专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201802104A 包含有機半導體層有機發光二極體审中-公开
简体标题：包含有机半导体层有机发光二极管
公开(公告)号：TW201802104A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106110165
申请日：2017-03-27
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 , NOVALED GMBH
发明人：路西汀內茲雷吉那 , LUSCHTINETZ, REGINA , 卡地納里弗朗索瓦 , CARDINALI, FRANCOIS , 弗雷朱利安 , FREY, JULIEN , 帕菲西格多門戈伊 , PAVICIC, DOMAGOJ
IPC分类号： C07F9/53 , H01L51/54
CPC分类号： H01L51/0053 , C07F9/5325 , H01L51/5012
摘要：本發明與包含陽極電極、陰極電極、至少一發光層以及有機半導體層的有機發光二極體有關，其中有機半導體層被配置在陽極電極以及陰極電極之間，且有機半導體層包含鹼金屬有機錯合物以及分子式1化合物其中X選自O、S或Se；以及R1以及R2獨立地選自C6至C18芳基以及C5至C18雜芳基所組成的群組，其中每個R1以及R2可獨立地未取代或以至少一C1至C12烷基或C1至C12烷氧基取代，較佳為C1至C4烷基或C1至C4烷氧基；以及每個R3、R4、R5以及R6獨立地選自H、C1至C12烷基或C1至C12烷氧基所組成的群組，較佳為H、C1至C4烷基或C1至C4烷氧基；用於製備同者的方法以及包含於其中的分子式1化合物。
简体摘要：本发明与包含阳极电极、阴极电极、至少一发光层以及有机半导体层的有机发光二极管有关，其中有机半导体层被配置在阳极电极以及阴极电极之间，且有机半导体层包含碱金属有机错合物以及分子式1化合物其中X选自O、S或Se；以及R1以及R2独立地选自C6至C18芳基以及C5至C18杂芳基所组成的群组，其中每个R1以及R2可独立地未取代或以至少一C1至C12烷基或C1至C12烷氧基取代，较佳为C1至C4烷基或C1至C4烷氧基；以及每个R3、R4、R5以及R6独立地选自H、C1至C12烷基或C1至C12烷氧基所组成的群组，较佳为H、C1至C4烷基或C1至C4烷氧基；用于制备同者的方法以及包含于其中的分子式1化合物。

2. 发明专利

TWI584513B 顯示器有权
简体标题：显示器
公开(公告)号：TWI584513B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW101144998
申请日：2012-11-30
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 , NOVALED GMBH
发明人：法德希爾奧姆蘭 , FADHEL, OMRANE , 普雷奇雷蒙那 , PRETSCH, RAMONA , 羅斯卡斯登 , ROTHE, CARSTEN , 雷斯曼魯道夫 , LESSMANN, RUDOLF , 卡地納里法蘭柯伊斯 , CARDINALI, FRANCOIS
IPC分类号： H01L51/54 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0054 , C07D221/18 , C07F9/64 , C09B15/00 , H01L27/3206 , H01L27/3244 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5076

