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1. 发明专利

TWI602020B 光壓印用樹脂組成物、圖型形成方法及蝕刻遮罩有权
简体标题：光压印用树脂组成物、图型形成方法及蚀刻遮罩
公开(公告)号：TWI602020B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW100144660
申请日：2011-12-05
申请人：丸善石油化學股份有限公司 , MARUZEN PETROCHEMICAL CO., LTD.
发明人：林田能久 , HAYASHIDA, YOSHIHISA , 佐塚拓郎 , SATSUKA, TAKURO , 池田明代 , IKEDA, TERUYO , 二重作則夫 , FUTAESAKU, NORIO , 竹森利郁 , TAKEMORI, TOSHIFUMI
IPC分类号： G03F7/028 , C08L65/00 , B29C59/02
CPC分类号： C08F226/12 , B05D3/12 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08F2/50 , C08J3/28 , C09D4/00 , G03F7/0002 , G03F7/027 , G03F7/032 , H01L21/3081 , Y10T428/24802

2. 发明专利

TWI465854B 具有含芳香族縮合環之樹脂的微影用光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：具有含芳香族缩合环之树脂的微影用光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI465854B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW098112842
申请日：2009-04-17
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08F12/22 , C08F12/32 , C08F226/12 , C08F232/08 , C09D125/14 , G03F7/11 , C08F212/32 , C08F2220/281 , C08F220/14 , C08F2220/282

3. 发明专利

TW201518378A 樹脂組成物及其硬化物审中-公开
简体标题：树脂组成物及其硬化物
公开(公告)号：TW201518378A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103130508
申请日：2014-09-04
申请人：大賽璐股份有限公司 , DAICEL CORPORATION
发明人：江川智哉 , EGAWA, TOMOYA
IPC分类号： C08L39/04 , C08K5/375 , G02B3/00 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： C08K5/375 , C08F212/08 , C08F226/12 , C08L39/04
摘要：本發明提供一種樹脂組成物，其能夠任意調整黏度與硬化收縮率，且能夠形成具有高折射率的硬化物。本發明之樹脂組成物包含：以下述式(a)表示之化合物(A)、包含含有咔唑骨架的單體單元之線性聚合物(B)與聚合起始劑(C)。在下述式(a)中，Ra係表示反應性官能基，Rb係表示鹵素原子、烷基、鹵烷基、芳基、可經保護基保護之羥基或羥烷基或胺基或羧基或磺基或醯基、硝基、或氰基，Rc係表示單鍵或鍵聯基，m係表示0~4，n係表示0~10。
简体摘要：本发明提供一种树脂组成物，其能够任意调整黏度与硬化收缩率，且能够形成具有高折射率的硬化物。本发明之树脂组成物包含：以下述式(a)表示之化合物(A)、包含含有咔唑骨架的单体单元之线性聚合物(B)与聚合起始剂(C)。在下述式(a)中，Ra系表示反应性官能基，Rb系表示卤素原子、烷基、卤烷基、芳基、可经保护基保护之羟基或羟烷基或胺基或羧基或磺基或酰基、硝基、或氰基，Rc系表示单键或键联基，m系表示0~4，n系表示0~10。

4. 发明专利

TWI427424B 包含含有芳香族縮合環之樹脂的微影蝕刻用之光阻下層膜形成用組成物有权
简体标题：包含含有芳香族缩合环之树脂的微影蚀刻用之光阻下层膜形成用组成物
公开(公告)号：TWI427424B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW096145163
申请日：2007-11-28
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：坂口崇洋 , SAKAGUCHI, TAKAHIRO , 榎本智之 , ENOMOTO, TOMOYUKI , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA
IPC分类号： G03F7/11 , C08F212/02 , C08F220/26 , C08F224/00 , C08F226/12
CPC分类号： G03F7/11 , C08F226/12 , C09D125/02 , C08F212/32 , C08F2220/325 , C08F2220/281 , C08F212/08

5. 发明专利

TWI596122B 光學元件材料及其製造方法有权
简体标题：光学组件材料及其制造方法
公开(公告)号：TWI596122B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW101135543
申请日：2012-09-27
申请人：丸善石油化學股份有限公司 , MARUZEN PETROCHEMICAL CO., LTD.
发明人：林田能久 , HAYASHIDA, YOSHIHISA , 佐塚拓郎 , SATSUKA, TAKURO , 池田明代 , IKEDA, TERUYO
IPC分类号： C08F226/12 , C08F2/50 , C08F16/32 , C08F220/10 , G02B1/04 , G02B5/30
CPC分类号： C09D139/04 , C08F2/50 , C08F222/1006 , C08F226/12 , G02B1/04 , G02B1/10 , G02B1/12 , C08L39/00 , C08L45/00 , C08F2220/1883 , C08F2222/1026 , C08F226/08 , C08F2220/301

