专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI612551B 在帶電粒子束樣品的製備減少屏幕效應之方法及系統有权
简体标题：在带电粒子束样品的制备减少屏幕效应之方法及系统
公开(公告)号：TWI612551B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW102136258
申请日：2013-10-07
申请人： FEI公司 , FEI COMPANY
发明人：西米德特麥可 , SCHMIDT, MICHAEL , 金賢和 , KIM, HYUN HWA , 李相勳 , LEE, SANG HOON , 史東史黛西 , STONE, STACEY , 布雷克伍德傑佛瑞 , BLACKWOOD, JEFFREY
IPC分类号： H01J37/26
CPC分类号： G01N1/32 , G01N1/286 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/31745

2. 发明专利

TW201712343A 用於電性探測之鑽石減層审中-公开
简体标题：用于电性探测之钻石减层
公开(公告)号：TW201712343A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105118854
申请日：2016-06-15
申请人：帝喜科技股份有限公司 , DCG SYSTEMS, INC.
发明人：伊波利多史蒂芬 , IPPOLITO, STEPHEN , 陸馬瓦特西恩 , ZUMWALT, SEAN , 艾瑞克森安德魯諾曼 , ERICKSON, ANDREW NORMAN
IPC分类号： G01Q30/20 , G01Q60/30 , G01Q70/14 , G01N1/28 , G01R31/28 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2601 , G01N1/286 , G01N2001/2873 , G01Q30/20 , G01Q60/30 , G01Q70/06 , G01Q70/14 , G01Q80/00 , G01R31/2898 , G01R31/44 , H01L22/14
摘要：使用具一鑽石尖頭之一掃描探針顯微鏡之研磨移除材料之一層且產生一表面，該表面充分平滑使得其可使用一奈米探測器探測以提供特定位點樣本製備及減層。鑽石研磨在原位提供一奈米探測工具之內部之局部精確減層，藉此減少用於積體電路分析之周轉時間。此外，不同於聚焦離子束減層，該鑽石尖頭不應更改該積體電路之電特性。
简体摘要：使用具一钻石尖头之一扫描探针显微镜之研磨移除材料之一层且产生一表面，该表面充分平滑使得其可使用一奈米探测器探测以提供特定位点样本制备及减层。钻石研磨在原位提供一奈米探测工具之内部之局部精确减层，借此减少用于集成电路分析之周转时间。此外，不同于聚焦离子束减层，该钻石尖头不应更改该集成电路之电特性。

3. 发明专利

TWI442440B 複合聚焦離子束裝置及使用此之加工觀察方法、加工方法有权
简体标题：复合聚焦离子束设备及使用此之加工观察方法、加工方法
公开(公告)号：TWI442440B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW097130070
申请日：2008-08-07
申请人：精工電子納米科技有限公司 , SII NANOTECHNOLOGY INC.
发明人：皆藤孝 , KAITO, TAKASHI , 相田和男 , AIDA, KAZUO , 杉山安彥 , SUGIYAMA, YASUHIKO , 岩崎浩二 , IWASAKI, KOUJI , 藤井利昭 , FUJII, TOSHIAKI , 田代純一 , TASHIRO, JUNICHI , 小川貴史 , OGAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01J37/08 , G01N23/22
CPC分类号： H01J37/3056 , G01N1/286 , G01N1/32 , G03F1/74 , G03F1/84 , H01J37/08 , H01J37/3005 , H01J2237/0805 , H01J2237/0807 , H01J2237/31745

4. 发明专利

TWI368963B 供觀察晶圓離子佈植缺陷之方法 AN ANALYSIS METHOD OF WAFER'S ION IMPLANT 有权
简体标题：供观察晶圆离子布植缺陷之方法 AN ANALYSIS METHOD OF WAFER'S ION IMPLANT
公开(公告)号：TWI368963B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW097127302
申请日：2008-07-18
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：謝奕偉 , 羅傑米 , 陳珮儀
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01B15/00 , G01N1/286 , H01J2237/24564 , H01J2237/2817 , H01L22/12
摘要：一種供觀察晶圓離子佈植缺陷之方法，其步驟包括：(a)首先將一片晶圓折斷成多個晶圓片段；(b)接著由這些晶圓片段中，挑出有缺陷的晶圓片段，並將缺陷晶圓片段之表面設置絕緣體(insulator)；以及(c)最後使用電子顯微鏡觀察缺陷晶圓片段之離子佈植是否成功；藉此，可以大幅降低分析的時間以及接近100%重現性。
简体摘要：一种供观察晶圆离子布植缺陷之方法，其步骤包括：(a)首先将一片晶圆折断成多个晶圆片段；(b)接着由这些晶圆片段中，挑出有缺陷的晶圆片段，并将缺陷晶圆片段之表面设置绝缘体(insulator)；以及(c)最后使用电子显微镜观察缺陷晶圆片段之离子布植是否成功；借此，可以大幅降低分析的时间以及接近100%重现性。