3. 发明专利

TW201638366A 用於真空熱蒸鍍經取代之1,2,3-三亞基三(氰甲基亞基)環丙烷與使用它們之電子裝置及半導體材料审中-公开
简体标题：用于真空热蒸镀经取代之1,2,3-三亚基三(氰甲基亚基)环丙烷与使用它们之电子设备及半导体材料
公开(公告)号：TW201638366A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104142042
申请日：2015-12-15
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 , NOVALED GMBH
发明人：漢莫特馬克斯 , HUMMERT, MARKUS , 布魯赫阿希姆 , BRUCH, ACHIM , 科恩克里斯蒂亞娜 , KOEHN, CHRISTIANE , 穆林麥斯 , NUELLEN, MAX P.
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/12 , C07D213/84 , C07C255/50 , C07D239/26 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/005 , C07C255/35 , C07C255/51 , C07C2601/02 , C07C2601/16 , C07D213/84 , C07D239/30 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1018 , H01L51/001 , H01L51/0067 , H01L51/506 , H01L51/5088 , H01L2251/554
摘要：本發明是關於一種用於製備包括一[3]-軸烯p-摻質之電性摻雜半導體材料的製程、或是用於製備含有一[3]-軸烯p-摻質之層之電子裝置的製程、分別的[3]-軸烯化合物、及半導體與層、及包括該化合物的電子裝置，該製程包括步驟： (i) 以該[3]-軸烯p-摻質加載一蒸鍍源；及 (ii) 在一升高溫度與一降低壓力下蒸鍍該[3]-軸烯p-摻質，其中該[3]-軸烯p-摻質係選自具有根據式(I)之結構的化合物：(I)，其中A1 及A2 獨立是芳基或雜芳基取代的氰亞甲基，該芳基及/或雜芳基係獨立地選自4-氰-2,3,5,6-四氟苯基、2,3,5,6-四氟砒啶-4-基、4-三氟甲基-2,3,5,6-四氟苯基、2,4-二(三氟苯基)-3,5,6-三氟苯基、2,5-二(三氟甲基)-3,4,6-三氟苯基、2,4,6-三(三氟甲基)-1,3-二吖嗪-5-基、3,4-二氰-2,5,6-三氟苯基、2-氰-3,5,6-三氟砒啶-4-基、2-三氟甲基-3,5,6-三氟砒啶-4-基、2,5,6-三氟-1,3-二吖嗪-4-基及3-三氟甲基-4-氰-2,5,6-三氟苯基的A1 及A2 ，以及至少一個芳基或雜芳基是2,3,5,6-四氟砒啶-4-基、2,4-二(三氟甲基)-3,5,6-三氟苯基、2,5-二(三氟甲基)-3,4,6-三氟苯基、2,4,6-三(三氟甲基)-1,3-二吖嗪-5-基、3,4-二氰-2,5,6-三氟苯基、2-氰-3,5,6-三氟砒啶-4-基、2-三氟甲基-3,5,6-三氟砒啶-4-基、2,5,6-三氟-1,3-二吖嗪-4-基或3-三氟甲基-4-氰-2,5,6-三氟苯基，限制條件是在A1 及A2 中的雜芳基不能同時是 2,3,5,6-四氟砒啶-4-基。
简体摘要：本发明是关于一种用于制备包括一[3]-轴烯p-掺质之电性掺杂半导体材料的制程、或是用于制备含有一[3]-轴烯p-掺质之层之电子设备的制程、分别的[3]-轴烯化合物、及半导体与层、及包括该化合物的电子设备，该制程包括步骤： (i) 以该[3]-轴烯p-掺质加载一蒸镀源；及 (ii) 在一升高温度与一降低压力下蒸镀该[3]-轴烯p-掺质，其中该[3]-轴烯p-掺质系选自具有根据式(I)之结构的化合物：(I)，其中A1 及A2 独立是芳基或杂芳基取代的氰亚甲基，该芳基及/或杂芳基系独立地选自4-氰-2,3,5,6-四氟苯基、2,3,5,6-四氟砒啶-4-基、4-三氟甲基-2,3,5,6-四氟苯基、2,4-二(三氟苯基)-3,5,6-三氟苯基、2,5-二(三氟甲基)-3,4,6-三氟苯基、2,4,6-三(三氟甲基)-1,3-二吖嗪-5-基、3,4-二氰-2,5,6-三氟苯基、2-氰-3,5,6-三氟砒啶-4-基、2-三氟甲基-3,5,6-三氟砒啶-4-基、2,5,6-三氟-1,3-二吖嗪-4-基及3-三氟甲基-4-氰-2,5,6-三氟苯基的A1 及A2 ，以及至少一个芳基或杂芳基是2,3,5,6-四氟砒啶-4-基、2,4-二(三氟甲基)-3,5,6-三氟苯基、2,5-二(三氟甲基)-3,4,6-三氟苯基、2,4,6-三(三氟甲基)-1,3-二吖嗪-5-基、3,4-二氰-2,5,6-三氟苯基、2-氰-3,5,6-三氟砒啶-4-基、2-三氟甲基-3,5,6-三氟砒啶-4-基、2,5,6-三氟-1,3-二吖嗪-4-基或3-三氟甲基-4-氰-2,5,6-三氟苯基，限制条件是在A1 及A2 中的杂芳基不能同时是 2,3,5,6-四氟砒啶-4-基。

