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1. 发明专利

TWI235496B 多晶矽層之結晶方法 CRYSTALIZATION METHOD OF POLYSILICON LAYER 失效
简体标题：多晶硅层之结晶方法 CRYSTALIZATION METHOD OF POLYSILICON LAYER
公开(公告)号：TWI235496B
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW092118424
申请日：2003-07-04
申请人：統寶光電股份有限公司 TOPPOLY OPTOELECTRONICS CORP.
发明人：林敬偉 LIN, CHING WEI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B11/005 , C30B29/06
摘要：本發明係提出一種多晶矽層之結晶方法。在非晶矽層形成於基板前先在基板表面形成一晶種(Seed)。所以，可使得脈衝雷射輸出能量密度的控制範圍較廣。而在結晶時，由於晶種已經存在於基板與熔化之多晶矽之間，因此，凝結中的多晶矽層會由晶種之二側向外橫向結晶，而會形成晶粒尺寸變大及分布均勻(High Uniformity)的多晶矽層之薄膜。
简体摘要：本发明系提出一种多晶硅层之结晶方法。在非晶硅层形成于基板前先在基板表面形成一晶种(Seed)。所以，可使得脉冲激光输出能量密度的控制范围较广。而在结晶时，由于晶种已经存在于基板与熔化之多晶硅之间，因此，凝结中的多晶硅层会由晶种之二侧向外横向结晶，而会形成晶粒尺寸变大及分布均匀(High Uniformity)的多晶硅层之薄膜。

2. 发明专利

TW200503274A 多晶矽層之結晶方法 CRYSTALIZATION METHOD OF POLYSILICON LAYER 失效
简体标题：多晶硅层之结晶方法 CRYSTALIZATION METHOD OF POLYSILICON LAYER
公开(公告)号：TW200503274A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW092118424
申请日：2003-07-04
申请人：統寶光電股份有限公司 TOPPOLY OPTOELECTRONICS CORP.
发明人：林敬偉 LIN, CHING WEI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B11/005 , C30B29/06
摘要：本發明係提出一種多晶矽層之結晶方法。在非晶矽層形成於基板前先在基板表面形成一晶種(Seed)。所以，可使得脈衝雷射輸出能量密度的控制範圍較廣。而在結晶時，由於晶種已經存在於基板與熔化之多晶矽之間，因此，凝結中的多晶矽層會由晶種之二側向外橫向結晶，而會形成晶粒尺寸變大及分布均勻(High Uniformity)的多晶矽層之薄膜。
简体摘要：本发明系提出一种多晶硅层之结晶方法。在非晶硅层形成于基板前先在基板表面形成一晶种(Seed)。所以，可使得脉冲激光输出能量密度的控制范围较广。而在结晶时，由于晶种已经存在于基板与熔化之多晶硅之间，因此，凝结中的多晶硅层会由晶种之二侧向外横向结晶，而会形成晶粒尺寸变大及分布均匀(High Uniformity)的多晶硅层之薄膜。

3. 实用新型

TWM441676U 用於長晶爐之防電弧的加熱電極組合有权
简体标题：用于长晶炉之防电弧的加热电极组合
公开(公告)号：TWM441676U
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW101213719
申请日：2012-07-17
申请人：昱成光能股份有限公司
发明人：黃志偉 , 邵任民 , 劉安鈞
IPC分类号： C30B
CPC分类号： H05B3/66 , C30B11/005 , C30B35/00 , F27B14/06 , H05B3/03 , Y10T117/10 , Y10T117/1068
摘要：本新型提供一種用於長晶爐之防電弧的加熱電極組合，是安裝於長晶爐的爐壁及位於爐壁內的加熱器間，其包含：介於爐壁與加熱器間的隔熱板單元、電極單元及絕緣單元。隔熱板單元具有面對爐壁的第一表面、面對加熱器的第二表面及貫穿第一、二表面的貫孔。各電極單元具有固定於爐壁的電引入部、分別對應軸設在各貫孔的穿套部，及連接於其穿套部並固定於加熱器的凸緣。各絕緣單元具有對應軸設於各貫孔且圍繞其所對應之穿套部的絕緣套管，及夾置於其所對應之凸緣與隔熱板單元之第二表面間的絕緣墊。各絕緣套管分別將各貫孔作全周連續式阻隔。
简体摘要：本新型提供一种用于长晶炉之防电弧的加热电极组合，是安装于长晶炉的炉壁及位于炉壁内的加热器间，其包含：介于炉壁与加热器间的隔热板单元、电极单元及绝缘单元。隔热板单元具有面对炉壁的第一表面、面对加热器的第二表面及贯穿第一、二表面的贯孔。各电极单元具有固定于炉壁的电引入部、分别对应轴设在各贯孔的穿套部，及连接于其穿套部并固定于加热器的凸缘。各绝缘单元具有对应轴设于各贯孔且围绕其所对应之穿套部的绝缘套管，及夹置于其所对应之凸缘与隔热板单元之第二表面间的绝缘垫。各绝缘套管分别将各贯孔作全周连续式阻隔。

