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    • 6. 发明专利
    • 硬化性散熱組成物
    • 硬化性散热组成物
    • TW201311875A
    • 2013-03-16
    • TW101117103
    • 2012-05-14
    • 昭和電工股份有限公司SHOWA DENKO K. K.
    • 內田博UCHIDA, HIROSHI大塚雄樹OTSUKA, YUKI小堤利彥KODUTSUMI, TOSHIHIKO
    • C09K5/14C09J11/04C09J163/00C09J175/04
    • C08G18/58C08G18/0823C08G18/44C08G18/6659C08K3/013C08K3/38C08K2003/385
    • 本發明為關於一種硬化性散熱組成物,其係含有(A)具有羧基的胺基甲酸酯樹脂、(B)環氧樹脂及(C)無機填充料(惟,硫酸鋇及氧化鈦除外),且前述無機填充料(C)之含有率為50~96質量%,其中,前述(A)為使(a)聚異氰酸酯化合物、(b)聚碳酸酯二醇化合物、(c)具有羧基的二羥基化合物反應而得到的樹脂。作為無機填充料(C),較佳為併用扁平狀的氮化硼與粒子狀的氧化鋁、氮化鋁或氮化硼。本發明的硬化性散熱樹脂組成物為兼具高熱傳導率與柔軟性、對於金屬的良好接著性,在功率半導體、含有光半導體之半導體元件、半導體裝置、電路用金屬板、由前述金屬板所成的電路、電路基板、混合積體電路領域等極為有用。
    • 本发明为关于一种硬化性散热组成物,其系含有(A)具有羧基的胺基甲酸酯树脂、(B)环氧树脂及(C)无机填充料(惟,硫酸钡及氧化钛除外),且前述无机填充料(C)之含有率为50~96质量%,其中,前述(A)为使(a)聚异氰酸酯化合物、(b)聚碳酸酯二醇化合物、(c)具有羧基的二羟基化合物反应而得到的树脂。作为无机填充料(C),较佳为并用扁平状的氮化硼与粒子状的氧化铝、氮化铝或氮化硼。本发明的硬化性散热树脂组成物为兼具高热传导率与柔软性、对于金属的良好接着性,在功率半导体、含有光半导体之半导体组件、半导体设备、电路用金属板、由前述金属板所成的电路、电路基板、混合集成电路领域等极为有用。
    • 9. 发明专利
    • 潛伏性硬化劑
    • 潜伏性硬化剂
    • TW200517463A
    • 2005-06-01
    • TW093126339
    • 2004-09-01
    • 索尼化學股份有限公司 SONY CHEMICALS CORP.
    • 神谷和伸 KAMIYA KAZUNOBU吉成誠
    • C09J
    • C08G59/70C08G18/0852C08G18/58C08G18/79C08G59/188H05K3/323
    • 本發明提供一種能夠使熱固性環氧樹脂在相對低溫及短時間條件下硬化之鋁螯合劑系潛伏性硬化劑。本發明並提供一種能夠較容易控制硬化條件之鋁螯合劑系潛伏性硬化劑之製造方法。本發明之潛伏性硬化劑具有將鋁螯合劑保持於使多官能異氰酸酯化合物經界面聚合所得之多孔性樹脂之構造。鋁螯合劑以配位基之β-酮-烯醇酯陰離子配位於鋁之錯合物較佳。將鋁螯合劑與多官能異氰酸酯化合物溶解於揮發性有機溶劑後,將所得溶液投入含有分散劑之水相中,藉由加熱攪拌來進行界面聚合,即可製得該潛伏性硬化劑。
    • 本发明提供一种能够使热固性环氧树脂在相对低温及短时间条件下硬化之铝螯合剂系潜伏性硬化剂。本发明并提供一种能够较容易控制硬化条件之铝螯合剂系潜伏性硬化剂之制造方法。本发明之潜伏性硬化剂具有将铝螯合剂保持于使多官能异氰酸酯化合物经界面聚合所得之多孔性树脂之构造。铝螯合剂以配位基之β-酮-烯醇酯阴离子配位于铝之错合物较佳。将铝螯合剂与多官能异氰酸酯化合物溶解于挥发性有机溶剂后,将所得溶液投入含有分散剂之水相中,借由加热搅拌来进行界面聚合,即可制得该潜伏性硬化剂。