4. 发明专利

TW201537803A 多色發光裝置及其通用電洞傳送基質审中-公开
简体标题：多色发光设备及其通用电洞发送基质
公开(公告)号：TW201537803A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104108572
申请日：2015-03-18
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 , NOVALED GMBH
发明人：諾爾納邁克 , ZOELLNER, MIKE , 柏克哈德馬丁 , BURKHARDT, MARTIN
IPC分类号： H01L51/52 , C09K11/06
CPC分类号： H01L51/0059 , C07C211/54 , C09B57/008 , C09K11/06 , C09K2211/185 , H01L27/3206 , H01L51/5024 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L51/5096
摘要：本發明與包括至少一實質上有機層的有機發光二極體(OLED)有關，該至少一實質上有機層包括1,N,N,N’,N’-五(1,1’-二苯基-4-基)- 亞苯基-3,5-二胺基質化合物，以及與特別可用作OLED中的電洞傳送及/或電子阻擋層基質的新的1,N,N,N’,N’-五(1,1’-二苯基-4-基)- 亞苯基-3,5-二胺化合物有關。
简体摘要：本发明与包括至少一实质上有机层的有机发光二极管(OLED)有关，该至少一实质上有机层包括1,N,N,N’,N’-五(1,1’-二苯基-4-基)- 亚苯基-3,5-二胺基质化合物，以及与特别可用作OLED中的电洞发送及/或电子阻挡层基质的新的1,N,N,N’,N’-五(1,1’-二苯基-4-基)- 亚苯基-3,5-二胺化合物有关。

5. 发明专利

TW201526327A 有機發光裝置及方法审中-公开
简体标题：有机发光设备及方法
公开(公告)号：TW201526327A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103141072
申请日：2014-11-26
申请人：劍橋顯示科技有限公司 , CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED , 諾瓦雷有限責任公司 , NOVALED GMBH
发明人：葛里吉伊拉利亞 , GRIZZI, ILARIA , 弗南德茲奧斯卡 , FERNANDEZ, OSCAR , 拉蒙彌凱爾 , RAMON, MIGUEL
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/14 , C09K11/06
CPC分类号： C09K11/00 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0077 , H01L51/5004 , H01L51/5072 , H01L51/5076 , H01L2251/55
摘要：本發明係關於有機發光裝置，其具有包含發光聚合物之發光層及在該發光層上且包含電子傳輸材料之電子傳輸層，其中該電子傳輸材料(Tg(ETM))及該發光聚合物(Tg(LEP))之玻璃轉化溫度(以℃量測)滿足以下不等式：Tg(ETM)+Tg(LEP)>270 且其中該電子傳輸材料之該玻璃轉化溫度高於140℃。該裝置可包含聚合物發光層及沈積於該發光層上之非聚合物(小分子)電子傳輸層，該電子傳輸層包含含有小分子主體之電子傳輸材料及含有小分子摻雜劑之供電子材料之摻合物。
简体摘要：本发明系关于有机发光设备，其具有包含发光聚合物之发光层及在该发光层上且包含电子传输材料之电子传输层，其中该电子传输材料(Tg(ETM))及该发光聚合物(Tg(LEP))之玻璃转化温度(以℃量测)满足以下不等式：Tg(ETM)+Tg(LEP)>270 且其中该电子传输材料之该玻璃转化温度高于140℃。该设备可包含聚合物发光层及沉积于该发光层上之非聚合物(小分子)电子传输层，该电子传输层包含含有小分子主体之电子传输材料及含有小分子掺杂剂之供电子材料之掺合物。

