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1. 发明专利

TWI482854B 矽晶圓用洗淨劑有权
简体标题：硅晶圆用洗净剂
公开(公告)号：TWI482854B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW099112885
申请日：2010-04-23
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：公文創一 , KUMON, SOICHI , 齋尾崇 , SAIO, TAKASHI , 荒田忍 , ARATA, SHINOBU , 七井秀壽 , NANAI, HIDEHISA , 赤松佳則 , AKAMATSU, YOSHINORI
IPC分类号： C11D7/28 , C11D7/50
CPC分类号： H01L21/02057 , C11D3/162 , C11D7/261 , C11D7/262 , C11D7/5022 , C11D11/0047

2. 发明专利

TW201100535A 矽晶圓用洗淨劑审中-公开
简体标题：硅晶圆用洗净剂
公开(公告)号：TW201100535A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099112885
申请日：2010-04-23
申请人：中央硝子股份有限公司
发明人：公文創一 , 齋尾崇 , 荒田忍 , 七井秀壽 , 赤松佳則
IPC分类号： C11D
CPC分类号： H01L21/02057 , C11D3/162 , C11D7/261 , C11D7/262 , C11D7/5022 , C11D11/0047
摘要：本發明提供一種矽晶圓用洗淨劑,其至少包含水系洗淨液、及用以在洗淨過程中使凹凸圖案之至少凹部斥水化之斥水性洗淨液,並且,該斥水性洗淨液係混合含有:包含可與矽晶圓之Si化學鍵結之反應性部位及疏水性基之斥水性化合物、及包含至少醇溶劑之有機溶劑。利用該洗淨劑可改善容易引起圖案崩塌之洗淨步驟。
简体摘要：本发明提供一种硅晶圆用洗净剂,其至少包含水系洗净液、及用以在洗净过程中使凹凸图案之至少凹部斥水化之斥水性洗净液,并且,该斥水性洗净液系混合含有:包含可与硅晶圆之Si化学键结之反应性部位及疏水性基之斥水性化合物、及包含至少醇溶剂之有机溶剂。利用该洗净剂可改善容易引起图案崩塌之洗净步骤。

3. 发明专利

TW200630483A 洗淨半導體製造裝置用溶劑审中-公开
简体标题：洗净半导体制造设备用溶剂
公开(公告)号：TW200630483A
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：TW094139921
申请日：2005-11-14
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：平野智之 HIRANO, TOMOYUKI , 吉田正昭 YOSHIDA, MASAAKI
IPC分类号： C11D , H01L
CPC分类号： C11D7/5022 , C11D7/261 , C11D7/262 , C11D11/0047
摘要：本發明係提供一種為洗淨去除洗淨用溶劑，特別是殘留之樹脂組成物的樹脂組成物用洗淨用溶劑，至少含有沸點為100℃以上之醇系溶劑之溶劑。以至少含有沸點為100℃以上之醇系溶劑之溶劑做為本發明洗淨用溶劑。做為該溶劑者以至少任意一種選自n–丁醇、異丁醇、n–戊醇、4–甲基–2–戊醇、及2–辛醇者宜，更佳者為異丁醇。
简体摘要：本发明系提供一种为洗净去除洗净用溶剂，特别是残留之树脂组成物的树脂组成物用洗净用溶剂，至少含有沸点为100℃以上之醇系溶剂之溶剂。以至少含有沸点为100℃以上之醇系溶剂之溶剂做为本发明洗净用溶剂。做为该溶剂者以至少任意一种选自n–丁醇、异丁醇、n–戊醇、4–甲基–2–戊醇、及2–辛醇者宜，更佳者为异丁醇。

4. 发明专利

TW200624409A 安定化溴丙烷組成物 STABILIZED PROPYL BROMIDE COMPOSITIONS 失效
简体标题：安定化溴丙烷组成物 STABILIZED PROPYL BROMIDE COMPOSITIONS
公开(公告)号：TW200624409A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094138228
申请日：2005-11-01
申请人：亞比馬利股份有限公司 ALBEMARLE CORPORATION
发明人：邦尼蓋瑞麥金尼 MCKINNIE, BONNIE GARY , 約瑟夫H. 米勒 MILLER, JOSEPH H.
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C11D7/5018 , C11D7/261 , C11D7/262
摘要：當使用經取代之酚系化合物及有或無1,2–環氧化物作為唯一的安定劑成份時可極有效地安定溴正丙烷(NPB)。於具有商業重要性之標準60℃安定性測試中，本發明所使用之代表性經取代酚系化合物即使於NPB中之份量僅約50ppm(wt／wt)或更低且未含有任何其他的安定添加劑成份下仍可令NPB通過該測試。事實上，多種經取代之酚系化合物即使用量低至1 ppm仍然有效。此外，本發明還發現一種本發明之較佳安定劑，2,6–二–第三丁基–對位甲酚，雖然其沸點比NPB高，卻只會留下份量在1到30 ppm(wt／wt)範圍之無關緊要之殘餘量。再者，本發明還發現到本發明之某些其他較佳安定劑在與至少一種1,2–環氧化物(特別是環氧丁烷)一起使用時可在60℃安定性測試中提供協同性地安定性改善效果。
简体摘要：当使用经取代之酚系化合物及有或无1,2–环氧化物作为唯一的安定剂成份时可极有效地安定溴正丙烷(NPB)。于具有商业重要性之标准60℃安定性测试中，本发明所使用之代表性经取代酚系化合物即使于NPB中之份量仅约50ppm(wt／wt)或更低且未含有任何其他的安定添加剂成份下仍可令NPB通过该测试。事实上，多种经取代之酚系化合物即使用量低至1 ppm仍然有效。此外，本发明还发现一种本发明之较佳安定剂，2,6–二–第三丁基–对位甲酚，虽然其沸点比NPB高，却只会留下份量在1到30 ppm(wt／wt)范围之无关紧要之残余量。再者，本发明还发现到本发明之某些其他较佳安定剂在与至少一种1,2–环氧化物(特别是环氧丁烷)一起使用时可在60℃安定性测试中提供协同性地安定性改善效果。

