专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201811706A 螢光體密封用之密封材、及波長轉換構件审中-公开
简体标题：萤光体密封用之密封材、及波长转换构件
公开(公告)号：TW201811706A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106122388
申请日：2017-07-04
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：木田貴久 , KIDA, TAKAHISA , 中野雄貴 , NAKANO, YUKI , 濱田潤 , HAMADA, JUN , 柳沢誠通 , YANAGISAWA, MASAMICHI
IPC分类号： C03C14/00 , C03C8/14 , H01L33/50 , C09K11/00
CPC分类号： C03C3/068 , C03C8/14 , C09K3/10 , C09K11/00 , C09K11/02 , C09K11/08 , H01L33/50
摘要：本發明所揭示者係一種螢光體密封用之密封材，其係密封螢光體之密封材，且其特徵在於：其含有以莫耳%計包含0.1～17之SiO2、20～50之B2O3、10～55之ZnO及5～36之Bi2O3之玻璃材料，該玻璃材料之軟化點(Ts)與轉移溫度(Tg)之差(ΔTs－Tg)為40～80℃。根據本發明，可於密封螢光體之密封材中，獲得一種可抑制螢光體之失活且進而提昇了耐濕性之玻璃之密封材。
简体摘要：本发明所揭示者系一种萤光体密封用之密封材，其系密封萤光体之密封材，且其特征在于：其含有以莫耳%计包含0.1～17之SiO2、20～50之B2O3、10～55之ZnO及5～36之Bi2O3之玻璃材料，该玻璃材料之软化点(Ts)与转移温度(Tg)之差(ΔTs－Tg)为40～80℃。根据本发明，可于密封萤光体之密封材中，获得一种可抑制萤光体之失活且进而提升了耐湿性之玻璃之密封材。

2. 发明专利

TW201617601A 金奈米簇組成物與其製備方法及含硫醇基物質的檢測方法审中-公开
简体标题：金奈米簇组成物与其制备方法及含硫醇基物质的检测方法
公开(公告)号：TW201617601A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW103138484
申请日：2014-11-06
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳振泰 , CHEN, CHENG TAI , 江佩馨 , JIANG, PEI SHIN , 陳廷碩 , CHEN, TING SHOU , 蔡秀娟 , TSAI, JANE S C
IPC分类号： G01N21/64 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , C09K11/58
CPC分类号： C09K11/06 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , B82Y35/00 , C09K11/00 , C09K2211/10 , G01N21/6428 , G01N2021/6439 , Y10S977/774 , Y10S977/896 , Y10S977/95
摘要：本發明揭示一種金奈米簇組成物及其製備方法，包含提供金離子溶液；混合金離子溶液與還原劑溶液，以得第一混合液；加熱第一混合液，以得第二混合液，其中第二混合液含金奈米簇，且還原劑以非飽和之型態擔載於金奈米簇之表面。
简体摘要：本发明揭示一种金奈米簇组成物及其制备方法，包含提供金离子溶液；混合金离子溶液与还原剂溶液，以得第一混合液；加热第一混合液，以得第二混合液，其中第二混合液含金奈米簇，且还原剂以非饱和之型态担载于金奈米簇之表面。

3. 发明专利

TW201609981A 用於光電元件塗層之混成材料审中-公开
简体标题：用于光电组件涂层之混成材料
公开(公告)号：TW201609981A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104124526
申请日：2015-07-29
申请人： AZ電子材料盧森堡有限公司 , AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.
发明人：葛羅坦慕勒拉夫 , GROTTENMUELLER, RALF , 卡路那南丹羅莎琳 , KARUNANANDAN, ROSALIN , 北文雄 , KITA, FUMIO , 蘭玆赫姆特 , LENZ, HELMUT , 瓦格納迪特 , WAGNER, DIETER , 德勒塞安德烈斯 , DRESEL, ANDREAS
IPC分类号： C08L83/14 , C08G77/54 , C08K9/06 , C09D183/14 , C09D7/12 , H01L33/44
CPC分类号： C09D183/16 , C08G77/62 , C08K3/013 , C08K3/20 , C08K5/0008 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K2201/003 , C08K2201/011 , C08L83/16 , C09D5/22 , C09D7/62 , C09D7/67 , C09K11/00 , H01L23/293 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要：本發明關於包含以下的混成材料之用途：a)有機聚矽氮烷材料，及b)至少一種經表面修改之奈米規模無機氧化物，其係用作為用以在光電元件中製造厚度小於500微米之透明層的塗層材料。
简体摘要：本发明关于包含以下的混成材料之用途：a)有机聚硅氮烷材料，及b)至少一种经表面修改之奈米规模无机氧化物，其系用作为用以在光电组件中制造厚度小于500微米之透明层的涂层材料。

