专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI487663B 製造單矽烷之方法及工廠有权
简体标题：制造单硅烷之方法及工厂
公开(公告)号：TWI487663B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW099122525
申请日：2010-07-08
申请人：史克曼矽晶片科技公司 , SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH
发明人：派翠克艾道夫 , PETRIK, ADOLF , 漢恩喬契姆 , HAHN, JOCHEM , 史考曼克利斯坦 , SCHMID, CHRISTIAN
IPC分类号： C01B33/04
CPC分类号： B01D3/009 , C01B33/043 , Y02P20/127

2. 发明专利

TW201125820A 製造單矽烷之方法及工廠 PROCESS AND PLANT FOR PREPARING MONOSILANE 审中-公开
简体标题：制造单硅烷之方法及工厂 PROCESS AND PLANT FOR PREPARING MONOSILANE
公开(公告)号：TW201125820A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099122525
申请日：2010-07-08
申请人：史克曼矽晶片科技公司
发明人：派翠克艾道夫 , 漢恩喬契姆 , 史考曼克利斯坦
IPC分类号： C01B
CPC分类号： B01D3/009 , C01B33/043 , Y02P20/127
摘要：本發明描述一種製備單矽烷之工廠,其包括具有三氯矽烷之供料管線(101)及形成之四氯化矽之排放管線(102)之反應塔(100)與至少一個冷凝器(103)(藉由此冷凝器可自該反應塔中排放所製造之單矽烷),其中該反應塔具有至少兩個在不同溫度下操作且含有不同觸媒活性固體之反應/蒸餾反應區域(104,105)。另外,本發明描述一種藉由三氯矽烷之催化歧化反應製備單矽烷之方法,其中在至少兩個在不同溫度下操作且含有不同觸媒活性固體之反應/蒸餾反應區域(104,105)內進行該歧化反應。
简体摘要：本发明描述一种制备单硅烷之工厂,其包括具有三氯硅烷之供料管线(101)及形成之四氯化硅之排放管线(102)之反应塔(100)与至少一个冷凝器(103)(借由此冷凝器可自该反应塔中排放所制造之单硅烷),其中该反应塔具有至少两个在不同温度下操作且含有不同触媒活性固体之反应/蒸馏反应区域(104,105)。另外,本发明描述一种借由三氯硅烷之催化歧化反应制备单硅烷之方法,其中在至少两个在不同温度下操作且含有不同触媒活性固体之反应/蒸馏反应区域(104,105)内进行该歧化反应。

3. 发明专利

TW201111281A 製備三氯矽烷之方法及設備 PROCESS AND PLANT FOR PREPARING TRICHLOROSILANE 审中-公开
简体标题：制备三氯硅烷之方法及设备 PROCESS AND PLANT FOR PREPARING TRICHLOROSILANE
公开(公告)号：TW201111281A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099125977
申请日：2010-08-04
申请人：史克曼矽晶片科技公司
发明人：派翠克艾道夫 , 漢恩喬契姆 , 史考曼克利斯坦
IPC分类号： C01B , B01J
CPC分类号： C01B33/1071 , C01B33/10763
摘要：本發明係關於一種製備三氯矽烷之方法，其中令矽顆粒與四氯矽烷及氫氣及視需要與氯化氫於流化床反應器(101)中反應以形成含三氯矽烷之產物氣流，其中將含三氯矽烷之產物氣流自反應器(101)經由於選擇性地僅容許至大為一特定最大粒度之矽顆粒通過之至少一顆粒分離器(118)下游之出口(117)排出，且矽顆粒較佳經由不具有此顆粒分離器之至少另一出口(109；112)定期或持續地自反應器(101)排出。此外，本發明係關於一種適於實施此方法及具有一第一流化床反應器(101)及一第二流化床反應器(102)之設備(100)，且兩流化床反應器係以使自該第一反應器(101)排出的矽可轉移至該第二反應器(102)之方式連接。
简体摘要：本发明系关于一种制备三氯硅烷之方法，其中令硅颗粒与四氯硅烷及氢气及视需要与氯化氢于流化床反应器(101)中反应以形成含三氯硅烷之产物气流，其中将含三氯硅烷之产物气流自反应器(101)经由于选择性地仅容许至大为一特定最大粒度之硅颗粒通过之至少一颗粒分离器(118)下游之出口(117)排出，且硅颗粒较佳经由不具有此颗粒分离器之至少另一出口(109；112)定期或持续地自反应器(101)排出。此外，本发明系关于一种适于实施此方法及具有一第一流化床反应器(101)及一第二流化床反应器(102)之设备(100)，且两流化床反应器系以使自该第一反应器(101)排出的硅可转移至该第二反应器(102)之方式连接。

4. 发明专利

TWI510433B 製備單矽烷之設備及方法有权
简体标题：制备单硅烷之设备及方法
公开(公告)号：TWI510433B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW099125978
申请日：2010-08-04
申请人：史克曼矽晶片科技公司 , SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH
发明人：派翠克艾道夫 , PETRIK, ADOLF , 史考曼克利斯坦 , SCHMID, CHRISTIAN , 漢恩喬契姆 , HAHN, JOCHEM
IPC分类号： C01B33/04
CPC分类号： B01D3/009 , C01B33/043 , Y02P20/127