6. 发明专利

TW201522289A 1,2,3-三亞基三(氰甲基亞基)三(2,3,5,6-四氟苯甲腈)環丙烷程序审中-公开
简体标题： 1,2,3-三亚基三(氰甲基亚基)三(2,3,5,6-四氟苯甲腈)环丙烷进程
公开(公告)号：TW201522289A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103124111
申请日：2014-07-14
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 , NOVALED GMBH
发明人：多羅科沙夏 , DOROK, SASCHA , 伍茲克延斯 , WUTKE, JENS , 克洛斯曼紐拉 , KLOSE, MANUELA , 布羅斯亞仁茱莉亞 , BROTHAGEN, JULIA
IPC分类号： C07C253/30 , C07C255/51
CPC分类号： C07C253/30 , C07C2601/02 , C07C255/51
摘要：本發明涉及一種藉由以濃硝酸氧化前驅物亞甲基環丙烯化合物(c)來製造1,2,3-三亞基三(氰甲基亞基)三(2,3,5,6-四氟苯甲腈)環丙烷的工業程序。
简体摘要：本发明涉及一种借由以浓硝酸氧化前驱物亚甲基环丙烯化合物(c)来制造1,2,3-三亚基三(氰甲基亚基)三(2,3,5,6-四氟苯甲腈)环丙烷的工业进程。

7. 发明专利

TWI276142B 以苯二亞胺衍生物摻雜有機半導體的方法 VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON ORGANISCHEN HALBLEITERN MIT CHINONDIIMINDERIVATEN 有权
简体标题：以苯二亚胺衍生物掺杂有机半导体的方法 VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON ORGANISCHEN HALBLEITERN MIT CHINONDIIMINDERIVATEN
公开(公告)号：TWI276142B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW093102560
申请日：2004-02-04
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：奧拉夫.屈爾 OLAF KUEHL , 霍斯特.哈特曼 HORST HARTMANN , 奧拉夫.柴卡 OLAF ZEIKA , 馬丁.普法伊弗爾 MARTIN PFEIFFER , 友善.陳 YOUXUAN ZHENG
IPC分类号： H01L , H05B
CPC分类号： C09K11/06 , C09B69/102 , C09B69/105 , C09B69/109 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/007 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0078 , H01L51/0079 , H01L51/008 , H01L51/0092 , H01L51/5052 , Y02B10/10 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本發明係使用一種有機型鍵異構化合物作為摻雜有機半導電基體材料的有機摻雜物，以改變被摻雜的半導電基體材料的電學特性。為了使含有摻雜物的有機半導電材料在在製程中易於被操作/處理，並且使以含有摻雜物的有機半導電材料製造出來的電子元件具有可複製性，本發明建議以苯、苯衍生物、1,3,2-二氧苯硼(Dioxaborin)、或是1,3,2-二氧苯硼(Dioxaborin)衍生物作為此種有機型鍵異構化合物，在相同的蒸發條件下，本發明建議使用的這種有機型鍵異構化合物的揮發性小於四氟四氰二甲烷(Tetrafluoro-tetracyanochinodimethan)(F4TCNQ)的揮發性。
简体摘要：本发明系使用一种有机型键异构化合物作为掺杂有机半导电基体材料的有机掺杂物，以改变被掺杂的半导电基体材料的电学特性。为了使含有掺杂物的有机半导电材料在在制程中易于被操作/处理，并且使以含有掺杂物的有机半导电材料制造出来的电子组件具有可复制性，本发明建议以苯、苯衍生物、1,3,2-二氧苯硼(Dioxaborin)、或是1,3,2-二氧苯硼(Dioxaborin)衍生物作为此种有机型键异构化合物，在相同的蒸发条件下，本发明建议使用的这种有机型键异构化合物的挥发性小于四氟四氰二甲烷(Tetrafluoro-tetracyanochinodimethan)(F4TCNQ)的挥发性。

