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1. 发明专利

TW201543644A 全集成主被動積體光學於矽基積體電路及其製作方法审中-公开
简体标题：全集成主被动积体光学于硅基集成电路及其制作方法
公开(公告)号：TW201543644A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103117237
申请日：2014-05-15
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李明昌 , LEE, MING CHANG , 曾治國 , TSENG, CHIH KUO
IPC分类号： H01L27/04 , G02B6/122
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/131 , G02B6/43 , G02B2006/12169 , H01L27/1203 , H01L31/02325
摘要：一種全集成主被動積體光學於矽基積體電路及其製作方法，可以同時將光源、光學被動元件、光偵測器、電子電路以CMOS製程製作在標準之矽基板上。本發明利用快速熱熔磊晶法（Rapid Melt Growth, RMG），可在矽電子元件上方形成單晶或合金，且製作方法可以與一般之CMOS製程相容，主要係矽摻雜之活化溫度（950～1100度）與RMG之溫度（>937度）相近，故元件在數秒鐘即可完成底部電晶體活化與薄膜磊晶，因此在製程上可以一起執行以降低熱預算。藉此，本發明使用矽基板取代絕緣矽（SOI）作為基板，可有效降低成本與提高元件散熱性，並透過RMG方法可以解決電子電路及光電元件整合之問題，開發前瞻性光收發器於標準晶圓上，亦可以整合電路設計，達到完全相容之全集成化之光通訊晶片。
简体摘要：一种全集成主被动积体光学于硅基集成电路及其制作方法，可以同时将光源、光学被动组件、光侦测器、电子电路以CMOS制程制作在标准之硅基板上。本发明利用快速热熔磊晶法（Rapid Melt Growth, RMG），可在硅电子组件上方形成单晶或合金，且制作方法可以与一般之CMOS制程兼容，主要系硅掺杂之活化温度（950～1100度）与RMG之温度（>937度）相近，故组件在数秒钟即可完成底部晶体管活化与薄膜磊晶，因此在制程上可以一起运行以降低热预算。借此，本发明使用硅基板取代绝缘硅（SOI）作为基板，可有效降低成本与提高组件散热性，并透过RMG方法可以解决电子电路及光电组件集成之问题，开发前瞻性光收发器于标准晶圆上，亦可以集成电路设计，达到完全兼容之全集成化之光通信芯片。

2. 发明专利

TWI509659B 異質材料之自我對準水平接合製作方法有权
简体标题：异质材料之自我对准水平接合制作方法
公开(公告)号：TWI509659B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102127795
申请日：2013-08-02
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李明昌 , LEE, MING CHANG , 曾治國 , TSENG, CHIH KUO
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/7624 , H01L21/02381 , H01L21/02455 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/8258

3. 发明专利

TW201543549A 成分元素濃度漸變分佈之載子通道及其製作方法审中-公开
简体标题：成分元素浓度渐变分布之载子信道及其制作方法
公开(公告)号：TW201543549A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103116982
申请日：2014-05-14
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李明昌 , LEE, MINGCHANG , 曾治國 , TSENG, CHIHKUO
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/02667 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/0251 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/02642 , H01L29/1029 , H01L29/1054 , H01L29/36
摘要：本發明為一種成分元素濃度漸變分佈之載子通道，包含一基材及一堆疊層。堆疊層是由一材料堆疊於基材上所構成，堆疊層具有一接觸面，且接觸面與基材接觸。此材料藉由快速熱熔製程自接觸面結晶形成一載子通道，載子通道之成分元素濃度呈漸變分佈，其中載子通道高度與載子通道寬度之比值大於1。藉此，可以依照元件特性需求於載子通道上選擇相對應的位置，並以其作為主要作動區域。因此不需額外的製程步驟調整濃度，可以減化製作流程；此外，快速熱熔製程所需要的製程時間較少，可以減少元件製造過程中的熱預算，進而降低生產成本。
简体摘要：本发明为一种成分元素浓度渐变分布之载子信道，包含一基材及一堆栈层。堆栈层是由一材料堆栈于基材上所构成，堆栈层具有一接触面，且接触面与基材接触。此材料借由快速热熔制程自接触面结晶形成一载子信道，载子信道之成分元素浓度呈渐变分布，其中载子信道高度与载子信道宽度之比值大于1。借此，可以依照组件特性需求于载子信道上选择相对应的位置，并以其作为主要作动区域。因此不需额外的制程步骤调整浓度，可以减化制作流程；此外，快速热熔制程所需要的制程时间较少，可以减少组件制造过程中的热预算，进而降低生产成本。

4. 发明专利

TWI549259B 全集成主被動積體光學於矽基積體電路及其製作方法有权
简体标题：全集成主被动积体光学于硅基集成电路及其制作方法
公开(公告)号：TWI549259B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW103117237
申请日：2014-05-15
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李明昌 , LEE, MING CHANG , 曾治國 , TSENG, CHIH KUO
IPC分类号： H01L27/04 , G02B6/122
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/131 , G02B6/43 , G02B2006/12169 , H01L27/1203 , H01L31/02325

