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    • 9. 发明专利
    • 含碳黑橡膠組成物的穩定,及穩定方法
    • 含碳黑橡胶组成物的稳定,及稳定方法
    • TW321668B
    • 1997-12-01
    • TW082106492
    • 1993-08-13
    • 汽巴特用化學品控股公司
    • 蓋利.克諾布洛赫
    • C08KC08L
    • C08K5/375C08L21/00
    • 一種組成物,包括a)一種富含碳黑橡膠之以二烯單體為基礎的均聚物,共聚物或三聚物,和b)至少一式(I)化合物:CC (Ⅰ)其中n是1,2,3或4,R1和R2分別為其化C1-C4烷基或C5-C8環烷基,X是甲撐或乙撐,且當n是1時,R3是C1-C2。烷基,以-O-及/或-S-中斷之C3-C2。烷基;C3-C2。烯基,C5-C12環烷基,C1-C4烷基取代的C5-C12環烷基;苯基,C1-C4烷基取代的苯基;C7-C1。苯基烷基或在苯基上由C1-C4烷基取代之C7-C1。苯基烷基;當n是2時,R3是C2-C1。烷撐基,由-O-及/或-S-中斷之C4-C1。烷撐基,C6-C12環烷撐基或苯撐基;當n是3時,R3是C3-C8烷三基和,當n是4時,R3是C4-C8烷四基。
    • 一种组成物,包括a)一种富含碳黑橡胶之以二烯单体为基础的均聚物,共聚物或三聚物,和b)至少一式(I)化合物:CC (Ⅰ)其中n是1,2,3或4,R1和R2分别为其化C1-C4烷基或C5-C8环烷基,X是甲撑或乙撑,且当n是1时,R3是C1-C2。烷基,以-O-及/或-S-中断之C3-C2。烷基;C3-C2。烯基,C5-C12环烷基,C1-C4烷基取代的C5-C12环烷基;苯基,C1-C4烷基取代的苯基;C7-C1。苯基烷基或在苯基上由C1-C4烷基取代之C7-C1。苯基烷基;当n是2时,R3是C2-C1。烷撑基,由-O-及/或-S-中断之C4-C1。烷撑基,C6-C12环烷撑基或苯撑基;当n是3时,R3是C3-C8烷三基和,当n是4时,R3是C4-C8烷四基。
    • 10. 发明专利
    • 輻射敏感之組成物
    • 辐射敏感之组成物
    • TW221715B
    • 1994-03-11
    • TW081109426
    • 1992-11-24
    • 汽巴–嘉基股份有限公司
    • 阿佛烈史坦曼
    • G03F
    • G03F7/039C08G63/181C08G63/199C08G63/547C08G63/6886C08K5/375C08L67/00
    • 一類包含下列者之輻射敏感之組成物可形成一種適用於DUV石印術且尤其適合製造雙成電路之高度敏感高解析之正光致抗蝕劑調合物:(a)一種含有式〔Ⅰ〕所示重覆構造單位之聚酯□ (Ⅰ)
      式中Z為式(Ⅱa)-(Ⅱb)
      CC(Ⅱa), CC(Ⅱb), CC(Ⅱc),
      CC(Ⅱd), CC(Ⅱe), CC(Ⅱf),
      CC(Ⅱg), CC(Ⅱh) ,
      其中Y為一直接鍵、C1-C20次烷基、次苯基、
      -CH2-C6H4-CH2-、環次戊基或環次己基,R1
      和平R2各為氫、甲基或乙基,但R1和R2不得同為
      氫,及(b )一種在受到光化輻射時而能產生酸的物質。
    • 一类包含下列者之辐射敏感之组成物可形成一种适用于DUV石印术且尤其适合制造双成电路之高度敏感高解析之正光致抗蚀剂调合物:(a)一种含有式〔Ⅰ〕所示重复构造单位之聚酯□ (Ⅰ) 式中Z为式(Ⅱa)-(Ⅱb) CC(Ⅱa), CC(Ⅱb), CC(Ⅱc), CC(Ⅱd), CC(Ⅱe), CC(Ⅱf), CC(Ⅱg), CC(Ⅱh) , 其中Y为一直接键、C1-C20次烷基、次苯基、 -CH2-C6H4-CH2-、环次戊基或环次己基,R1 和平R2各为氢、甲基或乙基,但R1和R2不得同为 氢,及(b )一种在受到光化辐射时而能产生酸的物质。