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1. 发明专利

TW201516575A 光阻下層膜形成組成物用添加劑及包含其之光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：光阻下层膜形成组成物用添加剂及包含其之光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201516575A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103125107
申请日：2014-07-22
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08F12/06 , C08F12/22 , C08F20/18 , C08F20/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08F222/10 , G03F7/168 , G03F7/2053 , G03F7/32 , G03F7/36 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/3088
摘要：本發明之課題為提供一種光阻下層膜形成組成物用添加劑及包含其之光阻下層膜形成組成物，該光阻下層膜形成組成物用添加劑係為了使於光阻下層膜上所形成之光阻圖型與該光阻下層膜之密著性增大，將光阻下層膜之表面狀態改質成疏水性狀態。本發明之解決手段為包含具有下述式(1)所示之構造單位之聚合物的光阻下層膜形成組成物用添加劑，以及包含樹脂黏結劑、有機溶劑及前述添加劑之光阻下層膜形成組成物。 (式中，R1表示氫原子或甲基，L表示單鍵或二價之連結基，X表示不具有羥基之脂肪族烴基、脂環式烴基或雜原子為氧原子之雜環基)。
简体摘要：本发明之课题为提供一种光阻下层膜形成组成物用添加剂及包含其之光阻下层膜形成组成物，该光阻下层膜形成组成物用添加剂系为了使于光阻下层膜上所形成之光阻图型与该光阻下层膜之密着性增大，将光阻下层膜之表面状态改质成疏水性状态。本发明之解决手段为包含具有下述式(1)所示之构造单位之聚合物的光阻下层膜形成组成物用添加剂，以及包含树脂黏结剂、有机溶剂及前述添加剂之光阻下层膜形成组成物。 (式中，R1表示氢原子或甲基，L表示单键或二价之链接基，X表示不具有羟基之脂肪族烃基、脂环式烃基或杂原子为氧原子之杂环基)。

2. 发明专利

TW201022862A 塗敷組成物及圖型之形成方法 COATING COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN 审中-公开
简体标题：涂敷组成物及图型之形成方法 COATING COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN
公开(公告)号：TW201022862A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098125071
申请日：2009-07-24
申请人：日產化學工業股份有限公司
发明人：丸山大輔 , 境田康志 , 何邦慶 , 橋本圭祐 , 藤谷德昌
IPC分类号： G03F , C09D , H01L
CPC分类号： H01L21/02282 , C08G77/04 , C08G77/60 , C08L83/04 , G03F7/405 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/0337 , H01L21/3121 , H01L21/3122
摘要：本發明係以得到適用於“反轉圖型形成",且形成被覆光阻圖型之膜上為較佳的塗敷組成物為課題。欲解決上述課題,使用含有有機聚矽氧烷、將所定有機溶劑作為主成分之溶劑、及含有第4級銨鹽或第4級鏻鹽之微影術用塗敷組成物、或使用含有聚矽烷、將所定有機溶劑作為主成分之溶劑、及選自交聯劑、第4級銨鹽、第4級鏻鹽、磺酸化合物所成群之至少1種添加物,且前述聚矽烷為該末端上具有矽烷醇基或該矽烷醇基與氫原子之微影術用塗敷組成物。
简体摘要：本发明系以得到适用于“反转图型形成",且形成被覆光阻图型之膜上为较佳的涂敷组成物为课题。欲解决上述课题,使用含有有机聚硅氧烷、将所定有机溶剂作为主成分之溶剂、及含有第4级铵盐或第4级鏻盐之微影术用涂敷组成物、或使用含有聚硅烷、将所定有机溶剂作为主成分之溶剂、及选自交联剂、第4级铵盐、第4级鏻盐、磺酸化合物所成群之至少1种添加物,且前述聚硅烷为该末端上具有硅烷醇基或该硅烷醇基与氢原子之微影术用涂敷组成物。

3. 发明专利

TWI649623B 微影術用光阻下層膜形成組成物，及製作半導體元件的方法有权
简体标题：微影术用光阻下层膜形成组成物，及制作半导体组件的方法
公开(公告)号：TWI649623B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW103125107
申请日：2014-07-22
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08F12/06 , C08F12/22 , C08F20/18 , C08F20/26 , H01L21/027

