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1. 发明专利

TWI596435B 用以使用二次曝光界定多個層圖案的方法有权
简体标题：用以使用二次曝光界定多个层图案的方法
公开(公告)号：TWI596435B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW104138455
申请日：2015-11-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：翁明暉 , WENG, MING HUEI , 張慶裕 , CHANG, CHING YU , 陳俊光 , CHEN, CHUN KUANG
IPC分类号： G03F7/095 , G03F7/20 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/091 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/2022 , G03F7/203 , G03F7/32 , G03F7/38

2. 发明专利

TWI553417B 用於可顯像的底部抗反射塗層與經染色的植入光阻之化學放大方法及技術有权
简体标题：用于可显像的底部抗反射涂层与经染色的植入光阻之化学放大方法及技术
公开(公告)号：TWI553417B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW104105998
申请日：2015-02-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：希爾史帝芬 , SCHEER, STEVEN , 卡卡希麥可A , CARCASI, MICHAEL A. , 盧斯薩克班傑明M , RATHSACK, BENJAMEN M. , 桑末薇拉馬克H , SOMERVELL, MARK H. , 豪格約書亞S , HOOGE, JOSHUA S.
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/22 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0276 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/203 , H01L21/0271

3. 发明专利

TWI514015B 彩色濾光片基板之曝光方法失效
简体标题：彩色滤光片基板之曝光方法
公开(公告)号：TWI514015B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW100101570
申请日：2011-01-17
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：松井浩平 , MATSUI, KOHEI , 安井亮輔 , YASUI, RYOSUKE
IPC分类号： G02B5/20 , G03F7/22 , G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/13394 , G02B5/201 , G02F1/133516 , G02F2001/133388 , G03F7/0007 , G03F7/203 , G03F7/70466 , G03F7/70791

4. 发明专利

TW201541194A 用於可顯像的底部抗反射塗層與經染色的植入光阻之化學放大方法及技術审中-公开
简体标题：用于可显像的底部抗反射涂层与经染色的植入光阻之化学放大方法及技术
公开(公告)号：TW201541194A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104105998
申请日：2015-02-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：希爾史帝芬 , SCHEER, STEVEN , 卡卡希麥可A , CARCASI, MICHAEL A. , 盧斯薩克班傑明M , RATHSACK, BENJAMEN M. , 桑末薇拉馬克H , SOMERVELL, MARK H. , 豪格約書亞S , HOOGE, JOSHUA S.
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/22 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0276 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/203 , H01L21/0271
摘要：本發明揭露光敏化學放大型光阻化學品(PS-CAR)用之在半導體基板上圖案化光敏薄膜(如抗反射塗層上之光阻)的方法。在一實施例中，一兩步驟曝光製程可在光阻層內產生較高酸濃度的區域。PS-CAR化學品可包含光酸產生劑(PAG)與能促進PAG分解為酸的光敏劑成分。第一曝光可為圖案化EUV或UV曝光，產生初始量的酸與光敏劑。第二曝光可為非-EUV之全面曝光，激發光敏劑以增加薄膜疊層中光敏劑所在處的酸產生率。可藉著使用光阻層、下層及/或上層的某些特性(如厚度、折射率、摻雜)以最佳化在曝光期間能量的分佈。
简体摘要：本发明揭露光敏化学放大型光阻化学品(PS-CAR)用之在半导体基板上图案化光敏薄膜(如抗反射涂层上之光阻)的方法。在一实施例中，一两步骤曝光制程可在光阻层内产生较高酸浓度的区域。PS-CAR化学品可包含光酸产生剂(PAG)与能促进PAG分解为酸的光敏剂成分。第一曝光可为图案化EUV或UV曝光，产生初始量的酸与光敏剂。第二曝光可为非-EUV之全面曝光，激发光敏剂以增加薄膜叠层中光敏剂所在处的酸产生率。可借着使用光阻层、下层及/或上层的某些特性(如厚度、折射率、掺杂)以最优化在曝光期间能量的分布。

