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1. 发明专利

TW201133618A 利用ＣＯ2／ＣＯ基處理以灰化基板之低損害方法 LOW DAMAGE METHOD FOR ASHING A SUBSTRATE USING CO2/CO-BASED PROCESS 审中-公开
简体标题：利用ＣＯ2／ＣＯ基处理以灰化基板之低损害方法 LOW DAMAGE METHOD FOR ASHING A SUBSTRATE USING CO2/CO-BASED PROCESS
公开(公告)号：TW201133618A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099125101
申请日：2010-07-29
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：葉克文 , 西野雅 , 朱宗煥 , 富赫皮耶雅尼克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31138 , H01L21/02063 , H01L21/3105 , Y10S134/902
摘要：本發明係關於一種移除遮罩層並且降低圖案化介電層之損害的方法。該方法包含將一基板配置在一電漿處理系統中，其中該基板具有形成於其上的一介電層以及覆蓋該介電層的一遮罩層。在該遮罩層中形成一圖案，以及對應該圖案的一特徵部可因為蝕刻處理而形成在該介電層中，該蝕刻處理可用以將該遮罩層中的該圖案轉印到該介電層。該特徵部包含具有因該蝕刻處理所引起之第一粗糙度的一側壁。將包含CO2與CO的一製程氣體導入到該電漿處理系統內，並且形成電漿。移除該遮罩層，並且藉由選擇相對於CO2流率的CO流率而產生小於該第一粗糙度的第二粗糙度。
简体摘要：本发明系关于一种移除遮罩层并且降低图案化介电层之损害的方法。该方法包含将一基板配置在一等离子处理系统中，其中该基板具有形成于其上的一介电层以及覆盖该介电层的一遮罩层。在该遮罩层中形成一图案，以及对应该图案的一特征部可因为蚀刻处理而形成在该介电层中，该蚀刻处理可用以将该遮罩层中的该图案转印到该介电层。该特征部包含具有因该蚀刻处理所引起之第一粗糙度的一侧壁。将包含CO2与CO的一制程气体导入到该等离子处理系统内，并且形成等离子。移除该遮罩层，并且借由选择相对于CO2流率的CO流率而产生小于该第一粗糙度的第二粗糙度。

2. 发明专利

TWI417960B 利用ＣＯ／ＣＯ基處理以灰化基板之低損害方法有权
简体标题：利用ＣＯ／ＣＯ基处理以灰化基板之低损害方法
公开(公告)号：TWI417960B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW099125101
申请日：2010-07-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：葉克文 , ZIN, KELVIN , 西野雅 , NISHINO, MASARU , 朱宗煥 , CHU, CHONG H. , 富赫皮耶雅尼克 , FEURPRIER, YANNICK
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/31138 , H01L21/02063 , H01L21/3105 , Y10S134/902

3. 发明专利

TWI399808B 蝕刻方法及蝕刻裝置有权
简体标题：蚀刻方法及蚀刻设备
公开(公告)号：TWI399808B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW095110091
申请日：2006-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 西野雅 , NISHINO, MASARU
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F1/12

4. 发明专利

TW201530605A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201530605A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103136701
申请日：2014-10-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西野雅 , NISHINO, MASARU , 舟久保隆男 , FUNAKUBO, TAKAO , 狐塚慎一 , KOZUKA, SHINICHI , 新妻良祐 , NIITSUMA, RYOSUKE , 伊藤務 , ITO, TSUTOMU
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/32 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/31116
摘要：本發明提供一種電漿處理方法及電漿處理裝置，將含有金屬的附著物效率良好地去除。該電漿處理方法，藉由含有CxFy氣體（其中，x為2以下的整數，y為6以下的整數），且不含氯系氣體及氮系氣體的處理氣體之電漿，將附著於配置在處理容器內部之構件的含有過渡金屬及卑金屬中之至少任一方的附著物去除。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理方法及等离子处理设备，将含有金属的附着物效率良好地去除。该等离子处理方法，借由含有CxFy气体（其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数），且不含氯系气体及氮系气体的处理气体之等离子，将附着于配置在处理容器内部之构件的含有过渡金属及卑金属中之至少任一方的附着物去除。