6. 发明专利

TW200846831A 包含含有芳香族縮合環之樹脂的微影蝕刻用之光阻下層膜形成用組成物 RESIST UNDERLAYER COATING FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY COMPRISING RESIN CONTAINING AROMATIC CONDENSED RING 审中-公开
简体标题：包含含有芳香族缩合环之树脂的微影蚀刻用之光阻下层膜形成用组成物 RESIST UNDERLAYER COATING FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY COMPRISING RESIN CONTAINING AROMATIC CONDENSED RING
公开(公告)号：TW200846831A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096145163
申请日：2007-11-28
申请人：日產化學工業股份有限公司 NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人： 口崇洋 SAKAGUCHI, TAKAHIRO , 榎本智之 ENOMOTO, TOMOYUKI , 新城徹也 SHINJO, TETSUYA
IPC分类号： G03F , C08F
CPC分类号： G03F7/11 , C08F226/12 , C09D125/02 , C08F212/32 , C08F2220/325 , C08F2220/281 , C08F212/08
摘要：本發明係提供一種隨著光阻圖型之微細化,為防止光阻圖型顯像後傾倒,適用於薄膜光阻的多層膜製程,相較於光阻或半導體基板,具有小的乾蝕刻速度,加工基板時,對於加工基板,具有充分耐蝕刻性之微影蝕刻用光阻下層膜形成用組成物。本發明係提供一種使用於以多層膜所進行的微影蝕刻製程之光阻下層膜形成用組成物;而該多層膜係含有:具有芳香族縮合環之單元構造、具有被保護之羧基的單元構造、具有氧環之單元構造的聚合物。使用此光阻下層膜形成用組成物之圖型形成方法、及利用圖型形成方法之半導體裝置的製成方法。
简体摘要：本发明系提供一种随着光阻图型之微细化,为防止光阻图型显像后倾倒,适用于薄膜光阻的多层膜制程,相较于光阻或半导体基板,具有小的干蚀刻速度,加工基板时,对于加工基板,具有充分耐蚀刻性之微影蚀刻用光阻下层膜形成用组成物。本发明系提供一种使用于以多层膜所进行的微影蚀刻制程之光阻下层膜形成用组成物;而该多层膜系含有:具有芳香族缩合环之单元构造、具有被保护之羧基的单元构造、具有氧环之单元构造的聚合物。使用此光阻下层膜形成用组成物之图型形成方法、及利用图型形成方法之半导体设备的制成方法。