5. 发明专利

TW201409183A 形成緻密間距圖案的方法审中-公开
简体标题：形成致密间距图案的方法
公开(公告)号：TW201409183A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW101141708
申请日：2012-11-09
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORP.
发明人：吳俊偉 , WU, CHUN WEI
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2022 , G03F1/50 , G03F7/203 , G03F7/70458 , G03F7/70466
摘要：本發明提供了一種形成緻密間距圖案的方法。首先提供一目標圖案包含複數個第一條狀圖案，第一條狀圖案具有一第一寬度以及一第一長度。接著提供一光罩具有複數個第二條狀圖案對應於第一條狀圖案，其中第二條狀圖案具有一第二寬度以及一第二長度。然後在一曝光系統中利用光罩進行一第一曝光製程，第一曝光製程使用一第一光源，其可以解析出第二條狀圖案的第二寬度。最後在曝光系統中利用光罩進行一第二曝光製程，第二曝光製程使用一第二光源，其不能解析出第二條狀圖案的第二寬度。
简体摘要：本发明提供了一种形成致密间距图案的方法。首先提供一目标图案包含复数个第一条状图案，第一条状图案具有一第一宽度以及一第一长度。接着提供一光罩具有复数个第二条状图案对应于第一条状图案，其中第二条状图案具有一第二宽度以及一第二长度。然后在一曝光系统中利用光罩进行一第一曝光制程，第一曝光制程使用一第一光源，其可以解析出第二条状图案的第二宽度。最后在曝光系统中利用光罩进行一第二曝光制程，第二曝光制程使用一第二光源，其不能解析出第二条状图案的第二宽度。

6. 发明专利

TWI423307B 製造微結構的方法有权
简体标题：制造微结构的方法
公开(公告)号：TWI423307B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW099138132
申请日：2010-11-05
申请人：遠東新世紀股份有限公司 , FAR EASTERN NEW CENTURY CORPORATION
发明人：邱大任 , CHIOU, DA REN , 洪維澤 , HUNG, WEI CHE , 林士越 , LIN, SHOH YUE , 陳秋芳 , CHEN, CHIU FANG , 陳姿穎 , CHEN, TZU YING
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/027 , G03F7/203 , G03F7/26

7. 发明专利

TWI410752B 曝光裝置及曝光方法以及配線基板的製造方法有权
简体标题：曝光设备及曝光方法以及配线基板的制造方法
公开(公告)号：TWI410752B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW095104222
申请日：2006-02-08
申请人：日立比亞機械股份有限公司 , HITACHI VIA MECHANICS, LTD.
发明人：山口欣秀 , YAMAGUCHI, YOSHIHIDE , 小山洋 , OYAMA, HIROSHI
IPC分类号： G03F7/20 , H05K3/10
CPC分类号： G03F7/70291 , G03F7/203 , G03F7/7005 , G03F7/70383 , G03F7/70466 , H05K3/0082

8. 发明专利

TW201321903A 光學波長分光裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：光学波长分光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201321903A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101131710
申请日：2012-08-31
申请人：光子晶片有限公司 , PHOTON CHIP INC.
发明人：柯正浩 , KO, CHENG HAO
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G01J3/04 , G01J3/02 , G02B6/12007 , G02B6/138 , G02B6/29307 , G02B6/29308 , G02B6/2931 , G02B2006/12107 , G03F7/0005 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/201 , G03F7/2024 , G03F7/203 , G03F7/2039 , G03F7/30
摘要：本發明揭露一種光學波長分光裝置，主要由一第一基板、一輸入單元、一光柵以及一第二基板所組成。該輸入單元形成於該第一基板上，並具有一狹縫以接收一光學訊號；該光柵形成於該第一基板上，可根據該光學訊號產生一輸出之第一光束。其中，該輸入單元以及該光柵係利用高能量光源對一光阻層進行曝光所形成。
简体摘要：本发明揭露一种光学波长分光设备，主要由一第一基板、一输入单元、一光栅以及一第二基板所组成。该输入单元形成于该第一基板上，并具有一狭缝以接收一光学信号；该光栅形成于该第一基板上，可根据该光学信号产生一输出之第一光束。其中，该输入单元以及该光栅系利用高能量光源对一光阻层进行曝光所形成。