5. 发明专利

TWI341865B 洗淨半導體製造裝置用溶劑有权
简体标题：洗净半导体制造设备用溶剂
公开(公告)号：TWI341865B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：TW094139921
申请日：2005-11-14
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：平野智之 , 吉田正昭
IPC分类号： C11D , H01L
CPC分类号： C11D7/5022 , C11D7/261 , C11D7/262 , C11D11/0047
摘要：本發明係提供一種為洗淨去除洗淨用溶劑，特別是殘留之樹脂組成物的樹脂組成物用洗淨用溶劑，至少含有沸點為100℃以上之醇系溶劑之溶劑。以至少含有沸點為100℃以上之醇系溶劑之溶劑做為本發明洗淨用溶劑。做為該溶劑者以至少任意一種選自n－丁醇、異丁醇、n－戊醇、4－甲基－2－戊醇、及2－辛醇者宜，更佳者為異丁醇。
简体摘要：本发明系提供一种为洗净去除洗净用溶剂，特别是残留之树脂组成物的树脂组成物用洗净用溶剂，至少含有沸点为100℃以上之醇系溶剂之溶剂。以至少含有沸点为100℃以上之醇系溶剂之溶剂做为本发明洗净用溶剂。做为该溶剂者以至少任意一种选自n－丁醇、异丁醇、n－戊醇、4－甲基－2－戊醇、及2－辛醇者宜，更佳者为异丁醇。

6. 发明专利

TW200517487A 新穎清洗劑及清洗方法 NOVEL DETERGENT AND METHOD FOR CLEANING 审中-公开
简体标题：新颖清洗剂及清洗方法 NOVEL DETERGENT AND METHOD FOR CLEANING
公开(公告)号：TW200517487A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：TW093130828
申请日：2004-10-12
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：水田浩德 MIZUTA, HIRONORI , 柿澤政彥 KAKIZAWA, MASAHIKO , 林田一良 HAYASHIDA, ICHIRO
IPC分类号： C11D
CPC分类号： H01L21/02052 , C11D7/261 , C11D7/262 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/3245 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G5/02 , C23G5/032
摘要：本發明提供一種基板用清洗劑及清洗方法，可有效地清除存在基板表面之微細粒子(微粒)及源自各種金屬之不純物(金屬不純物)，且不損傷基板(亦即基板表面不會變粗糙)，特別是半導體基板之表面，亦不腐蝕或氧化基板表面上之金屬配線，特別是銅配線，同時又可在不脫除抗金屬腐蝕劑-Cu被膜，特別是Cu-BTA被膜下，洗除基板表面上存在之碳雜質(carbon defect)。本發明係提供基板用清洗劑，其係含有〔I〕至少含1個羧基之有機酸、〔II〕錯合劑及〔III〕選自(1)一元醇類、(2)烷氧基醇類、(3)二醇類、(4)二醇醚類、(5)酮類及(6)類所成組群之有機溶劑，以及提供使用該清洗劑處理基板表面之清洗方法。
简体摘要：本发明提供一种基板用清洗剂及清洗方法，可有效地清除存在基板表面之微细粒子(微粒)及源自各种金属之不纯物(金属不纯物)，且不损伤基板(亦即基板表面不会变粗糙)，特别是半导体基板之表面，亦不腐蚀或氧化基板表面上之金属配线，特别是铜配线，同时又可在不脱除抗金属腐蚀剂-Cu被膜，特别是Cu-BTA被膜下，洗除基板表面上存在之碳杂质(carbon defect)。本发明系提供基板用清洗剂，其系含有〔I〕至少含1个羧基之有机酸、〔II〕错合剂及〔III〕选自(1)一元醇类、(2)烷氧基醇类、(3)二醇类、(4)二醇醚类、(5)酮类及(6)类所成组群之有机溶剂，以及提供使用该清洗剂处理基板表面之清洗方法。

