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    • 4. 发明专利
    • 合成卡巴盤能(carbapenem)抗生素之方法
    • 合成卡巴盘能(carbapenem)抗生素之方法
    • TW513430B
    • 2002-12-11
    • TW086109393
    • 1997-07-03
    • 美國默克大藥廠
    • 約翰M.威廉斯雷諾德B.强柏森
    • C07D
    • C07D477/20C07D477/02Y02P20/55
    • 本發明係有關一種合成式I化合物:或其醫藥上可接受之鹽或酯之方法,其中每個P獨立表示氫或保護基,且R1和R2獨立表示氫、C1-10烷基、芳基或雜芳基,或取代的C1-10烷基、芳基或雜芳基,其包括:由下式化合物:或其醫藥上可接受之鹽或酯,與或其醫藥上可受之鹽或酯,其中X表示OP(O)(OR)2或 OSO2R,其中R表示C1-6烷基、芳基或全氟C1-6烷基,在選自:二異丙基胺(DIPA)、二環己基胺(DCHA)、2,2,6,6-四甲基六氫啶(TMP)、1,1,3,3-四甲基弧(TMG)、1,8-重氮二環[5.4.0]十一碳-7-烯(DBU)和1,5-重氮二環[4.3.0]壬-5-烯中的胺類存在下反應,產生式I化合物。
    • 本发明系有关一种合成式I化合物:或其医药上可接受之盐或酯之方法,其中每个P独立表示氢或保护基,且R1和R2独立表示氢、C1-10烷基、芳基或杂芳基,或取代的C1-10烷基、芳基或杂芳基,其包括:由下式化合物:或其医药上可接受之盐或酯,与或其医药上可受之盐或酯,其中X表示OP(O)(OR)2或 OSO2R,其中R表示C1-6烷基、芳基或全氟C1-6烷基,在选自:二异丙基胺(DIPA)、二环己基胺(DCHA)、2,2,6,6-四甲基六氢啶(TMP)、1,1,3,3-四甲基弧(TMG)、1,8-重氮二环[5.4.0]十一碳-7-烯(DBU)和1,5-重氮二环[4.3.0]壬-5-烯中的胺类存在下反应,产生式I化合物。
    • 5. 发明专利
    • 抗生素化合物、其製備方法、以及包含其之組合物
    • 抗生素化合物、其制备方法、以及包含其之组合物
    • TW408124B
    • 2000-10-11
    • TW082100868
    • 1993-02-09
    • 捷利康公司季內卡–法莫公司
    • 麥克.約翰.貝茲加里斯.莫斯.大衛麥可.林加.斯溫
    • A61KC07D
    • C07D477/20A61K31/40A61K31/407A61K31/41C07D207/16C07D403/12C07F9/5683
    • 本發明係有關卡巴吶類(Carbapenems)並提供式(I)化合物;
      CC或其藥用鹽或活體內可水解含C1-6烷基或C1-6烯基之酯,式中; R1為l-羥乙基,l-氟乙基或羥甲基; R2為氫或C1-4烷基; R3為氫或C1-4烷基; R4與R5相同或不同且選自氫,鹵基,氰基,C1-4烷基,硝基,羥基,羧基,C1-4烷氧基,C1-4烷氧羰基,胺磺醯基,C1-4烷胺磺醯基,二-C1-4-烷胺磺醯基,胺甲醯基, C1-4烷基胺甲醯基,二-C1-4烷基胺甲醯基,三氟甲基,磺酸,胺基,C1-4烷胺基,二-C1-4烷胺基,C1-4烷醯胺基,C1-4烷醯胺(N-C1-4烷基)胺基,C1-4烷磺醯胺基,及C1-4烷基S(O)n-其中n為0,l或2:附帶條件為在鍵結於-NR3-之鄰位上無羥基或羧基取代基。有關彼等之製備方法,於彼等之製備中之中間物,彼等之用為治療劑及含彼等之藥學組合物。
