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1. 发明专利

TW480575B 使用快速熱退火爐對光阻烘乾之方法及系統有权
简体标题：使用快速热退火炉对光阻烘干之方法及系统
公开(公告)号：TW480575B
公开(公告)日：2002-03-21
申请号：TW090110316
申请日：2001-04-30
申请人：高級微裝置公司
发明人：瑞姆庫碼薩伯瑞尼亞 , 麥克K 坦布烈頓 , 巴瑞斯瑞加拉罕 , 巴華辛
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/38
摘要：在一實施形態下，本發明為有關於處理照射光阻的方法，包含有下列步驟；置放有照射光阻之基板(23)在第一個溫度下的快速熱退火爐(21)；以約0.1秒至10秒的時間，將有照射光阻之基板(23)加熱至第二個溫度；再以約0.1秒至10秒的時間，將快速退火爐內有照射光阻之基板(23)冷卻至第三個溫度；和顯影照射光阻，其中第二個溫度是較高於第一個和第三個溫度。兩另一個實施形態，本發明為有關於處理光阻的系統，包含光化放熱源和選擇性地照射光阻的面罩；用以快速加熱及快速冷卻照射光阻的快速熱退火爐(21)；其中，快速加熱及快速冷卻是獨立地在約0.1秒到10秒之間傳導；及用以顯影由快速熱退火爐加熱及和選擇性地照射光阻形成要求圖樣照射光阻的顯影液。
简体摘要：在一实施形态下，本发明为有关于处理照射光阻的方法，包含有下列步骤；置放有照射光阻之基板(23)在第一个温度下的快速热退火炉(21)；以约0.1秒至10秒的时间，将有照射光阻之基板(23)加热至第二个温度；再以约0.1秒至10秒的时间，将快速退火炉内有照射光阻之基板(23)冷却至第三个温度；和显影照射光阻，其中第二个温度是较高于第一个和第三个温度。两另一个实施形态，本发明为有关于处理光阻的系统，包含光化放热源和选择性地照射光阻的面罩；用以快速加热及快速冷却照射光阻的快速热退火炉(21)；其中，快速加热及快速冷却是独立地在约0.1秒到10秒之间传导；及用以显影由快速热退火炉加热及和选择性地照射光阻形成要求图样照射光阻的显影液。

2. 发明专利

TW498407B UV增强烷矽化處理以增加超薄光阻的蝕刻阻抗失效
简体标题： UV增强烷硅化处理以增加超薄光阻的蚀刻阻抗
公开(公告)号：TW498407B
公开(公告)日：2002-08-11
申请号：TW090110325
申请日：2001-04-30
申请人：高級微裝置公司
发明人：巴瑞斯瑞加拉罕 , 括伊A 潘 , 瑞姆庫碼薩伯瑞尼亞 , 巴華辛 , 麥克K 坦布烈頓 , 山傑K 尤多 , 布萊恩裘
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/265 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要：本發明係於一實施例中有關一種處理超薄光阻層(16)的方法，包括在半導體基板(12)上沉積該超薄光阻層(16)，該超薄光阻層(16)具有小於約3,000埃的厚度；利用具有約250毫微米或更短波長之電磁輻射照射該超薄光阻層(16)；使該超薄光阻層(16)顯影；並在紫外光和臭氧至少其中之一的環境下，使該超薄光阻層(16)與含矽化合物接觸；其中該超薄光阻層(16)與含矽化合物之接觸係於照射及使該超薄光阻層(16)顯影之間，或於該超薄光阻層(16)顯影之後進行的步驟。
简体摘要：本发明系于一实施例中有关一种处理超薄光阻层(16)的方法，包括在半导体基板(12)上沉积该超薄光阻层(16)，该超薄光阻层(16)具有小于约3,000埃的厚度；利用具有约250毫微米或更短波长之电磁辐射照射该超薄光阻层(16)；使该超薄光阻层(16)显影；并在紫外光和臭氧至少其中之一的环境下，使该超薄光阻层(16)与含硅化合物接触；其中该超薄光阻层(16)与含硅化合物之接触系于照射及使该超薄光阻层(16)显影之间，或于该超薄光阻层(16)显影之后进行的步骤。

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