4. 发明专利

TW201526327A 有機發光裝置及方法审中-公开
简体标题：有机发光设备及方法
公开(公告)号：TW201526327A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103141072
申请日：2014-11-26
申请人：劍橋顯示科技有限公司 , CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED , 諾瓦雷有限責任公司 , NOVALED GMBH
发明人：葛里吉伊拉利亞 , GRIZZI, ILARIA , 弗南德茲奧斯卡 , FERNANDEZ, OSCAR , 拉蒙彌凱爾 , RAMON, MIGUEL
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/14 , C09K11/06
CPC分类号： C09K11/00 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0077 , H01L51/5004 , H01L51/5072 , H01L51/5076 , H01L2251/55
摘要：本發明係關於有機發光裝置，其具有包含發光聚合物之發光層及在該發光層上且包含電子傳輸材料之電子傳輸層，其中該電子傳輸材料(Tg(ETM))及該發光聚合物(Tg(LEP))之玻璃轉化溫度(以℃量測)滿足以下不等式：Tg(ETM)+Tg(LEP)>270 且其中該電子傳輸材料之該玻璃轉化溫度高於140℃。該裝置可包含聚合物發光層及沈積於該發光層上之非聚合物(小分子)電子傳輸層，該電子傳輸層包含含有小分子主體之電子傳輸材料及含有小分子摻雜劑之供電子材料之摻合物。
简体摘要：本发明系关于有机发光设备，其具有包含发光聚合物之发光层及在该发光层上且包含电子传输材料之电子传输层，其中该电子传输材料(Tg(ETM))及该发光聚合物(Tg(LEP))之玻璃转化温度(以℃量测)满足以下不等式：Tg(ETM)+Tg(LEP)>270 且其中该电子传输材料之该玻璃转化温度高于140℃。该设备可包含聚合物发光层及沉积于该发光层上之非聚合物(小分子)电子传输层，该电子传输层包含含有小分子主体之电子传输材料及含有小分子掺杂剂之供电子材料之掺合物。

5. 发明专利

TW201736570A 波長轉換構件及發光裝置审中-公开
简体标题：波长转换构件及发光设备
公开(公告)号：TW201736570A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106102005
申请日：2017-01-20
申请人：日本特殊陶業股份有限公司 , NGK SPARK PLUG CO., LTD.
发明人：傳井美史 , TSUTAI, YOSHIFUMI , 佐藤友美 , SATO, YUMI , 阿部譽史 , ABE, TAKASHI , 佐藤豐 , SATO, YUTAKA
IPC分类号： C09K11/00 , F21V29/502 , F21V29/70 , F21V9/16 , G02B5/20 , H01L33/50 , F21Y115/10
CPC分类号： C09K11/00 , F21V9/30 , F21V29/502 , F21V29/70 , G02B5/20 , H01L33/50
摘要：提供一種熱傳導性高，可防止螢光層之溫度上升，即便照射強度大的光源光亦可維持螢光性能的螢光構件及發光裝置。一種波長轉換構件100，係將特定範圍的波長的光轉換成其他波長的光並將透射的光設為照射光之透射型的波長轉換構件，具備：包含無機材料且供光透射的基材110；及設於前述基材110上且包含對吸收光發出轉換光的螢光體粒子122及將前述螢光體粒子122彼此結合的透光性陶瓷121之螢光體層120，前述螢光體層120的厚度與前述螢光體粒子的平均粒徑之比為小於30。
简体摘要：提供一种热传导性高，可防止萤光层之温度上升，即便照射强度大的光源光亦可维持萤光性能的萤光构件及发光设备。一种波长转换构件100，系将特定范围的波长的光转换成其他波长的光并将透射的光设为照射光之透射型的波长转换构件，具备：包含无机材料且供光透射的基材110；及设于前述基材110上且包含对吸收光发出转换光的萤光体粒子122及将前述萤光体粒子122彼此结合的透光性陶瓷121之萤光体层120，前述萤光体层120的厚度与前述萤光体粒子的平均粒径之比为小于30。