5. 发明专利

TW201342462A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201342462A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101145748
申请日：2012-12-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：西野雅 , NISHINO, MASARU , 真壁正嗣 , MAKABE, MASATSUGU , 長山將之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI , 半田達也 , HANDA, TATSUYA , 綠川良太郎 , MIDORIKAWA, RYOTARO , 小林啟悟 , KOBAYASHI, KEIGO , 仁矢鐵也 , NIYA, TETSUYA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495
摘要：本發明提供一種電漿處理裝置及電漿處理方法，在導入含鹵素氣體及含氧氣氣體之電漿處理中，抑制微小微粒的產生。本發明提供之電漿處理裝置10具備：可減壓之處理容器12；下部電極，兼作於處理容器載置晶圓W之載置台20；上部電極或天線電極，以與下部電極對向的方式配置；氣體供給源32，將含鹵素氣體及含氧氣氣體導入處理容器內；高頻電源18，對上部電極、天線電極或下部電極之至少任一電極施加電漿產生用之高頻電力；以及電漿處理之機構，以電漿產生用之高頻電力使該氣體電漿化，藉由電漿之作用將載置台上之晶圓進行電漿處理；其特徵為：在處理容器內之暴露於電漿的表面中，至少將較晶圓之載置位置更接近上部電極側、天線電極或下部電極側之高度的表面其一部分或全部，以氟化物包覆。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理设备及等离子处理方法，在导入含卤素气体及含氧气气体之等离子处理中，抑制微小微粒的产生。本发明提供之等离子处理设备10具备：可减压之处理容器12；下部电极，兼作于处理容器载置晶圆W之载置台20；上部电极或天线电极，以与下部电极对向的方式配置；气体供给源32，将含卤素气体及含氧气气体导入处理容器内；高频电源18，对上部电极、天线电极或下部电极之至少任一电极施加等离子产生用之高频电力；以及等离子处理之机构，以等离子产生用之高频电力使该气体等离子化，借由等离子之作用将载置台上之晶圆进行等离子处理；其特征为：在处理容器内之暴露于等离子的表面中，至少将较晶圆之载置位置更接近上部电极侧、天线电极或下部电极侧之高度的表面其一部分或全部，以氟化物包覆。

6. 发明专利

TWI336107B 低介電常數蝕刻後之無損害灰化製程及系統 DAMAGE-FREE ASHING PROCESS AND SYSTEM FOR POST LOW-K ETCH 有权
简体标题：低介电常数蚀刻后之无损害灰化制程及系统 DAMAGE-FREE ASHING PROCESS AND SYSTEM FOR POST LOW-K ETCH
公开(公告)号：TWI336107B
公开(公告)日：2011-01-11
申请号：TW095128131
申请日：2006-08-01
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：西野雅 , 道格拉斯M 崔克特
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76814 , H01L21/02063
摘要：一種蝕刻低介電常數(low－k)層中之特徵部後的基板灰化處理。該low－k層可包含超low－k材料或多孔low－k材料。該處理可用以移除蝕刻副產物同時保持特徵部之關鍵尺寸。該灰化處理包含使用含氮及含氫化學品，並使用包含氧之鈍化化學品，如O2、CO或CO2或其任何組合。
简体摘要：一种蚀刻低介电常数(low－k)层中之特征部后的基板灰化处理。该low－k层可包含超low－k材料或多孔low－k材料。该处理可用以移除蚀刻副产物同时保持特征部之关键尺寸。该灰化处理包含使用含氮及含氢化学品，并使用包含氧之钝化化学品，如O2、CO或CO2或其任何组合。

7. 发明专利

TWI597773B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI597773B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW101145748
申请日：2012-12-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：西野雅 , NISHINO, MASARU , 真壁正嗣 , MAKABE, MASATSUGU , 長山將之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI , 半田達也 , HANDA, TATSUYA , 綠川良太郎 , MIDORIKAWA, RYOTARO , 小林啟悟 , KOBAYASHI, KEIGO , 仁矢鐵也 , NIYA, TETSUYA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495

8. 发明专利

TWI390592B 利用二氧化碳以進行基板灰化之方法及裝置有权
简体标题：利用二氧化碳以进行基板灰化之方法及设备
公开(公告)号：TWI390592B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW096147204
申请日：2007-12-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：維德納森包拉柏瑞尼恩 , BALASUBRAMANIAM, VAIDYANATHAN , 西野雅 , NISHINO, MASARU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31138 , G03F7/427 , H01L21/02063

9. 发明专利

TW563201B 乾式顯像方法有权
简体标题：干式显像方法
公开(公告)号：TW563201B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW091118308
申请日：2002-08-14
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：北村彰規 , 巴拉薩伯曼尼維德亞 , 稻澤剛一郎 , 西野雅
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/265 , G03F7/0035 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/36 , G03F7/405 , H01L21/31144
摘要：將處理氣體導入於設置在真空處理容器102內的平行平板電極之間，並且施加高頻電力來形成處理氣體的電漿，並藉由以下方式來進行形成於被處理物150上的光阻之乾式顯像。亦即，被蝕刻層152上部的光阻具有包含已顯像的矽之上層光阻156，以及設置於於上層光阻156的下層光阻154，而下層光阻154則藉由，採用一氧化碳氣體及氧氣氣體之混合氣體來進行電漿處理的第1工程，以及採用氮氣氣體及氫氣氣體之混合氣體來進行電漿處理的第2工程，來進行形成於被處理物150上的光阻之乾式顯像。藉由此，可以以高精密且高效率的方式來針對光阻進施以乾式顯像。
简体摘要：将处理气体导入于设置在真空处理容器102内的平行平板电极之间，并且施加高频电力来形成处理气体的等离子，并借由以下方式来进行形成于被处理物150上的光阻之干式显像。亦即，被蚀刻层152上部的光阻具有包含已显像的硅之上层光阻156，以及设置于于上层光阻156的下层光阻154，而下层光阻154则借由，采用一氧化碳气体及氧气气体之混合气体来进行等离子处理的第1工程，以及采用氮气气体及氢气气体之混合气体来进行等离子处理的第2工程，来进行形成于被处理物150上的光阻之干式显像。借由此，可以以高精密且高效率的方式来针对光阻进施以干式显像。

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