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1. 发明专利

TW201642015A 光罩基底、轉印用遮罩及轉印用遮罩之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、转印用遮罩及转印用遮罩之制造方法
公开(公告)号：TW201642015A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105125341
申请日：2010-07-14
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 小湊淳志 , KOMINATO, ATSUSHI , 岩下浩之 , IWASHITA, HIROYUKI , 野澤順 , NOZAWA, OSAMU
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/50
CPC分类号： G03F1/74 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要：本發明提供一種光罩基底，可較佳地應用EB缺陷修正，且可使遮光膜薄膜化。本發明之光罩基底係用於製作應用ArF曝光光之轉印用遮罩，且於透光性基板上具有遮光膜者，遮光膜係含有包含過渡金屬及矽、且進而包含選自氧及氮之至少一種以上元素之材料者。該遮光膜不受帶電粒子照射之狀態下相對於含氟物質之蝕刻速率，相對於受帶電粒子照射之狀態下相對於含氟物質之蝕刻速率係慢到可至少確保蝕刻選擇性。
简体摘要：本发明提供一种光罩基底，可较佳地应用EB缺陷修正，且可使遮光膜薄膜化。本发明之光罩基底系用于制作应用ArF曝光光之转印用遮罩，且于透光性基板上具有遮光膜者，遮光膜系含有包含过渡金属及硅、且进而包含选自氧及氮之至少一种以上元素之材料者。该遮光膜不受带电粒子照射之状态下相对于含氟物质之蚀刻速率，相对于受带电粒子照射之状态下相对于含氟物质之蚀刻速率系慢到可至少确保蚀刻选择性。

2. 发明专利

TW201635008A 光罩基底、相移光罩、相移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、相移光罩、相移光罩之制造方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201635008A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105101760
申请日：2016-01-20
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：小湊淳志 , KOMINATO, ATSUSHI , 野澤順 , NOZAWA, OSAMU
IPC分类号： G03F1/26
CPC分类号： G03F1/32 , C23C14/06 , C23C14/0676 , C23C14/5806 , G03F1/54 , G03F1/74 , G03F7/2006 , H01L21/0275
摘要：本發明提供一種具備相移膜之光罩基底，上述相移膜對ArF準分子雷射之曝光用光具有特定之透過率及特定之相位差，且於進行EB缺陷修正時，用以檢測與透光性基板之邊界的蝕刻終點之檢測容易。本發明係製成如下光罩基底：相移膜具有如下功能：使ArF準分子雷射之曝光用光以10%以上且20%以下之透過率透過；及對於透過相移膜之曝光用光，使其在與僅以與相移膜之厚度相同之距離於空氣中通過的曝光用光之間產生150度以上且190度以下之相位差；並且相移膜係由含有金屬、矽、氮及氧之材料形成，該膜中之金屬之含量相對於金屬及矽之合計含量之比率為5%以上且10%以下，相移膜之氧含量為10原子%以上，相移膜之矽含量為氧含量之3倍以上。
简体摘要：本发明提供一种具备相移膜之光罩基底，上述相移膜对ArF准分子激光之曝光用光具有特定之透过率及特定之相位差，且于进行EB缺陷修正时，用以检测与透光性基板之边界的蚀刻终点之检测容易。本发明系制成如下光罩基底：相移膜具有如下功能：使ArF准分子激光之曝光用光以10%以上且20%以下之透过率透过；及对于透过相移膜之曝光用光，使其在与仅以与相移膜之厚度相同之距离于空气中通过的曝光用光之间产生150度以上且190度以下之相位差；并且相移膜系由含有金属、硅、氮及氧之材料形成，该膜中之金属之含量相对于金属及硅之合计含量之比率为5%以上且10%以下，相移膜之氧含量为10原子%以上，相移膜之硅含量为氧含量之3倍以上。

3. 发明专利

TWI522731B 光罩基底、轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：光罩基底、转印用光罩、转印用光罩之制造方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI522731B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW100146569
申请日：2011-12-15
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：小湊淳志 , KOMINATO, ATSUSHI , 橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 岩下浩之 , IWASHITA, HIROYUKI
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/74
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/00 , G03F1/58 , G03F1/74 , G03F7/2006 , Y10T428/24942

4. 发明专利

TWI442440B 複合聚焦離子束裝置及使用此之加工觀察方法、加工方法有权
简体标题：复合聚焦离子束设备及使用此之加工观察方法、加工方法
公开(公告)号：TWI442440B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW097130070
申请日：2008-08-07
申请人：精工電子納米科技有限公司 , SII NANOTECHNOLOGY INC.
发明人：皆藤孝 , KAITO, TAKASHI , 相田和男 , AIDA, KAZUO , 杉山安彥 , SUGIYAMA, YASUHIKO , 岩崎浩二 , IWASAKI, KOUJI , 藤井利昭 , FUJII, TOSHIAKI , 田代純一 , TASHIRO, JUNICHI , 小川貴史 , OGAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01J37/08 , G01N23/22
CPC分类号： H01J37/3056 , G01N1/286 , G01N1/32 , G03F1/74 , G03F1/84 , H01J37/08 , H01J37/3005 , H01J2237/0805 , H01J2237/0807 , H01J2237/31745