4. 发明专利

TW201341425A 光阻下層膜形成組成物及使用其之光阻圖型的形成方法审中-公开
简体标题：光阻下层膜形成组成物及使用其之光阻图型的形成方法
公开(公告)号：TW201341425A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101146392
申请日：2012-12-10
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI
IPC分类号： C08G65/40 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11
摘要：本發明的課題係以儘管含有如苯環之芳香族環、且乾式蝕刻速度之選擇比大、並且於EUV(波長13.5nm)微影技術成為大問題之LER的減低，而得到用以形成有用之光阻下層膜的組成物作為目的。又，係以得到光阻下層膜上之光阻圖型成為所期望之形狀，用以形成光阻下層膜之組成物作為目的。解決課題的手段為提供一種特徵為含有聚合物及溶劑，且前述聚合物係透過醚鍵將二苯硫醚(Diphenyl sulfide)或其衍生物導入該聚合物之主鏈。
简体摘要：本发明的课题系以尽管含有如苯环之芳香族环、且干式蚀刻速度之选择比大、并且于EUV(波长13.5nm)微影技术成为大问题之LER的减低，而得到用以形成有用之光阻下层膜的组成物作为目的。又，系以得到光阻下层膜上之光阻图型成为所期望之形状，用以形成光阻下层膜之组成物作为目的。解决课题的手段为提供一种特征为含有聚合物及溶剂，且前述聚合物系透过醚键将二苯硫醚(Diphenyl sulfide)或其衍生物导入该聚合物之主链。

5. 发明专利

TW201327058A 抗蝕底層膜形成組成物用添加劑及含有其的抗蝕底層膜形成組成物审中-公开
简体标题：抗蚀底层膜形成组成物用添加剂及含有其的抗蚀底层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201327058A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101138659
申请日：2012-10-19
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI
IPC分类号： G03F7/09 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08F8/14 , C08F20/36 , C08F220/32 , C08F220/36 , G03F7/11 , H01L21/0271 , C08F2220/325 , C08F220/24
摘要：本發明之課題係以增大形成於抗蝕(resist)底層膜上的抗蝕圖型之與該抗蝕底層膜之密著性，進而抑制該抗蝕圖型之底切形狀。解決課題之技術手段為一種由具有下述式(1)所示結構單位之聚合物所成的抗蝕底層膜形成組成物用添加劑，以及一種微影用抗蝕底層膜形成組成物，其係包含樹脂黏結劑、有機溶劑及前述抗蝕底層膜形成組成物用添加劑。 (式中，R1示為氫原子或甲基；L示為二價連結基；X示為具有以tert-丁氧基羰基保護的胺基之醯氧基或具有以tert-丁氧基羰基保護的含氮雜環之醯氧基)。
简体摘要：本发明之课题系以增大形成于抗蚀(resist)底层膜上的抗蚀图型之与该抗蚀底层膜之密着性，进而抑制该抗蚀图型之底切形状。解决课题之技术手段为一种由具有下述式(1)所示结构单位之聚合物所成的抗蚀底层膜形成组成物用添加剂，以及一种微影用抗蚀底层膜形成组成物，其系包含树脂黏结剂、有机溶剂及前述抗蚀底层膜形成组成物用添加剂。 (式中，R1示为氢原子或甲基；L示为二价链接基；X示为具有以tert-丁氧基羰基保护的胺基之酰氧基或具有以tert-丁氧基羰基保护的含氮杂环之酰氧基)。

6. 发明专利

TWI627222B 微影蝕刻用光阻上層膜形成用組成物及使用其之半導體裝置之製造方法有权
简体标题：微影蚀刻用光阻上层膜形成用组成物及使用其之半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI627222B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW103102778
申请日：2014-01-24
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI
IPC分类号： C08L61/06 , C08L33/06 , C08G8/10 , C08F20/22 , C08K5/06 , C08J5/00 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F1/22 , G03F7/38 , H01L21/027

7. 发明专利

TWI616723B 阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI616723B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW102116066
申请日：2013-05-06
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G63/00 , C08G73/101 , C09D167/00 , C09D175/12 , G03F7/11 , G03F7/2037 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/0276 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086

8. 发明专利

TW201443139A 微影蝕刻用光阻上層膜形成用組成物及使用其之半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：微影蚀刻用光阻上层膜形成用组成物及使用其之半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201443139A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103102778
申请日：2014-01-24
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI
IPC分类号： C08L61/06 , C08L33/06 , C08G8/10 , C08F20/22 , C08K5/06 , C08J5/00 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F1/22 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , C08G8/14 , C08G16/025 , C08G16/0268 , G03F7/0046 , G03F7/091 , G03F7/095 , G03F7/20 , G03F7/322 , G03F7/325 , H01L21/0274
摘要：本發明提供一種不會與光阻產生混合(Inter Mixing)，特別是可阻斷EUV曝光之際所不期待之曝光光線，例如UV或DUV，而僅選擇性地透過EUV，又可於曝光後使用顯影液進行顯影之製造半導體裝置之步驟中的微影蝕刻製程所使用之光阻上層膜形成組成物。提供一種含有，含有由碳原子數1至10的飽和烷基所形成，且其中一部份或全部氫原子被氟原子所取代的有機基之聚合物，與作為溶劑之可被取代的碳原子數8至16的醚化合物的光阻上層膜形成組成物。
简体摘要：本发明提供一种不会与光阻产生混合(Inter Mixing)，特别是可阻断EUV曝光之际所不期待之曝光光线，例如UV或DUV，而仅选择性地透过EUV，又可于曝光后使用显影液进行显影之制造半导体设备之步骤中的微影蚀刻制程所使用之光阻上层膜形成组成物。提供一种含有，含有由碳原子数1至10的饱和烷基所形成，且其中一部份或全部氢原子被氟原子所取代的有机基之聚合物，与作为溶剂之可被取代的碳原子数8至16的醚化合物的光阻上层膜形成组成物。