4. 发明专利

TW201200641A 單晶半導體材料之製造 PRODUCTION OF MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIALS 审中-公开
简体标题：单晶半导体材料之制造 PRODUCTION OF MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIALS
公开(公告)号：TW201200641A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100112836
申请日：2011-04-13
申请人：史克曼矽晶片科技公司
发明人：克瑞特烏韋 , 漢恩喬契姆 , 史克曼克利斯坦
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B11/003 , B22D27/045 , C30B11/005 , C30B11/08 , C30B15/08 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10T117/1092
摘要：本發明給定一種用於製造一單晶半導體材料之方法之一描述，其中一半導體材料係提供作為起始材料，將該起始材料轉移至一加熱區中，其中將該起始材料饋送給由該半導體材料構成之一熔體，且使該熔體自該加熱區下降及/或使該加熱區升高，使得該熔體之下端處形成一固化前沿，該半導體材料沿著該固化前沿以所要結構結晶，其中由該半導體材料構成之該起始材料係以液態形式加以提供且係以液態形式饋送至該熔體中。此外，本發明給定一種用於製造一單晶半導體材料之設備之一描述，該設備包括用作為起始材料之一液態半導體材料之一源；用於製造及/或維持由該半導體材料構成之一熔體之加熱媒介；且較佳亦包括用於將用作為起始材料之該液態半導體材料經控制地饋送至該熔體中之媒介。
简体摘要：本发明给定一种用于制造一单晶半导体材料之方法之一描述，其中一半导体材料系提供作为起始材料，将该起始材料转移至一加热区中，其中将该起始材料馈送给由该半导体材料构成之一熔体，且使该熔体自该加热区下降及/或使该加热区升高，使得该熔体之下端处形成一固化前沿，该半导体材料沿着该固化前沿以所要结构结晶，其中由该半导体材料构成之该起始材料系以液态形式加以提供且系以液态形式馈送至该熔体中。此外，本发明给定一种用于制造一单晶半导体材料之设备之一描述，该设备包括用作为起始材料之一液态半导体材料之一源；用于制造及/或维持由该半导体材料构成之一熔体之加热媒介；且较佳亦包括用于将用作为起始材料之该液态半导体材料经控制地馈送至该熔体中之媒介。

5. 发明专利

TW201105580A 冶金矽的純化 PURIFICATION OF METALLURGICAL SILICON 审中-公开
简体标题：冶金硅的纯化 PURIFICATION OF METALLURGICAL SILICON
公开(公告)号：TW201105580A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099107501
申请日：2010-03-15
申请人：史克曼矽晶片科技公司
发明人：派翠克艾道夫 , 史考曼克利斯坦 , 漢恩喬契姆
IPC分类号： C01B , B02C
CPC分类号： C30B29/06 , C01B33/037 , C30B11/005 , C30B28/08
摘要：描述一種用於純化冶金矽之製程,其中尤其憑藉一高電壓電場粉碎該冶金矽,使該等所獲得的矽粒子經受一化學處理,且在該化學處理之後使該等矽粒子熔融,且藉由定向凝固來純化該所獲得的熔融矽。另外描述一種用於執行此製程之設備。
简体摘要：描述一种用于纯化冶金硅之制程,其中尤其凭借一高电压电场粉碎该冶金硅,使该等所获得的硅粒子经受一化学处理,且在该化学处理之后使该等硅粒子熔融,且借由定向凝固来纯化该所获得的熔融硅。另外描述一种用于运行此制程之设备。

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