    • 本发明系有关卡巴呐类(Carbapenems)并提供式(I)化合物; CC或其药用盐或活体内可水解含C1-6烷基或C1-6烯基之酯,式中; R1为l-羟乙基,l-氟乙基或羟甲基; R2为氢或C1-4烷基; R3为氢或C1-4烷基; R4与R5相同或不同且选自氢,卤基,氰基,C1-4烷基,硝基,羟基,羧基,C1-4烷氧基,C1-4烷氧羰基,胺磺酰基,C1-4烷胺磺酰基,二-C1-4-烷胺磺酰基,胺甲酰基, C1-4烷基胺甲酰基,二-C1-4烷基胺甲酰基,三氟甲基,磺酸,胺基,C1-4烷胺基,二-C1-4烷胺基,C1-4烷酰胺基,C1-4烷酰胺(N-C1-4烷基)胺基,C1-4烷磺酰胺基,及C1-4烷基S(O)n-其中n为0,l或2:附带条件为在键结于-NR3-之邻位上无羟基或羧基取代基。有关彼等之制备方法,于彼等之制备中之中间物,彼等之用为治疗剂及含彼等之药学组合物。
    • 6. 发明专利
    • 羧 青黴素衍生物及其製備方法
    • 羧 青霉素衍生物及其制备方法
    • TW255892B
    • 1995-09-01
    • TW082107234
    • 1993-09-02
    • 東亞製藥股份有限公司
    • 申熙贊李在杰林重仁金枝永金南植金啓源張民善
    • C07D
    • C07D477/20C07D207/12Y02P20/55
    • 本發明係有關一化學式(I)的化合物□ (Ⅰ)其中R1係氫原子或甲基,R2係氫原子、金屬或非金屬鹽基、或羧基保護基,R3係氫原子或亞胺基保護基,及R4係氫原子、低烷基、羥基、氰基、或鹵原子,R5係羥基、低烷氧基、受保護或未保護的胺基、或是下面化學式(1)至(4)其中之一;
      (1) CC其中R6及R7係互不相干表示氫原子或低烷基,R8係羥基、氰基、鹵原子、包含1至4個雜原子的5或6員環之雜環基,其中該等雜原子上可視需要以適當取代基給予取代、受保護或未保護的胺基、或下面的共通化學式:□(其中R9係低烷基硫醯基、鹵低烷基硫醯基、苯基(C1至C4)烷基硫醯基或N,N-二低烷胺基磺醯基),n係0至4的整數
      (2) CC其中R6係氫原子或低烷基,n係0至4的整數
      (3) CC其中R6及R7係互不相干表示氫原子或低烷基,n係0至4的整數
      (4) CC其中R6係氫原子或低烷基,R10係低烷基、低烷基硫醯基、鹵低烷基硫醯基、苯基(C1至C4)苯基硫醯基、N-(低)烷胺基磺 醯 基、N,N-二低烷胺基磺 醯 基、包含1至4個雜原子的5或6員環之雜環基,其中該等雜原子上可視需要以適當取代基給予取代、或下面的共通化學式
      CC(其中R11係
    • 本发明系有关一化学式(I)的化合物□ (Ⅰ)其中R1系氢原子或甲基,R2系氢原子、金属或非金属盐基、或羧基保护基,R3系氢原子或亚胺基保护基,及R4系氢原子、低烷基、羟基、氰基、或卤原子,R5系羟基、低烷氧基、受保护或未保护的胺基、或是下面化学式(1)至(4)其中之一; (1) CC其中R6及R7系互不相干表示氢原子或低烷基,R8系羟基、氰基、卤原子、包含1至4个杂原子的5或6员环之杂环基,其中该等杂原子上可视需要以适当取代基给予取代、受保护或未保护的胺基、或下面的共通化学式:□(其中R9系低烷基硫酰基、卤低烷基硫酰基、苯基(C1至C4)烷基硫酰基或N,N-二低烷胺基磺酰基),n系0至4的整数 (2) CC其中R6系氢原子或低烷基,n系0至4的整数 (3) CC其中R6及R7系互不相干表示氢原子或低烷基,n系0至4的整数 (4) CC其中R6系氢原子或低烷基,R10系低烷基、低烷基硫酰基、卤低烷基硫酰基、苯基(C1至C4)苯基硫酰基、N-(低)烷胺基磺 酰 基、N,N-二低烷胺基磺 酰 基、包含1至4个杂原子的5或6员环之杂环基,其中该等杂原子上可视需要以适当取代基给予取代、或下面的共通化学式 CC(其中R11系