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1. 发明专利

TW591226B 氫氣感測器失效
简体标题：氢气传感器
公开(公告)号：TW591226B
公开(公告)日：2004-06-11
申请号：TW092105825
申请日：2003-03-17
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：劉文超 LIU, WEN CHAU , 陳慧英 , 林坤緯 , 陸俊岑
IPC分类号： G01N
摘要：一種氫氣感測器，包含一半導體基板、一形成於該半導體基板上的半導體緩衝層、一形成於該半導體緩衝層上的半導體薄膜層、一形成於該半導體薄膜層上部分區域的半導體歐姆接觸頂層、一形成於該半導體歐姆接觸頂層上部分區域且作為陰極電極的歐姆金屬接觸層，及一形成於該半導體薄膜層上之部分區域作為陽極電極的蕭特基金屬接觸層；氫氣接觸蕭特基金屬接觸層後被解離成氫原子，進而改變蕭特基能障之高度而可改變元件的電流-電壓特性，以感測氫氣濃度。
简体摘要：一种氢气传感器，包含一半导体基板、一形成于该半导体基板上的半导体缓冲层、一形成于该半导体缓冲层上的半导体薄膜层、一形成于该半导体薄膜层上部分区域的半导体欧姆接触顶层、一形成于该半导体欧姆接触顶层上部分区域且作为阴极电极的欧姆金属接触层，及一形成于该半导体薄膜层上之部分区域作为阳极电极的萧特基金属接触层；氢气接触萧特基金属接触层后被解离成氢原子，进而改变萧特基能障之高度而可改变组件的电流-电压特性，以传感氢气浓度。

2. 发明专利

TW573120B 適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法有权
简体标题：适用于高温操作之氢气传感器及其制法
公开(公告)号：TW573120B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW091135484
申请日：2002-12-06
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：劉文超 , 陳慧英 , 林坤緯
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N33/005
摘要：一種適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法，此氫氣感測器結構成長在半絕緣型半導體基板上，其磊晶結構包含未摻雜之砷化鎵半導體緩衝層，以及n型磷化銦鎵半導體薄膜。在磊晶成長之後接著利用真空蒸鍍的技術於n型磷化銦鎵薄膜層表面蒸鍍一層金-鍺-鎳合金做為二極體式氫氣感測器之歐姆式接觸陰極電極，接著在n型半導體薄膜層表面上成長一層很薄之氧化層，並在此氧化層上蒸鍍鈀或鉑金屬，作為二極式氫氣感測器之肖特基接觸式陽極電極。由於鈀或鉑金屬對氫氣具有良好的觸媒活性，當氫氣分子吸附於鈀或鉑金屬表面時，會被解離為氫原子，而大部分氫原子將會擴散穿透鈀或鉑金屬層，並於鈀或鉑金屬與氧化層薄膜介面造成極化作用，形成偶極短層，此一偶極短層將改變鈀或鉑金屬與氧化層介面之電場，進而降低了金屬-半導體肖特基能障高度。因此，當接觸氫氣後，將可改變元件之電流-電壓特性，進而達成感測氫氣之目的。伍、(一)、本案代表圖為：第＿＿一＿＿＿＿圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
10 氫氣感測器 12 半絕緣型砷化鎵基板
14 未摻雜型砷化鎵緩衝層
16 n型磷化銦鎵層 18 歐姆性接觸金屬層
20 薄氧化層 22 肖特基接觸金屬
简体摘要：一种适用于高温操作之氢气传感器及其制法，此氢气传感器结构成长在半绝缘型半导体基板上，其磊晶结构包含未掺杂之砷化镓半导体缓冲层，以及n型磷化铟镓半导体薄膜。在磊晶成长之后接着利用真空蒸镀的技术于n型磷化铟镓薄膜层表面蒸镀一层金-锗-镍合金做为二极管式氢气传感器之欧姆式接触阴极电极，接着在n型半导体薄膜层表面上成长一层很薄之氧化层，并在此氧化层上蒸镀钯或铂金属，作为二极式氢气传感器之肖特基接触式阳极电极。由于钯或铂金属对氢气具有良好的触媒活性，当氢气分子吸附于钯或铂金属表面时，会被解离为氢原子，而大部分氢原子将会扩散穿透钯或铂金属层，并于钯或铂金属与氧化层薄膜界面造成极化作用，形成偶极短层，此一偶极短层将改变钯或铂金属与氧化层界面之电场，进而降低了金属-半导体肖特基能障高度。因此，当接触氢气后，将可改变组件之电流-电压特性，进而达成传感氢气之目的。伍、(一)、本案代表图为：第＿＿一＿＿＿＿图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 10 氢气传感器 12 半绝缘型砷化镓基板 14 未掺杂型砷化镓缓冲层 16 n型磷化铟镓层 18 欧姆性接触金属层 20 薄氧化层 22 肖特基接触金属