6. 发明专利

TW201728737A 核殼粒子、核殼粒子的製造方法及膜审中-公开
简体标题：核壳粒子、核壳粒子的制造方法及膜
公开(公告)号：TW201728737A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105136064
申请日：2016-11-07
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：小野雅司 , ONO, MASASHI
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/70 , C09K11/74 , C09K11/88 , H01L33/26
CPC分类号： B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01G15/00 , C09K11/00 , C09K11/08 , C09K11/70
摘要：本發明的課題在於提供一種發光效率高且耐久性亦優異的核殼粒子及其製造方法、以及使用核殼粒子的膜。本發明的核殼粒子包括含有III族元素及V族元素的核、覆蓋核的表面的至少一部分的第1殼、以及覆蓋第1殼的至少一部分的第2殼，並且於核殼粒子的表面的至少一部分中含有包含金屬元素及烴基的含金屬有機化合物。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种发光效率高且耐久性亦优异的核壳粒子及其制造方法、以及使用核壳粒子的膜。本发明的核壳粒子包括含有III族元素及V族元素的核、覆盖核的表面的至少一部分的第1壳、以及覆盖第1壳的至少一部分的第2壳，并且于核壳粒子的表面的至少一部分中含有包含金属元素及烃基的含金属有机化合物。

7. 发明专利

TW201724577A 波長轉換構件之製造方法及波長轉換構件审中-公开
简体标题：波长转换构件之制造方法及波长转换构件
公开(公告)号：TW201724577A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105129228
申请日：2016-09-09
申请人：日本電氣硝子股份有限公司 , NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD.
发明人：角見昌昭 , KADOMI, MASAAKI , 西宮隆史 , NISHIMIYA, TAKASHI , 浅野秀樹 , ASANO, HIDEKI
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： C03C8/14 , C09K11/00 , C09K11/08 , H01L33/50
摘要：本發明提供一種可抑制無機奈米螢光體粒子與玻璃之反應而抑制無機奈米螢光體粒子之劣化的波長轉換構件之製造方法及波長轉換構件。本發明之波長轉換構件之製造方法之特徵在於包括：於無機奈米螢光體粒子1之表面形成無機保護膜5之步驟；及將形成有無機保護膜5之無機奈米螢光體粒子1與玻璃粉末混合，以殘存無機保護膜5之溫度範圍進行煅燒之步驟。
简体摘要：本发明提供一种可抑制无机奈米萤光体粒子与玻璃之反应而抑制无机奈米萤光体粒子之劣化的波长转换构件之制造方法及波长转换构件。本发明之波长转换构件之制造方法之特征在于包括：于无机奈米萤光体粒子1之表面形成无机保护膜5之步骤；及将形成有无机保护膜5之无机奈米萤光体粒子1与玻璃粉末混合，以残存无机保护膜5之温度范围进行煅烧之步骤。