7. 发明专利

TW200611899A 含金屬的配位化合物、含配位化合物殘基的高分子化合物、有機電致發光材料、白色有機電致發光材料、白色發光元件以及發光元件 METAL-CONTAINING COORDINATION COMPOUND, HIGH MOLECULAR COMPOUND CONTAINING COORDINATION COMPOUND RESIDUE, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE MATERIAL, WHITE ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE MATERIAL, WHITE LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：含金属的配位化合物、含配位化合物残基的高分子化合物、有机电致发光材料、白色有机电致发光材料、白色发光组件以及发光组件 METAL-CONTAINING COORDINATION COMPOUND, HIGH MOLECULAR COMPOUND CONTAINING COORDINATION COMPOUND RESIDUE, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE MATERIAL, WHITE ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE MATERIAL, WHITE LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200611899A
公开(公告)日：2006-04-16
申请号：TW094133955
申请日：2005-09-29
申请人：廣瀨工程股份有限公司 HIROSE ENGINEERING CO., LTD.
发明人：仲矢忠雄 NAKAYA, TADAO , 中西太宇人 NAKANISHI, TAUTO , 枝連一志 SHIREN, KAZUSHI , 犀川知行 SAIKAWA, TOMOYUKI , 飛田道昭 TOBITA, MICHIAKI
IPC分类号： C07D , C09K , H01L , H05B
CPC分类号： C08F230/04 , C07D413/04 , C07F3/003 , C07F5/003 , C07F5/069 , C07F13/005 , C08F226/12 , C09K11/06 , C09K2211/1466 , C09K2211/1475 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0079 , H01L51/5016 , H05B33/14 , Y02B20/181
摘要：本發明的目的在於提供一種含金屬的配位化合物，其具有與金屬錯合物同等或其以上之特性，且可實現高分子化或可溶解於溶劑中。本發明提供一種含配位化合物殘基的高分子化合物，其具有與金屬錯合物同等或其以上之特性。另外，本發明提供一種有機電致發光材料，其具有與Alq3等金屬錯合物同等或其以上之特性，且可藉由有機高分子化合物之加工法而易於進行薄膜化，或者是可藉由溶解於溶劑中形成薄膜之鑄膜法而易於進行薄膜化。此外，本發明提供一種發光元件及白色發光元件，其可藉由使用上述有機電致發光材料以進行製造，而無需蒸鍍操作。本發明之一種含金屬的配位化合物，其特徵在於：其如下述式(1)所示。094133955-p01.bmp本發明係一種將上述含金屬的配位化合物聚合而形成之含配位化合物殘基的高分子化合物、包含上述化合物的有機電致發光材料，以及使用有上述化合物和有機電致發光材料之發光元件與白色發光元件。094133955-p01.bmp
简体摘要：本发明的目的在于提供一种含金属的配位化合物，其具有与金属错合物同等或其以上之特性，且可实现高分子化或可溶解于溶剂中。本发明提供一种含配位化合物残基的高分子化合物，其具有与金属错合物同等或其以上之特性。另外，本发明提供一种有机电致发光材料，其具有与Alq3等金属错合物同等或其以上之特性，且可借由有机高分子化合物之加工法而易于进行薄膜化，或者是可借由溶解于溶剂中形成薄膜之铸膜法而易于进行薄膜化。此外，本发明提供一种发光组件及白色发光组件，其可借由使用上述有机电致发光材料以进行制造，而无需蒸镀操作。本发明之一种含金属的配位化合物，其特征在于：其如下述式(1)所示。094133955-p01.bmp本发明系一种将上述含金属的配位化合物聚合而形成之含配位化合物残基的高分子化合物、包含上述化合物的有机电致发光材料，以及使用有上述化合物和有机电致发光材料之发光组件与白色发光组件。094133955-p01.bmp

8. 发明专利

TWI551647B 樹脂組成物及其硬化物有权
简体标题：树脂组成物及其硬化物
公开(公告)号：TWI551647B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW103130508
申请日：2014-09-04
申请人：大賽璐股份有限公司 , DAICEL CORPORATION
发明人：江川智哉 , EGAWA, TOMOYA
IPC分类号： C08L39/04 , C08K5/375 , G02B3/00 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： C08K5/375 , C08F212/08 , C08F226/12 , C08L39/04