5. 发明专利

TW200508408A 修補光罩之方法 METHOD FOR REPAIR OF PHOTOMASKS 审中-公开
简体标题：修补光罩之方法 METHOD FOR REPAIR OF PHOTOMASKS
公开(公告)号：TW200508408A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093125902
申请日：2004-08-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：柯武宏 KO, WUHUNG , 康東耀 KANG, TUNGYAW , 溫志偉 WEN, CHIHWEI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： G03F1/74
摘要：本發明是有關於一種在一積體電路的製造中，用以從一製造系統中移除在一光罩之缺陷修補期間所使用之蝕刻助氣的方法，至少包括：(a)檢視該光罩與偵測一缺陷，該缺陷是位在一缺陷區中；以及，(b)修補該缺陷，其中添加可有效達成目的之一定數量的苯乙烯至該系統中。經由本發明之方法，可減少殘留在MOS膜上的氣體數量，使得光罩上造成較少的表面缺陷。
简体摘要：本发明是有关于一种在一集成电路的制造中，用以从一制造系统中移除在一光罩之缺陷修补期间所使用之蚀刻助气的方法，至少包括：(a)视图该光罩与侦测一缺陷，该缺陷是位在一缺陷区中；以及，(b)修补该缺陷，其中添加可有效达成目的之一定数量的苯乙烯至该系统中。经由本发明之方法，可减少残留在MOS膜上的气体数量，使得光罩上造成较少的表面缺陷。

6. 发明专利

TW472174B 光罩、其製造方法及半導體裝置失效
简体标题：光罩、其制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW472174B
公开(公告)日：2002-01-11
申请号：TW089112163
申请日：2000-06-21
申请人：三菱電機股份有限公司 , 菱電半導體系統工程股份有限公司
发明人：永村美一 , 鈴木和人 , 細野邦博
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/72 , G03F1/74
摘要：本發明之光罩、其製造方法及半導體裝置，係設計圖案尺寸，例如在光罩上之尺寸大約縮小到1μm時則缺陷修正部分之透射係數下降，隨之引起阻劑圖案之尺寸波動，對半導體裝置之質量帶來不利影響，對此予以改善。
以規定之輸出條件照射雷射、為消除凸形缺陷13之修正照射區域14被設定成14A和14B，其中14A為包括凸形缺陷13在內之寬度wl和w2之照射區域，14B為從凸形缺陷13和圖案邊緣12E之連接部分朝向第1方向Dl之負方向擴展修正偏移量Δw之絕對值且具有寬度w2之圖案修正區域。需要設定好修正偏移量Δw，使複製後之阻劑圖案之尺寸波動率控制在裝置對質量要求之容許範圍內。雷射照射後，圖案邊緣12E之一部分呈帶有寬度為∣Δw∣缺口之狀態。
简体摘要：本发明之光罩、其制造方法及半导体设备，系设计图案尺寸，例如在光罩上之尺寸大约缩小到1μm时则缺陷修正部分之透射系数下降，随之引起阻剂图案之尺寸波动，对半导体设备之质量带来不利影响，对此予以改善。以规定之输出条件照射激光、为消除凸形缺陷13之修正照射区域14被设置成14A和14B，其中14A为包括凸形缺陷13在内之宽度wl和w2之照射区域，14B为从凸形缺陷13和图案边缘12E之连接部分朝向第1方向Dl之负方向扩展修正偏移量Δw之绝对值且具有宽度w2之图案修正区域。需要设置好修正偏移量Δw，使复制后之阻剂图案之尺寸波动率控制在设备对质量要求之容许范围内。激光照射后，图案边缘12E之一部分呈带有宽度为∣Δw∣缺口之状态。

7. 发明专利

TW201728993A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201728993A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105137202
申请日：2016-11-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：石訓全 , SHIH, HSUN CHUAN , 李岳勳 , LI, YUEH HSUN , 朱遠志 , CHU, YUAN CHIH , 秦聖基 , CHIN, SHENG CHI
IPC分类号： G03F1/72 , G03F7/20 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/321
CPC分类号： G03F1/72 , C23C16/047 , C23C16/45523 , G03F1/22 , G03F1/26 , G03F1/74 , G03F1/82 , H01L21/02277 , H01L21/02334 , H01L21/02337 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/28556 , H01L21/321
摘要：半導體裝置的製造方法包含以輻射光束照射基底的第一表面。當照射基底的第一表面時，將前驅氣體引入靠近第一表面，以沉積包含第一材料的一層。在沉積此層之後，從靠近第一表面處將前驅氣體移除。在移除前驅氣體之後與在形成另一層於此層上方之前，當照射此層的第二表面時，將清潔氣體引入靠近此層的第二表面，以將第一材料轉變為第二材料。
简体摘要：半导体设备的制造方法包含以辐射光束照射基底的第一表面。当照射基底的第一表面时，将前驱气体引入靠近第一表面，以沉积包含第一材料的一层。在沉积此层之后，从靠近第一表面处将前驱气体移除。在移除前驱气体之后与在形成另一层于此层上方之前，当照射此层的第二表面时，将清洁气体引入靠近此层的第二表面，以将第一材料转变为第二材料。