5. 发明专利

TWI270362B 細胞分殖裝置有权
简体标题：细胞分殖设备
公开(公告)号：TWI270362B
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：TW093141042
申请日：2004-12-28
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：古有彬 , 刑玉璽 HSING, YU HIS , 陳婉昕 CHEN, WANNHSIN , 徐麗道 HSU, LIN TAO , 吳進發
IPC分类号： A61B , B25J
CPC分类号： C12M23/50 , C12M33/00 , G01N1/286
摘要：一種細胞分殖裝置，其係於機座上架設一底面具有CCD取像機構之台板，於台板上方則設有可供承置數個承載盤之可動托板，該可動托板並可由機座上之第一、第二軸向進給機構驅動位移，以使可動托板上之承載盤於放置細胞團塊源及繼代培養之培養基板時，可使可動托板可作第一、第二軸向的移動對位，另機座上分別設有可由第三軸向進給機構驅動升降之切割機構及移植機構，其中，切割機構上裝設有可旋轉換向之陣列式切割刀具，以及於移植機構上設有可吸取細胞塊之擷取針；藉此，利用控制器的操作控制，即可達到快速、精準地自動進行細胞團塊的分割、擷取及移放的作業。
简体摘要：一种细胞分殖设备，其系于机座上架设一底面具有CCD取像机构之台板，于台板上方则设有可供承置数个承载盘之可动托板，该可动托板并可由机座上之第一、第二轴向进给机构驱动位移，以使可动托板上之承载盘于放置细胞团块源及继代培养之培养基板时，可使可动托板可作第一、第二轴向的移动对位，另机座上分别设有可由第三轴向进给机构驱动升降之切割机构及移植机构，其中，切割机构上装设有可旋转换向之数组式切割刀具，以及于移植机构上设有可吸取细胞块之截取针；借此，利用控制器的操作控制，即可达到快速、精准地自动进行细胞团块的分割、截取及移放的作业。

6. 发明专利

TW238357B 壓緊材料樣品之方法及裝置失效
简体标题：压紧材料样品之方法及设备
公开(公告)号：TW238357B
公开(公告)日：1995-01-11
申请号：TW083103123
申请日：1994-04-09
申请人：德羅克勒電子實驗公司
发明人：大衛.H.明休 , 多納德.K.馬克阿里斯特 , 約翰.T.伊根
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N1/286 , G01N3/565 , G01N33/24 , G01N2203/0085
摘要：本文揭示一種壓緊材料樣品如土壤或鋪路材料之裝置及方法。該裝置包括接納材料樣品之一模具及一衝壓柱，衝壓柱安裝成移動至模具之第一開敞端部內向提供軸向壓縮力。壓緊裝置亦包括支承模具之第二端部之一基座。操作中，模具隨衝壓柱施加軸向壓縮力而同時迴轉。迴轉運動藉將模具向其中心縱軸線與壓縮軸線在同一直線之初期中立位置傾料至其中心縱軸線成角度偏離壓縮軸線而提供。然後使基座與模具相對旋轉，以使模具之第二端部就壓縮軸線旋轉。此種同時迴轉與軸向壓縮係模擬車輛輪胎或他種壓實裝置在材料表上之滾動。
简体摘要：本文揭示一种压紧材料样品如土壤或铺路材料之设备及方法。该设备包括接纳材料样品之一模具及一冲压柱，冲压柱安装成移动至模具之第一开敞端部内向提供轴向压缩力。压紧设备亦包括支承模具之第二端部之一基座。操作中，模具随冲压柱施加轴向压缩力而同时掉头。掉头运动藉将模具向其中心纵轴线与压缩轴线在同一直线之初期中立位置倾料至其中心纵轴线成角度偏离压缩轴线而提供。然后使基座与模具相对旋转，以使模具之第二端部就压缩轴线旋转。此种同时掉头与轴向压缩系仿真车辆轮胎或他种压实设备在材料表上之滚动。

7. 发明专利

TWI616526B 細胞分離純化裝置有权
简体标题：细胞分离纯化设备
公开(公告)号：TWI616526B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106115926
申请日：2017-05-15
申请人：高雄醫學大學
发明人：林哲信 , 王耀賢 , 陳崇桓 , 張瑞根 , 何美泠
IPC分类号： C12M1/00 , C12M1/33 , C12M1/42 , C12M3/08 , C12Q1/24 , G01N1/34
CPC分类号： G01N35/1083 , B04B5/10 , B04B13/00 , B04B2005/105 , B04B2011/046 , C12M45/00 , C12M47/04 , G01N1/286 , G01N35/0098 , G01N2001/2866 , G01N2035/00495 , G01N2035/00574 , G01N2035/103 , G01N2035/106