8. 发明专利

TW201712902A 發光裝置的製造方法以及顯示裝置的製造方法审中-公开
简体标题：发光设备的制造方法以及显示设备的制造方法
公开(公告)号：TW201712902A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105131327
申请日：2016-09-29
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：神崎達也 , KANZAKI, TATSUYA , 重田和樹 , SHIGETA, KAZUKI
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/08 , H01L27/15
CPC分类号： B32B7/02 , C09K11/00 , G02B5/20 , H01L33/50
摘要：本發明提供一種發光裝置的製造方法，其為包括以下步驟的製造方法：將於基材膜上具有螢光體層的螢光體片材的螢光體層切成單片的步驟；對螢光體層經切成單片的螢光體片材進行熱處理或紫外線照射的步驟；拾取經切成單片的螢光體層的步驟；以及將經切成單片的螢光體層貼附於LED晶片上的步驟，並且發光裝置的製造方法的特徵在於：熱處理或紫外線照射之前的室溫下的螢光體層與基材膜間的接著強度A、及熱處理或紫外線照射之後的室溫下的螢光體層與基材膜間的接著強度B為 A＝5.0 N/cm以上 B＝0.1 N/cm以下，並且發光裝置的製造方法使用切斷加工性優異、且拾取性亦優異的螢光體片材。
简体摘要：本发明提供一种发光设备的制造方法，其为包括以下步骤的制造方法：将于基材膜上具有萤光体层的萤光体片材的萤光体层切成单片的步骤；对萤光体层经切成单片的萤光体片材进行热处理或紫外线照射的步骤；十取经切成单片的萤光体层的步骤；以及将经切成单片的萤光体层贴附于LED芯片上的步骤，并且发光设备的制造方法的特征在于：热处理或紫外线照射之前的室温下的萤光体层与基材膜间的接着强度A、及热处理或紫外线照射之后的室温下的萤光体层与基材膜间的接着强度B为 A＝5.0 N/cm以上 B＝0.1 N/cm以下，并且发光设备的制造方法使用切断加工性优异、且十取性亦优异的萤光体片材。

9. 发明专利

TWI596226B 用透明光致發光標記標記產品的方法及標記有該光致發光標記的產品有权
简体标题：用透明光致发光标记标记产品的方法及标记有该光致发光标记的产品
公开(公告)号：TWI596226B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW105132037
申请日：2016-10-04
申请人：瑞士聯邦理工大學洛桑(EPFL) , ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL)
发明人：黑芬納斯 , HEFYENE, NASSER , 古尙恩尼古拉斯 , GRANDJEAN, NICOLAS
IPC分类号： C23C16/04 , C09K11/08 , B32B33/00 , F21K2/00
CPC分类号： C23C16/303 , B42D25/36 , B42D25/43 , C09K11/00 , C23C14/0617 , G04B19/00 , G09F3/02 , G09F2003/0276

10. 发明专利

TW201727262A 帶電粒子輻射測量方法及帶電粒子輻射測量裝置审中-公开
简体标题：带电粒子辐射测量方法及带电粒子辐射测量设备
公开(公告)号：TW201727262A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105127462
申请日：2016-08-26
申请人：國立大學法人群馬大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION GUNMA UNIVERSITY , 國立研究開發法人量子科學技術研究開發機構 , NATIONAL INSTITUTES FOR QUANTUM AND RADIOLOGICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY , 電化股份有限公司 , DENKA COMPANY LIMITED
发明人：加田涉 , KADA, WATARU , 三浦健太 , MIURA, KENTA , 花泉修 , HANAIZUMI, OSAMU , 神谷富裕 , KAMIYA, TOMIHIRO , 佐藤隆博 , SATOH, TAKAHIRO , 須崎純一 , SUSAKI, JUNICHI , 山田鈴彌 , YAMADA, SUZUYA
IPC分类号： G01T1/20 , G01T1/164
CPC分类号： C09K11/00 , C09K11/64 , G01T1/20 , G01T1/202
摘要：提供一種具有高度耐熱性及耐放射線照射性的放射線測量裝置。提供一種帶電粒子放射線測量方法及帶電粒子放射線測量裝置，其所使用的閃爍體包含以SiAlON螢光體為主成分之螢光體。
简体摘要：提供一种具有高度耐热性及耐放射线照射性的放射线测量设备。提供一种带电粒子放射线测量方法及带电粒子放射线测量设备，其所使用的闪烁体包含以SiAlON萤光体为主成分之萤光体。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式