8. 发明专利

TW200608823A 具頻率轉換中心之頂放電冷光組件 TOP EMITTING, ELECTROLUMINESCENT COMPONENT WITH FREQENCY CONVERSION CENTRES 审中-公开
简体标题：具频率转换中心之顶放电冷光组件 TOP EMITTING, ELECTROLUMINESCENT COMPONENT WITH FREQENCY CONVERSION CENTRES
公开(公告)号：TW200608823A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW094129792
申请日：2005-08-30
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：揚.賓恩史托克 JAN BIRNSTOCK , 馬丁.費瑟 MARTIN VEHSE , 卡爾.萊奧 KARL LEO
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L51/5262 , H01L51/5036 , H01L2251/5315
摘要：在有機發光二極體(OLED)元件之例子中，為改善耦合輸出效率，提供了一種頂部放光電致發光元件(100)，並且，這種頂部放光電致發光元件(100)包括：一基底(110)，最接近該基底之一第一電極(120)，離該基底一距離之一第二透明電極(140)，及設置於兩電極間之至少一有機層(130)。根據本發明之有機發光二極體(OLED)元件具有下列特徵，亦即：一耦合輸出層(150)設置於遠離該至少一有機層之該第二電極側，並且，該耦合輸出層包括頻率轉換中心(151)，其部分吸收該至少一有機層所散發的光線、並利用一改變頻率再度將該至少一有機層所散發的光線散發出去。利用這種方法，穿透該耦合輸出層之方向性光線可利用非方向性方式重新散發出去，藉以使部分光線能夠真正離開該耦合輸出層，其中，部分光線可利用全部反射繼續留存，而不會影響該耦合輸出層內部之頻率轉換中心。除此以外，本發明亦有關於一種有機發光二極體(OLED)元件之製造方法。
简体摘要：在有机发光二极管(OLED)组件之例子中，为改善耦合输出效率，提供了一种顶部放光电致发光组件(100)，并且，这种顶部放光电致发光组件(100)包括：一基底(110)，最接近该基底之一第一电极(120)，离该基底一距离之一第二透明电极(140)，及设置于两电极间之至少一有机层(130)。根据本发明之有机发光二极管(OLED)组件具有下列特征，亦即：一耦合输出层(150)设置于远离该至少一有机层之该第二电极侧，并且，该耦合输出层包括频率转换中心(151)，其部分吸收该至少一有机层所散发的光线、并利用一改变频率再度将该至少一有机层所散发的光线散发出去。利用这种方法，穿透该耦合输出层之方向性光线可利用非方向性方式重新散发出去，借以使部分光线能够真正离开该耦合输出层，其中，部分光线可利用全部反射继续留存，而不会影响该耦合输出层内部之频率转换中心。除此以外，本发明亦有关于一种有机发光二极管(OLED)组件之制造方法。

9. 发明专利

TW200525472A 主動矩陣顯示器像素 PIXEL FOR AN ACTIVE MATRIX DISPLAY 审中-公开
简体标题：主动矩阵显示器像素 PIXEL FOR AN ACTIVE MATRIX DISPLAY
公开(公告)号：TW200525472A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW094100672
申请日：2005-01-10
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：卡爾‧萊奧 KARL LEO , 奧利弗‧施奈德 OLIVER SCHNEIDER
IPC分类号： G09G , H05B
CPC分类号： H01L51/5052 , G09G3/3233 , G09G3/3241 , G09G3/325 , G09G2300/0809 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/002 , H01L51/0051 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
摘要：本發明與一用於主動矩陣顯示器的像素有關，其包含一有機發光二極體(OLED)(19–23)與具有一用以驅動該發光二極體(19–23)之驅動器電晶體及具有一電容器的驅動器電路，該驅動器電晶體的載電流路徑與該發光二極體(19–23)串聯連接，並至少迂迴於一操作電壓源的兩極之間，其中該發光二極體(19–23)的一傳送層(20)係被摻雜而引起該傳送層(20)的電導度增加，並與該驅動器電晶體的汲極接點(15)電連接。
简体摘要：本发明与一用于主动矩阵显示器的像素有关，其包含一有机发光二极管(OLED)(19–23)与具有一用以驱动该发光二极管(19–23)之驱动器晶体管及具有一电容器的驱动器电路，该驱动器晶体管的载电流路径与该发光二极管(19–23)串联连接，并至少迂回于一操作电压源的两极之间，其中该发光二极管(19–23)的一发送层(20)系被掺杂而引起该发送层(20)的电导度增加，并与该驱动器晶体管的汲极接点(15)电连接。