8. 发明专利

TWI611170B 樣品製備系統及製備方法有权
简体标题：样品制备系统及制备方法
公开(公告)号：TWI611170B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105132189
申请日：2016-10-05
申请人：閤康生物科技股份有限公司 , BIO MATERIALS ANALYSIS TECHNOLOGY INC.
发明人：陳弘仁 , CHEN, HUNG-JEN
IPC分类号： G01N1/28
CPC分类号： G01N1/286 , G01N1/06 , G01N2001/2873 , H01J37/20 , H01J37/26 , H01J2237/2007 , H01J2237/204

9. 发明专利

TW201231954A 攝影裝置及以該攝影裝置所攝影之影像的影像處理方法暨影像攝影系統审中-公开
简体标题：摄影设备及以该摄影设备所摄影之影像的影像处理方法暨影像摄影系统
公开(公告)号：TW201231954A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100140289
申请日：2011-11-04
申请人：咀嚼機能研究所股份有限公司
发明人：中村道 , 早船康二 , 樋口晃
IPC分类号： G01N , G06T , A61C
CPC分类号： H04N5/33 , A61B5/0059 , A61B5/228 , G01N1/286 , G01N15/1463 , G01N21/3563 , G01N2015/1486 , G01N2015/1497 , H04N5/2256
摘要：本發明之目的在於提供一種用以對紅外影像進行攝影之攝影裝置，其藉由在攝影時對作為被攝影對象之人工食物塊照射紅外光，並且藉由攝影裝置攝影穿透人工食物塊之紅外光，即便藉由電腦等亦可精度良好地進行「未被微細地粉碎、磨碎之微粒子」之計數。本發明之攝影裝置係用以於具有遮蔽紅外光之性質之基材上，對包含具有光穿透性之微粒子之人工食物塊即被攝影對象進行攝影，其具備有：攝影手段，其用以對被攝影對象自一側進行攝影；及紅外光源，其自被攝影對象之另一側，對被攝影對象照射紅外光；且攝影手段具有用以不接收可見光之可見光除去手段，於藉由紅外光源對被攝影對象照射紅外光之狀態下，藉由攝影手段對被攝影對象進行攝影。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种用以对红外影像进行摄影之摄影设备，其借由在摄影时对作为被摄影对象之人工食物块照射红外光，并且借由摄影设备摄影穿透人工食物块之红外光，即便借由电脑等亦可精度良好地进行“未被微细地粉碎、磨碎之微粒子”之计数。本发明之摄影设备系用以于具有屏蔽红外光之性质之基材上，对包含具有光穿透性之微粒子之人工食物块即被摄影对象进行摄影，其具备有：摄影手段，其用以对被摄影对象自一侧进行摄影；及红外光源，其自被摄影对象之另一侧，对被摄影对象照射红外光；且摄影手段具有用以不接收可见光之可见光除去手段，于借由红外光源对被摄影对象照射红外光之状态下，借由摄影手段对被摄影对象进行摄影。

10. 发明专利

TW200926245A 複合聚光離子雷射裝置及使用此之加工觀察方法、加工方法审中-公开
简体标题：复合聚光离子激光设备及使用此之加工观察方法、加工方法
公开(公告)号：TW200926245A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097130070
申请日：2008-08-07
申请人：精工電子納米科技有限公司 SII NANOTECHNOLOGY INC.
发明人：皆藤孝 KAITO, TAKASHI , 相田和男 AIDA, KAZUO , 杉山安彥 SUGIYAMA, YASUHIKO , 岩崎浩二 IWASAKI, KOUJI , 藤井利昭 FUJII, TOSHIAKI , 田代純一 TASHIRO, JUNICHI , 小川貴史 OGAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01J , G01N
CPC分类号： H01J37/3056 , G01N1/286 , G01N1/32 , G03F1/74 , G03F1/84 , H01J37/08 , H01J37/3005 , H01J2237/0805 , H01J2237/0807 , H01J2237/31745
摘要：本發明具有第1離子束照射系統10,且該第1離子束照射系統10具備有使第1離子產生之液體金屬離子源;和第2離子束照射系統20,且該第2離子束照射系統20具備有使第2離子產生之氣體場離子源,自上述第2離子束照射系統20所射出之第2離子束之射束徑20A,小於自上述第1離子束照射系統10所射出之第1離子束之射束徑10A。
简体摘要：本发明具有第1离子束照射系统10,且该第1离子束照射系统10具备有使第1离子产生之液体金属离子源;和第2离子束照射系统20,且该第2离子束照射系统20具备有使第2离子产生之气体场离子源,自上述第2离子束照射系统20所射出之第2离子束之射束径20A,小于自上述第1离子束照射系统10所射出之第1离子束之射束径10A。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式