8. 发明专利

TW201612623A 光罩基底、轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、转印用光罩、转印用光罩之制造方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201612623A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104144285
申请日：2011-12-15
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：小湊淳志 , KOMINATO, ATSUSHI , 橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 岩下浩之 , IWASHITA, HIROYUKI
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/74
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/00 , G03F1/58 , G03F1/74 , G03F7/2006 , Y10T428/24942
摘要：本發明係一種光罩基底，其係為了作成應用ArF準分子雷射曝光用光之轉印用光罩而使用，且係於透光性基板上具有用以形成轉印圖案之遮光膜者，其特徵在於：遮光膜自透光性基板側起包含下層與上層之至少二層構造；上述下層係由將過渡金屬、矽及氮作為主成分，且氮含量為21原子%以上，且折射率n為1.9以下之材料構成；上述上層係由將過渡金屬、矽及氮作為主成分，且折射率n為2.1以下之材料構成；上述上層之表層含有氧，且氮含量為14原子%以上。
简体摘要：本发明系一种光罩基底，其系为了作成应用ArF准分子激光曝光用光之转印用光罩而使用，且系于透光性基板上具有用以形成转印图案之遮光膜者，其特征在于：遮光膜自透光性基板侧起包含下层与上层之至少二层构造；上述下层系由将过渡金属、硅及氮作为主成分，且氮含量为21原子%以上，且折射率n为1.9以下之材料构成；上述上层系由将过渡金属、硅及氮作为主成分，且折射率n为2.1以下之材料构成；上述上层之表层含有氧，且氮含量为14原子%以上。

9. 发明专利

TW201303484A ＥＵＶ曝光用遮罩的修正方法及ＥＵＶ曝光用遮罩审中-公开
公开(公告)号：TW201303484A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101110488
申请日：2012-03-27
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：拉曼提亞馬修喬瑟夫 , LAMANTIA, MATTHEW JOSEPH
IPC分类号： G03F1/38 , G03F1/72 , G03F1/50 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/22 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/72 , G03F1/74
摘要：一種具有包含積層在基板上的鉬層及矽層的Mo/Si多層膜、形成在前述Mo/Si多層膜上的保護膜、及形成在前述保護膜上的吸收膜的EUV曝光用遮罩的修正方法，標定前述保護膜之由前述吸收膜露出的露出區域中之Mo/Si多層膜的缺陷位置，將直徑縮窄成EUV曝光光波長以下的光線照射於在前述EUV曝光用遮罩之俯視下覆蓋缺陷位置的範圍，在EUV曝光用遮罩的上面，形成複數個最大寬度在波長以下的孔。
简体摘要：一种具有包含积层在基板上的钼层及硅层的Mo/Si多层膜、形成在前述Mo/Si多层膜上的保护膜、及形成在前述保护膜上的吸收膜的EUV曝光用遮罩的修正方法，标定前述保护膜之由前述吸收膜露出的露出区域中之Mo/Si多层膜的缺陷位置，将直径缩窄成EUV曝光光波长以下的光线照射于在前述EUV曝光用遮罩之俯视下覆盖缺陷位置的范围，在EUV曝光用遮罩的上面，形成复数个最大宽度在波长以下的孔。

10. 发明专利

TWI292783B 修補光罩之方法 METHOD FOR REPAIR OF PHOTOMASKS 有权
简体标题：修补光罩之方法 METHOD FOR REPAIR OF PHOTOMASKS
公开(公告)号：TWI292783B
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：TW093125902
申请日：2004-08-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：柯武宏 KO, WUHUNG , 康東耀 KANG, TUNGYAW , 溫志偉 WEN, CHIHWEI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： G03F1/74
摘要：本發明是有關於一種在一積體電路的製造中，用以從一製造系統中移除在一光罩之缺陷修補期間所使用之蝕刻助氣的方法，至少包括：(a)檢視該光罩與偵測一缺陷，該缺陷是位在一缺陷區中；以及，(b)修補該缺陷，其中添加可有效達成目的之一定數量的苯乙烯至該系統中。經由本發明之方法，可減少殘留在MOS膜上的氣體數量，使得光罩上造成較少的表面缺陷。
简体摘要：本发明是有关于一种在一集成电路的制造中，用以从一制造系统中移除在一光罩之缺陷修补期间所使用之蚀刻助气的方法，至少包括：(a)视图该光罩与侦测一缺陷，该缺陷是位在一缺陷区中；以及，(b)修补该缺陷，其中添加可有效达成目的之一定数量的苯乙烯至该系统中。经由本发明之方法，可减少残留在MOS膜上的气体数量，使得光罩上造成较少的表面缺陷。

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