10. 发明专利

TW201843856A 電子半導體元件及其製備方法审中-公开
简体标题：电子半导体组件及其制备方法
公开(公告)号：TW201843856A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107105850
申请日：2018-02-21
申请人：德商諾瓦發光二極體有限公司 , NOVALED GMBH
发明人：黑格曼烏里希 , HEGGEMANN, ULRICH , 漢莫特馬克斯 , HUMMERT, MARKUS , 羅斯諾湯瑪士 , ROSENOW, THOMAS , 福諾馬洛 , FURNO, MAURO
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/54 , H01L27/32
摘要：本發明是關於一種電子裝置及其製備方法，該電子裝置於一第一電極與一第二電極之間包括至少一第一電洞傳輸層，其中該第一電洞傳輸層包括： (i) 至少一第一電洞傳輸基質化合物，其由共價鍵結的原子所組成；以及 (ii) 選自金屬鹽及選自電中性金屬錯合物之至少一電性p-摻雜物，該至少一電性p-摻雜物包括一金屬陽離子與至少一個陰離子及/或至少一個陰離子配位基，該陰離子配位基是由至少四個共價鍵結的原子所組成，其中該電性p-摻雜物的金屬陽離子是選自：鹼金屬；鹼土金屬、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；氧化態(II)或(III)的稀土金屬； Al、Ga、In；及選自氧化態(IV)或更低的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo與W；前提是排除： a) 包括具有一般式(Ia)或(Ib)的陰離子配位基或陰離子之p-摻雜物其中 A1、A2、A3和A4獨立地選自CO、SO2或POR1； R1= 吸電子基團，該吸電子基團選自包含鹵化物、腈、鹵化或全鹵化的C1至C20烷基、鹵化或全鹵化的C6至C20芳基、或具有5至20個成環原子的鹵化或全鹵化的雜芳基之群組； B1、B2、B3和B4相同或獨立地選自取代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C1至C20雜烷基、取代或未取代的C6至C20芳基、取代或未取代的C5至C20雜芳基，或是B1和B2形成一個環； b) 由一個二價或三價金屬陽離子和羧酸根陰離子組成的p-摻雜物，以及 c) 由Li陽離子和選自過氯酸鹽和四氟硼酸鹽的陰離子所組成的p-摻雜物。
简体摘要：本发明是关于一种电子设备及其制备方法，该电子设备于一第一电极与一第二电极之间包括至少一第一电洞传输层，其中该第一电洞传输层包括： (i) 至少一第一电洞传输基质化合物，其由共价键结的原子所组成；以及 (ii) 选自金属盐及选自电中性金属错合物之至少一电性p-掺杂物，该至少一电性p-掺杂物包括一金属阳离子与至少一个阴离子及/或至少一个阴离子配位基，该阴离子配位基是由至少四个共价键结的原子所组成，其中该电性p-掺杂物的金属阳离子是选自：碱金属；碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；氧化态(II)或(III)的稀土金属； Al、Ga、In；及选自氧化态(IV)或更低的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo与W；前提是排除： a) 包括具有一般式(Ia)或(Ib)的阴离子配位基或阴离子之p-掺杂物其中 A1、A2、A3和A4独立地选自CO、SO2或POR1； R1= 吸电子基团，该吸电子基团选自包含卤化物、腈、卤化或全卤化的C1至C20烷基、卤化或全卤化的C6至C20芳基、或具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基之群组； B1、B2、B3和B4相同或独立地选自取代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C1至C20杂烷基、取代或未取代的C6至C20芳基、取代或未取代的C5至C20杂芳基，或是B1和B2形成一个环； b) 由一个二价或三价金属阳离子和羧酸根阴离子组成的p-掺杂物，以及 c) 由Li阳离子和选自过氯酸盐和四氟硼酸盐的阴离子所组成的p-掺杂物。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式