9. 发明专利

TW201312277A 光阻圖型之形成方法审中-公开
简体标题：光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TW201312277A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101116661
申请日：2012-05-10
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：橫谷次郎 , YOKOYA, JIRO , 中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 竹下優 , TAKESHITA, MASARU , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO , 齋藤弘國 , SAITO, HIROKUNI
IPC分类号： G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/203 , G03F7/2041 , G03F7/26 , G03F7/38
摘要：一種光阻圖型之形成方法，其特徵為包含，使用含有經由酸之作用而增大對鹼顯影液之溶解性的基材成份，與光鹼產生劑成份之光阻組成物，於支撐體上形成光阻膜之步驟(1)，與使前述光阻膜曝光之步驟(2)，與於前述步驟(2)之後進行燒焙，於前述光阻膜之曝光部中，使前述經由曝光而於前述光鹼產生劑成份所產生之鹼，與預先供應於前述光阻膜之酸進行中和，於前述光阻膜之未曝光部中，經由預先供應於前述光阻膜之酸的作用，而增大前述基材成份對鹼顯影液之溶解性的步驟(3)，與使前述光阻膜經由鹼顯影，將前述光阻膜之未曝光部溶解去除以形成負型光阻圖型之步驟(4)。
简体摘要：一种光阻图型之形成方法，其特征为包含，使用含有经由酸之作用而增大对碱显影液之溶解性的基材成份，与光碱产生剂成份之光阻组成物，于支撑体上形成光阻膜之步骤(1)，与使前述光阻膜曝光之步骤(2)，与于前述步骤(2)之后进行烧焙，于前述光阻膜之曝光部中，使前述经由曝光而于前述光碱产生剂成份所产生之碱，与预先供应于前述光阻膜之酸进行中和，于前述光阻膜之未曝光部中，经由预先供应于前述光阻膜之酸的作用，而增大前述基材成份对碱显影液之溶解性的步骤(3)，与使前述光阻膜经由碱显影，将前述光阻膜之未曝光部溶解去除以形成负型光阻图型之步骤(4)。

10. 发明专利

TW201300942A 圖案形成方法、使用其的電子元件的製造方法以及電子元件审中-公开
简体标题：图案形成方法、使用其的电子组件的制造方法以及电子组件
公开(公告)号：TW201300942A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101121441
申请日：2012-06-15
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上羽亮介 , UEBA, RYOSUKE
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： H05K3/0023 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/0757 , G03F7/11 , G03F7/203 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/70466 , H01L21/0274 , Y10T428/24273
摘要：提供一種用於在基板中形成孔圖案的圖案形成方法，包括各自依序含步驟（1）至（6）之圖案形成步驟：（1）藉使用含以下之化學增幅型抗蝕劑組成物在基板上形成抗蝕劑膜：（A）能藉酸作用而增加極性以降低在含有機溶劑之顯影劑中之溶解度的樹脂，及（B）能在用光化射線或放射線照射時產生酸的化合物；（2）曝光抗蝕劑膜以形成第一線-間隙潛影；（3）曝光抗蝕劑膜以形成第二線-間隙潛影；（4）藉使用含有機溶劑之顯影劑使抗蝕劑膜顯影，以在抗蝕劑膜中形成孔圖案群；（5）對具有抗蝕劑膜之基板施加蝕刻處理；及（6）移除抗蝕劑膜。
简体摘要：提供一种用于在基板中形成孔图案的图案形成方法，包括各自依序含步骤（1）至（6）之图案形成步骤：（1）藉使用含以下之化学增幅型抗蚀剂组成物在基板上形成抗蚀剂膜：（A）能藉酸作用而增加极性以降低在含有机溶剂之显影剂中之溶解度的树脂，及（B）能在用光化射线或放射线照射时产生酸的化合物；（2）曝光抗蚀剂膜以形成第一线-间隙潜影；（3）曝光抗蚀剂膜以形成第二线-间隙潜影；（4）藉使用含有机溶剂之显影剂使抗蚀剂膜显影，以在抗蚀剂膜中形成孔图案群；（5）对具有抗蚀剂膜之基板施加蚀刻处理；及（6）移除抗蚀剂膜。

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