9. 发明专利

TW201329116A 光學元件材料及其製造方法审中-公开
简体标题：光学组件材料及其制造方法
公开(公告)号：TW201329116A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101135543
申请日：2012-09-27
申请人：丸善石油化學股份有限公司 , MARUZEN PETROCHEMICAL CO., LTD.
发明人：林田能久 , HAYASHIDA, YOSHIHISA , 佐塚拓郎 , SATSUKA, TAKURO , 池田明代 , IKEDA, TERUYO
IPC分类号： C08F226/12 , C08F2/50 , C08F16/32 , C08F220/10 , G02B1/04 , G02B5/30
CPC分类号： C09D139/04 , C08F2/50 , C08F222/1006 , C08F226/12 , G02B1/04 , G02B1/10 , G02B1/12 , C08L39/00 , C08L45/00 , C08F2220/1883 , C08F2222/1026 , C08F226/08 , C08F2220/301
摘要：本發明係提供由硬化收縮率小之光壓印用樹脂組成物之硬化物所構成，尺寸精度優異，高折射率且高透明性的光學元件材料、及其製造方法。本發明之光學元件材料，其係將下述光壓印用樹脂組成物硬化所成，硬化時之硬化收縮率為4.5%以下者，前述光壓印用樹脂組成物含有具有咔唑骨架之下述式(1)表示之光硬化性單體(A)、以下述式(2)表示之光硬化性單體(B)、及光聚合起始劑(C)，其中光硬化性單體(A)與光硬化性單體(B)之含有重量比率(光硬化性單體(A)之重量/(硬化性單體(B)之重量)為30/70~87/13，且光聚合起始劑(C)之含量係相對於光硬化性單體(A)與光硬化性單體(B)之總重量100重量份，為0.01~30重量份。 (式(1)中，R1係表示-CH=CH2、-CH2CH2-O-CH=CH2、-CH2-C(CH3)=CH2、或環氧丙基，R2、R3可相同或相異，表示氫或碳數1~4的烷基) (式(2)中，R4、R5係獨立為-O-CH=CH2、O-CH2CH2-O-CH=CH2、-O-CO-CH=CH2、-O-CO-C(CH3)=CH2、-O-CH2CH2-O-CO-CH=CH2、-O-CH2CH2-O-CO-C(CH3)=CH2、或環氧丙基醚基。R6、R7係獨立為氫或碳數1~4的烷基)。
简体摘要：本发明系提供由硬化收缩率小之光压印用树脂组成物之硬化物所构成，尺寸精度优异，高折射率且高透明性的光学组件材料、及其制造方法。本发明之光学组件材料，其系将下述光压印用树脂组成物硬化所成，硬化时之硬化收缩率为4.5%以下者，前述光压印用树脂组成物含有具有咔唑骨架之下述式(1)表示之光硬化性单体(A)、以下述式(2)表示之光硬化性单体(B)、及光聚合起始剂(C)，其中光硬化性单体(A)与光硬化性单体(B)之含有重量比率(光硬化性单体(A)之重量/(硬化性单体(B)之重量)为30/70~87/13，且光聚合起始剂(C)之含量系相对于光硬化性单体(A)与光硬化性单体(B)之总重量100重量份，为0.01~30重量份。 (式(1)中，R1系表示-CH=CH2、-CH2CH2-O-CH=CH2、-CH2-C(CH3)=CH2、或环氧丙基，R2、R3可相同或相异，表示氢或碳数1~4的烷基) (式(2)中，R4、R5系独立为-O-CH=CH2、O-CH2CH2-O-CH=CH2、-O-CO-CH=CH2、-O-CO-C(CH3)=CH2、-O-CH2CH2-O-CO-CH=CH2、-O-CH2CH2-O-CO-C(CH3)=CH2、或环氧丙基醚基。R6、R7系独立为氢或碳数1~4的烷基)。

10. 发明专利

TW201001080A 具有含芳香族縮合環之樹脂的微影用光阻下層膜形成組成物 RESIST UNDERLAYER FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY COMPRISING RESIN CONTAINING AROMATIC FUSED RING 审中-公开
简体标题：具有含芳香族缩合环之树脂的微影用光阻下层膜形成组成物 RESIST UNDERLAYER FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY COMPRISING RESIN CONTAINING AROMATIC FUSED RING
公开(公告)号：TW201001080A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098112842
申请日：2009-04-17
申请人：日產化學工業股份有限公司
发明人：藤谷德昌 , 新城徹也
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/091 , C08F12/22 , C08F12/32 , C08F226/12 , C08F232/08 , C09D125/14 , G03F7/11 , C08F212/32 , C08F2220/281 , C08F220/14 , C08F2220/282
摘要：本發明提供一種半導體基板加工時有效之微影用光阻下層膜形成組成物、使用該光阻下層膜組成物之光組圖型形成法、及半導體裝置之製造方法。本發明係一種半導體裝置製造之微影製程中使用之光阻下層膜形成組成物，該組成物包含含有以下述式（1）及式（2）表示之各單位構造之聚合物：
其係以構成該聚合物之全部單位構造之總數作為1.0時，以上述式（1）表示之單位構造數（a）之比例與以上述式（2）表示之單位構造數（b）之比例分別為0.3≦a≦0.95，0.05≦b≦0.7之聚合物，且該組成物進而含有交聯劑以及溶劑，上述組成物以自該組成物去除上述溶劑後之固體成分為基準含有3至30質量％之上述交聯劑。
简体摘要：本发明提供一种半导体基板加工时有效之微影用光阻下层膜形成组成物、使用该光阻下层膜组成物之光组图型形成法、及半导体设备之制造方法。本发明系一种半导体设备制造之微影制程中使用之光阻下层膜形成组成物，该组成物包含含有以下述式（1）及式（2）表示之各单位构造之聚合物：其系以构成该聚合物之全部单位构造之总数作为1.0时，以上述式（1）表示之单位构造数（a）之比例与以上述式（2）表示之单位构造数（b）之比例分别为0.3≦a≦0.95，0.05≦b≦0.7之聚合物，且该组成物进而含有交联剂以及溶剂，上述组成物以自该组成物去除上述溶剂后之固体成分为基准含有3至30质量％之上述交联剂。

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