5. 发明专利

TW201506991A 異質材料之自我對準水平接合製作方法审中-公开
简体标题：异质材料之自我对准水平接合制作方法
公开(公告)号：TW201506991A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW102127795
申请日：2013-08-02
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李明昌 , LEE, MING CHANG , 曾治國 , TSENG, CHIH KUO
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/7624 , H01L21/02381 , H01L21/02455 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/8258
摘要：本發明係關於一種異質材料之自我對準水平接合製作方法，其係以自我對準(self-alignment)的方式，於不使用任何緩衝層或漸變緩衝層的條件下，將互為異質的兩種半導體材料(例如一鍺薄膜與一矽材料)水平接合於一基板之上，因此可降低製作半導體異質結構之製程成本及困難度。此外，於本發明之製程方法中，係採用快速熱回火製程，使得非晶的異質半導體材料可藉由快速熔融成長(RMG)而快速地側向磊晶成為單晶結構，接著將側向磊晶完成的異質半導體水平接合於另一半導體層；此種製程方式，係以最小的製程熱預算(thermal budget)達成異質材料水平接合之功效。
简体摘要：本发明系关于一种异质材料之自我对准水平接合制作方法，其系以自我对准(self-alignment)的方式，于不使用任何缓冲层或渐变缓冲层的条件下，将互为异质的两种半导体材料(例如一锗薄膜与一硅材料)水平接合于一基板之上，因此可降低制作半导体异质结构之制程成本及困难度。此外，于本发明之制程方法中，系采用快速热回火制程，使得非晶的异质半导体材料可借由快速熔融成长(RMG)而快速地侧向磊晶成为单晶结构，接着将侧向磊晶完成的异质半导体水平接合于另一半导体层；此种制程方式，系以最小的制程热预算(thermal budget)达成异质材料水平接合之功效。

6. 发明专利

TWI440908B 可二階段耦合之三維波導耦合器及其製造方法有权
简体标题：可二阶段耦合之三维波导耦合器及其制造方法
公开(公告)号：TWI440908B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：TW099112143
申请日：2010-04-19
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李明昌 , LEE, MING CHANG , 楊耀祖 , YANG, YAO TSU , 廖峻葦 , LIAO, CHUN WEI , 黃聖文 , HAUNG, SHENG WEN
IPC分类号： G02B6/34
CPC分类号： G02B6/1228 , G02B6/34

7. 发明专利

TW200913264A 平面環繞閘極場效電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：平面环绕闸极场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TW200913264A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097132765
申请日：2006-06-09
申请人：財團法人國家實驗研究院 NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES , 國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：胡淑芬 , 李明昌
IPC分类号： H01L
摘要：一種平面環繞閘極場效電晶體及其製造方法,包括藉由氫燒、高真空燒或在惰性氣體下的高溫燒,形成懸掛於源極與汲極之間的圓柱型奈米線,以及形成一閘極環繞該圓柱型奈米線。
简体摘要：一种平面环绕闸极场效应管及其制造方法,包括借由氢烧、高真空烧或在惰性气体下的高温烧,形成悬挂于源极与汲极之间的圆柱型奈米线,以及形成一闸极环绕该圆柱型奈米线。

8. 发明专利

TWI518751B 成分元素濃度漸變分佈之載子通道及其製作方法有权
简体标题：成分元素浓度渐变分布之载子信道及其制作方法
公开(公告)号：TWI518751B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW103116982
申请日：2014-05-14
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李明昌 , LEE, MINGCHANG , 曾治國 , TSENG, CHIHKUO
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/02667 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/0251 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/02642 , H01L29/1029 , H01L29/1054 , H01L29/36

9. 发明专利

TWI476817B 多層材料之自我組裝堆疊製程方法有权
简体标题：多层材料之自我组装堆栈制程方法
公开(公告)号：TWI476817B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW101129937
申请日：2012-08-17
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李明昌 , LEE, MING CHANG , 曾治國 , TSENG, CHIH KUO , 田仲達 , TIAN, ZHONG DA
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02455 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/02658 , H01L33/007

10. 发明专利

TW201409531A 多層材料之自我組裝堆疊製程方法审中-公开
简体标题：多层材料之自我组装堆栈制程方法
公开(公告)号：TW201409531A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW101129937
申请日：2012-08-17
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李明昌 , LEE, MING CHANG , 曾治國 , TSENG, CHIH KUO , 田仲達 , TIAN, ZHONG DA
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02455 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/02658 , H01L33/007
摘要：本發明係關於一種多層材料之自我組裝堆疊製程方法，其係透過自我對準(self-alignment)的方式將多種同質/異質的材料堆疊於一基板之上，該材料可以是單晶、多晶或者是不具晶相的材料，不需要使用任何磊晶緩衝層或漸變緩衝層，除了可降低元件結構之製程材料成本之外，亦可解決習知技術之晶圓接合技術所存在的晶圓對準(alignment)的問題；並且，本發明之方法採用快速熔融成長(RMG)之方式，使得多層材料以液相磊晶的方式自基板表面快速地磊晶側向成長，因此能夠有效地降低半導體異質結構之製程熱預算(thermal budget)。
简体摘要：本发明系关于一种多层材料之自我组装堆栈制程方法，其系透过自我对准(self-alignment)的方式将多种同质/异质的材料堆栈于一基板之上，该材料可以是单晶、多晶或者是不具晶相的材料，不需要使用任何磊晶缓冲层或渐变缓冲层，除了可降低组件结构之制程材料成本之外，亦可解决习知技术之晶圆接合技术所存在的晶圆对准(alignment)的问题；并且，本发明之方法采用快速熔融成长(RMG)之方式，使得多层材料以液相磊晶的方式自基板表面快速地磊晶侧向成长，因此能够有效地降低半导体异质结构之制程热预算(thermal budget)。

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