7. 发明专利

TWI373522B 安定化溴丙烷組成物 STABILIZED PROPYL BROMIDE COMPOSITIONS 失效
简体标题：安定化溴丙烷组成物 STABILIZED PROPYL BROMIDE COMPOSITIONS
公开(公告)号：TWI373522B
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW094138228
申请日：2005-11-01
申请人：亞比馬利股份有限公司
发明人：邦尼蓋瑞麥金尼 , 約瑟夫H 米勒
IPC分类号： C11D , C23G
CPC分类号： C11D7/5018 , C11D7/261 , C11D7/262
摘要：當使用經取代之酚系化合物及有或無1,2-環氧化物作為唯一的安定劑成份時可極有效地安定溴正丙烷(NPB)。於具有商業重要性之標準60℃安定性測試中，本發明所使用之代表性經取代酚系化合物即使於NPB中之份量僅約50 ppm(wt/wt)或更低且未含有任何其他的安定添加劑成份下仍可令NPB通過該測試。事實上，多種經取代之酚系化合物即使用量低至1 ppm仍然有效。此外，本發明還發現一種本發明之較佳安定劑，2,6-二-第三丁基-對位甲酚，雖然其沸點比NPB高，卻只會留下份量在1到30 ppm(wt/wt)範圍之無關緊要之殘餘量。再者，本發明還發現到本發明之某些其他較佳安定劑在與至少一種1,2-環氧化物(特別是環氧丁烷)一起使用時可在60℃安定性測試中提供協同性地安定性改善效果。
简体摘要：当使用经取代之酚系化合物及有或无1,2-环氧化物作为唯一的安定剂成份时可极有效地安定溴正丙烷(NPB)。于具有商业重要性之标准60℃安定性测试中，本发明所使用之代表性经取代酚系化合物即使于NPB中之份量仅约50 ppm(wt/wt)或更低且未含有任何其他的安定添加剂成份下仍可令NPB通过该测试。事实上，多种经取代之酚系化合物即使用量低至1 ppm仍然有效。此外，本发明还发现一种本发明之较佳安定剂，2,6-二-第三丁基-对位甲酚，虽然其沸点比NPB高，却只会留下份量在1到30 ppm(wt/wt)范围之无关紧要之残余量。再者，本发明还发现到本发明之某些其他较佳安定剂在与至少一种1,2-环氧化物(特别是环氧丁烷)一起使用时可在60℃安定性测试中提供协同性地安定性改善效果。

8. 发明专利

TWI362415B 新穎清洗劑及清洗方法 NOVEL DETERGENT AND METHOD FOR CLEANING 有权
简体标题：新颖清洗剂及清洗方法 NOVEL DETERGENT AND METHOD FOR CLEANING
公开(公告)号：TWI362415B
公开(公告)日：2012-04-21
申请号：TW093130828
申请日：2004-10-12
申请人：和光純藥工業股份有限公司
发明人：水田浩德 , 柿澤政彥 , 林田一良
IPC分类号： C11D
CPC分类号： H01L21/02052 , C11D7/261 , C11D7/262 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/3245 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G5/02 , C23G5/032
摘要：本發明提供一種基板用清洗劑及清洗方法，可有效地清除存在基板表面之微細粒子(微粒)及源自各種金屬之不純物(金屬不純物)，且不損傷基板(亦即基板表面不會變粗糙)，特別是半導體基板之表面，亦不腐蝕或氧化基板表面上之金屬配線，特別是銅配線，同時又可在不脫除抗金屬腐蝕劑-Cu被膜，特別是Cu-BTA被膜下，洗除基板表面上存在之碳雜質(carbon defect)。
本發明係提供基板用清洗劑，其係含有[I]至少含1個羧基之有機酸、[II]錯合劑及[III]選自(1)一元醇類、(2)烷氧基醇類、(3)二醇類、(4)二醇醚類、(5)酮類及(6)腈類所成組群之有機溶劑，以及提供使用該清洗劑處理基板表面之清洗方法。
简体摘要：本发明提供一种基板用清洗剂及清洗方法，可有效地清除存在基板表面之微细粒子(微粒)及源自各种金属之不纯物(金属不纯物)，且不损伤基板(亦即基板表面不会变粗糙)，特别是半导体基板之表面，亦不腐蚀或氧化基板表面上之金属配线，特别是铜配线，同时又可在不脱除抗金属腐蚀剂-Cu被膜，特别是Cu-BTA被膜下，洗除基板表面上存在之碳杂质(carbon defect)。本发明系提供基板用清洗剂，其系含有[I]至少含1个羧基之有机酸、[II]错合剂及[III]选自(1)一元醇类、(2)烷氧基醇类、(3)二醇类、(4)二醇醚类、(5)酮类及(6)腈类所成组群之有机溶剂，以及提供使用该清洗剂处理基板表面之清洗方法。

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