酸酐基,及三级丁酯-或三级丁氧基羰氧基的聚合物,与包含一种含芳香或脂肪族芳香的羟基化合物、具二叠氮-4-磺酸结构、形式为酯类的光活性成分,以及一种适当的溶剂所组成;光阻剂层系被烘干,依照影像需要加以感光,并予以温度处理,温度介于120℃与150℃之间,过程共100至600秒,然后将光阻剂予以液态硅化,并在各向异性的氧气等离子中,予以干式显像。

9. 发明专利

TW201500851A 使用硫代硫酸聚合物鉗合金屬之方法审中-公开
简体标题：使用硫代硫酸聚合物钳合金属之方法
公开(公告)号：TW201500851A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103110178
申请日：2014-03-18
申请人：柯達公司 , EASTMAN KODAK COMPANY
发明人：蘇可拉迪帕可 , SHUKLA, DEEPAK , 督諾凡凱文M , DONOVAN, KEVIN M.
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40 , C23C18/20 , C23C18/31
CPC分类号： G03F7/265 , G03F7/038 , G03F7/32 , G03F7/405 , H01L21/00
摘要：本發明揭示一種硫代硫酸聚合物組合物，其包括作為單獨化合物或與硫代硫酸聚合物連接之接受電子之光敏劑組分。硫代硫酸聚合物組合物可施用於各種物件上，或用於在光熱反應以形成交聯的二硫鍵、移除非交聯聚合物及與二硫反應性材料反應之後形成預定聚合圖案。該等硫代硫酸聚合物組合物亦可用於鉗合金屬。
简体摘要：本发明揭示一种硫代硫酸聚合物组合物，其包括作为单独化合物或与硫代硫酸聚合物连接之接受电子之光敏剂组分。硫代硫酸聚合物组合物可施用于各种对象上，或用于在光热反应以形成交联的二硫键、移除非交联聚合物及与二硫反应性材料反应之后形成预定聚合图案。该等硫代硫酸聚合物组合物亦可用于钳合金属。

10. 发明专利

TW200740689A 使用具不穩定鍵結之模板製造無機材料 FABRICATION OF INORGANIC MATERIALS USING TEMPLATES WITH LABILE LINKAGE 审中-公开
简体标题：使用具不稳定键结之模板制造无机材料 FABRICATION OF INORGANIC MATERIALS USING TEMPLATES WITH LABILE LINKAGE
公开(公告)号：TW200740689A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096108237
申请日：2007-03-09
申请人：坎畢歐科技公司 CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORP.
发明人：皮耶-馬可艾勒蒙 ALLEMAND, PIERRE-MARC , 曼弗埃海德克 HEIDECKER, MANFRED , 葛列果里L 柯克 KIRK, GREGORY L. , 希納寬 QUAN, XINA , 汪正一 WANG, CHENG-I
IPC分类号： B82B
CPC分类号： G03F7/265 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G01N33/54353 , G03F7/165 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02521 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647
摘要：本發明描述一種形成積體電路層材料之方法,其包含將一層模板沈積於基板上,該模板包括一對該基板具有親和力之第一結合位點、一對靶積體電路材料具有親和力之第二結合位點及經由不穩定鍵結與該第二結合位點偶合以防止該結合位點與該靶積體電路材料結合之保護材料;使該模板暴露於外部刺激以使該不穩定鍵結降解;移除該保護材料;及使該積體電路材料與該第二結合位點結合。
简体摘要：本发明描述一种形成集成电路层材料之方法,其包含将一层模板沉积于基板上,该模板包括一对该基板具有亲和力之第一结合位点、一对靶集成电路材料具有亲和力之第二结合位点及经由不稳定键结与该第二结合位点偶合以防止该结合位点与该靶集成电路材料结合之保护材料;使该模板暴露于外部刺激以使该不稳定键结降解;移除该保护材料;及使该集成电路材料与该第二结合位点结合。

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