9. 发明专利

TW201137524A 感光性光阻下層膜形成組成物 PHOTOSENSITIVE RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION 审中-公开
简体标题：感光性光阻下层膜形成组成物 PHOTOSENSITIVE RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION
公开(公告)号：TW201137524A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099143743
申请日：2010-12-14
申请人：日產化學工業股份有限公司
发明人：堀口有亮 , 梅崎真紀子 , 藤谷德昌 , 西卷裕和 , 岸岡高廣 , 濱田貴廣
IPC分类号： G03F , C08F , C08K , H01L
CPC分类号： G03F7/091 , C08F12/24 , C08F212/14 , C08F220/56 , G03F7/038 , G03F7/30 , G03F7/322 , C08F2220/1858 , C08F220/58 , C08F2220/1891 , C08F2220/1833 , C08F2220/585
摘要：本發明係提供對於上塗光阻之溶劑,光阻下層膜中之光酸產生劑不會溶出,光阻膜在鹼顯像時,同時形成被鹼顯像之光阻下層膜的光阻下層膜形成組成物。本發明之微影製程用之光阻下層膜形成組成物,其係含有下述聚合物(A)、交聯性化合物(D)、光酸產生劑(E)及溶劑(F),其中前述聚合物(A)為含有下述式(1)、式(2)及式(3):

(上述式(1)、式(2)及式(3)中,R1、R4及R6係各自表示氫原子或甲基。式(1)中,R2係表示1價有機基,R3係表示氫原子或碳原子數1至12之烷基或醯基,p係表示0至3之整數,q係表示1至3之整數,(p+q)係表示1至5之整數。式(2)中,R5係表示酸解離性基,式(3)中,R7及R8係各自獨立表示氫原子、取代或非取代之碳原子數1至12之烷基,取代或非取代之碳原子數6至20之芳基,或表示R7及R8相互結合,與各自所結合之氮原子一同形成之具有3至15員環構造之基團。但是R7及R8不可同時為氫原子)表示之各單位構造的聚合物,且構成該聚合物之全部單位構造之總莫耳數為1.0時,式(1)表示之單位構造之莫耳數(a)之比例、式(2)表示之單位構造之莫耳數(b)之比例、式(3)表示之單位構造之莫耳數(c)之比例為0.20≦a≦0.90、0.05≦b≦0.60、0.001≦c≦0.40之範圍內的聚合物,且重量平均分子量為3,000至100,000的聚合物(A)。
简体摘要：本发明系提供对于上涂光阻之溶剂,光阻下层膜中之光酸产生剂不会溶出,光阻膜在碱显像时,同时形成被碱显像之光阻下层膜的光阻下层膜形成组成物。本发明之微影制程用之光阻下层膜形成组成物,其系含有下述聚合物(A)、交联性化合物(D)、光酸产生剂(E)及溶剂(F),其中前述聚合物(A)为含有下述式(1)、式(2)及式(3): (上述式(1)、式(2)及式(3)中,R1、R4及R6系各自表示氢原子或甲基。式(1)中,R2系表示1价有机基,R3系表示氢原子或碳原子数1至12之烷基或酰基,p系表示0至3之整数,q系表示1至3之整数,(p+q)系表示1至5之整数。式(2)中,R5系表示酸解离性基,式(3)中,R7及R8系各自独立表示氢原子、取代或非取代之碳原子数1至12之烷基,取代或非取代之碳原子数6至20之芳基,或表示R7及R8相互结合,与各自所结合之氮原子一同形成之具有3至15员环构造之基团。但是R7及R8不可同时为氢原子)表示之各单位构造的聚合物,且构成该聚合物之全部单位构造之总莫耳数为1.0时,式(1)表示之单位构造之莫耳数(a)之比例、式(2)表示之单位构造之莫耳数(b)之比例、式(3)表示之单位构造之莫耳数(c)之比例为0.20≦a≦0.90、0.05≦b≦0.60、0.001≦c≦0.40之范围内的聚合物,且重量平均分子量为3,000至100,000的聚合物(A)。

10. 发明专利

TWI557511B 抗蝕底層膜形成組成物用添加劑及含有其的抗蝕底層膜形成組成物有权
简体标题：抗蚀底层膜形成组成物用添加剂及含有其的抗蚀底层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI557511B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW101138659
申请日：2012-10-19
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI
IPC分类号： G03F7/09 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08F8/14 , C08F20/36 , C08F220/32 , C08F220/36 , G03F7/11 , H01L21/0271 , C08F2220/325 , C08F220/24

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