3. 发明专利

TW200409915A 適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法有权
简体标题：适用于高温操作之氢气传感器及其制法
公开(公告)号：TW200409915A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：TW091135484
申请日：2002-12-06
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：劉文超 , 陳慧英 , 林坤緯
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N33/005
摘要：一種適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法，此氫氣感測器結構成長在半絕緣型半導體基板上，其磊晶結構包含未摻雜之砷化鎵半導體緩衝層，以及n型磷化銦鎵半導體薄膜。在磊晶成長之後接著利用真空蒸鍍的技術於n型磷化銦鎵薄膜層表面蒸鍍一層金–鍺–鎳合金做為二極體式氫氣感測器之歐姆式接觸陰極電極，接著在n型半導體薄膜層表面上成長一層很薄之氧化層，並在此氧化層上蒸鍍鈀或鉑金屬，作為二極式氫氣感測器之肖特基接觸式陽極電極。由於鈀或鉑金屬對氫氣具有良好的觸媒活性，當氫氣分子吸附於鈀或鉑金屬表面時，會被解離為氫原子，而大部分氫原子將會擴散穿透鈀或鉑金屬層，並於鈀或鉑金屬與氧化層薄膜介面造成極化作用，形成偶極矩層，此一偶極矩層將改變鈀或鉑金屬與氧化層介面之電場，進而降低了金屬–半導體肖特基能障高度。因此，當接觸氫氣後，將可改變元件之電流–電壓特性，進而達成感測氫氣之目的。
简体摘要：一种适用于高温操作之氢气传感器及其制法，此氢气传感器结构成长在半绝缘型半导体基板上，其磊晶结构包含未掺杂之砷化镓半导体缓冲层，以及n型磷化铟镓半导体薄膜。在磊晶成长之后接着利用真空蒸镀的技术于n型磷化铟镓薄膜层表面蒸镀一层金–锗–镍合金做为二极管式氢气传感器之欧姆式接触阴极电极，接着在n型半导体薄膜层表面上成长一层很薄之氧化层，并在此氧化层上蒸镀钯或铂金属，作为二极式氢气传感器之肖特基接触式阳极电极。由于钯或铂金属对氢气具有良好的触媒活性，当氢气分子吸附于钯或铂金属表面时，会被解离为氢原子，而大部分氢原子将会扩散穿透钯或铂金属层，并于钯或铂金属与氧化层薄膜界面造成极化作用，形成偶极矩层，此一偶极矩层将改变钯或铂金属与氧化层界面之电场，进而降低了金属–半导体肖特基能障高度。因此，当接触氢气后，将可改变组件之电流–电压特性，进而达成传感氢气之目的。

4. 发明专利

TW200419150A 氫氣感測器 HYDROGEN SENSOR 失效
简体标题：氢气传感器 HYDROGEN SENSOR
公开(公告)号：TW200419150A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW092105825
申请日：2003-03-17
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：劉文超 LIU, WEN CHAU , 陳慧英 , 林坤緯 , 陸俊岑
IPC分类号： G01N
摘要：一種氫氣感測器，包含一半導體基板、一形成於該半導體基板上的半導體緩衝層、一形成於該半導體緩衝層上的半導體薄膜層、一形成於該半導體薄膜層上部分區域的半導體歐姆接觸頂層、一形成於該半導體歐姆接觸頂層上部分區域且作為陰極電極的歐姆金屬接觸層，及一形成於該半導體薄膜層上之部分區域作為陽極電極的蕭特基金屬接觸層；氫氣接觸蕭特基金屬接觸層後被解離成氫原子，進而改變蕭特基能障之高度而可改變元件的電流–電壓特性，以感測氫氣濃度。
简体摘要：一种氢气传感器，包含一半导体基板、一形成于该半导体基板上的半导体缓冲层、一形成于该半导体缓冲层上的半导体薄膜层、一形成于该半导体薄膜层上部分区域的半导体欧姆接触顶层、一形成于该半导体欧姆接触顶层上部分区域且作为阴极电极的欧姆金属接触层，及一形成于该半导体薄膜层上之部分区域作为阳极电极的萧特基金属接触层；氢气接触萧特基金属接触层后被解离成氢原子，进而改变萧特基能障之高度而可改变组件的电流–电压特性，以传感氢气浓度。

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