5. 发明专利

TWI507359B 製備三氯矽烷之方法及設備有权
简体标题：制备三氯硅烷之方法及设备
公开(公告)号：TWI507359B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW099125977
申请日：2010-08-04
申请人：史克曼矽晶片科技公司 , SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH
发明人：派翠克艾道夫 , PETRIK, ADOLF , 漢恩喬契姆 , HAHN, JOCHEM , 史考曼克利斯坦 , SCHMID, CHRISTIAN
IPC分类号： C01B33/107 , B01J8/24
CPC分类号： C01B33/1071 , C01B33/10763

6. 发明专利

TWI466825B 製造超純矽之方法與裝置有权
简体标题：制造超纯硅之方法与设备
公开(公告)号：TWI466825B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW098140715
申请日：2009-11-27
申请人：史克曼矽晶片科技公司 , SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH
发明人：派翠克艾道夫 , PETRIK, ADOLF , 史考曼克利斯坦 , SCHMID, CHRISTIAN , 漢恩喬契姆 , HAHN, JOCHEM
IPC分类号： C01B33/027
CPC分类号： C01B33/027 , B01J19/2405 , C01B33/029 , C01B33/03

7. 发明专利

TW201109277A 製備單矽烷之設備及方法 PLANT AND PROCESS FOR PREPARING MONOSILANE 审中-公开
简体标题：制备单硅烷之设备及方法 PLANT AND PROCESS FOR PREPARING MONOSILANE
公开(公告)号：TW201109277A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099125978
申请日：2010-08-04
申请人：史克曼矽晶片科技公司
发明人：派翠克艾道夫 , 史考曼克利斯坦 , 漢恩喬契姆
IPC分类号： C01B
CPC分类号： B01D3/009 , C01B33/043 , Y02P20/127
摘要：本發明描述一種藉由催化歧化三氯矽烷(SiHCl3)來製備單矽烷(SiH4)之設備及方法。該三氯矽烷係在一反應塔(100)中經一催化劑轉化及隨後在一精餾塔(109)中純化。在反應塔(100)中的反應性/蒸餾性反應區域(104;105)與精餾塔(109)之間設置一或多個冷凝器(103),其中使來自反應塔(100)之含單矽烷之反應產物部份冷凝。然而,此等完全係在-40℃以上的溫度下操作之冷凝器。
简体摘要：本发明描述一种借由催化歧化三氯硅烷(SiHCl3)来制备单硅烷(SiH4)之设备及方法。该三氯硅烷系在一反应塔(100)中经一催化剂转化及随后在一精馏塔(109)中纯化。在反应塔(100)中的反应性/蒸馏性反应区域(104;105)与精馏塔(109)之间设置一或多个冷凝器(103),其中使来自反应塔(100)之含单硅烷之反应产物部份冷凝。然而,此等完全系在-40℃以上的温度下操作之冷凝器。

8. 发明专利

TW201105580A 冶金矽的純化 PURIFICATION OF METALLURGICAL SILICON 审中-公开
简体标题：冶金硅的纯化 PURIFICATION OF METALLURGICAL SILICON
公开(公告)号：TW201105580A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099107501
申请日：2010-03-15
申请人：史克曼矽晶片科技公司
发明人：派翠克艾道夫 , 史考曼克利斯坦 , 漢恩喬契姆
IPC分类号： C01B , B02C
CPC分类号： C30B29/06 , C01B33/037 , C30B11/005 , C30B28/08
摘要：描述一種用於純化冶金矽之製程,其中尤其憑藉一高電壓電場粉碎該冶金矽,使該等所獲得的矽粒子經受一化學處理,且在該化學處理之後使該等矽粒子熔融,且藉由定向凝固來純化該所獲得的熔融矽。另外描述一種用於執行此製程之設備。
简体摘要：描述一种用于纯化冶金硅之制程,其中尤其凭借一高电压电场粉碎该冶金硅,使该等所获得的硅粒子经受一化学处理,且在该化学处理之后使该等硅粒子熔融,且借由定向凝固来纯化该所获得的熔融硅。另外描述一种用于运行此制程之设备。

9. 发明专利

TW201034945A 製造高純矽之方法與裝置 PROCESS AND APPARATUSES FOR PREPARING ULTRAPURE SILICON 审中-公开
简体标题：制造高纯硅之方法与设备 PROCESS AND APPARATUSES FOR PREPARING ULTRAPURE SILICON
公开(公告)号：TW201034945A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098140715
申请日：2009-11-27
申请人：史克曼矽晶片科技公司
发明人：派翠克艾道夫 , 史考曼克利斯坦 , 漢恩喬契姆
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C01B33/027 , B01J19/2405 , C01B33/029 , C01B33/03
摘要：本發明描述一種藉由矽化合物之熱分解來製造高純度矽之方法，其中該矽化合物係藉由與處於使得該矽化合物發生熱分解之溫度下的載氣混合而分解。另外描述可執行該方法之反應器及設備。
简体摘要：本发明描述一种借由硅化合物之热分解来制造高纯度硅之方法，其中该硅化合物系借由与处于使得该硅化合物发生热分解之温度下的载气混合而分解。另外描述可运行该方法之反应器及设备。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式