会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 2. 发明专利
    • 網際網路協定層中低架空移動率管理協定之方法與系統
    • 因特网协定层中低架空移动率管理协定之方法与系统
    • TW558891B
    • 2003-10-21
    • TW091102715
    • 2002-02-18
    • 數位際技術公司
    • 雪利夫 夏里爾普拉哈卡爾 吉拉普
    • H04L
    • H04W36/0083C07C43/313C07C69/63C07D307/79H04L29/06H04L29/12009H04L29/1233H04L29/12367H04L29/12424H04L29/12462H04L45/26H04L61/25H04L61/2514H04L61/2535H04L61/255H04W8/04H04W8/082H04W8/26H04W40/36H04W80/04H04W84/105H04W88/005
    • 本發明提出一種用以支援行動網際網路通訊之系統及方法,其運用複數個路由器及複數個行動節點(MNs)。每一路由器有一唯一通訊位址。每一MN伴隨著一個原地路由器。每一路由器有一相伴行動節點位置列表識別以此路由器為原地路由器之每一MN以及一對應於每一此等MN之一當前位置之路由器的通訊位址。每一MN可從該MN經由一路由器與網際網路聯絡之一舊位置移動至該MN經由一不同路由器與網際網路聯絡之一當前位置。在當前位置經由該不同路由器進行之通訊係藉由對該MN之原地路由器聯絡該不同路由器之通訊位址做為對應於該MN之當前位置的通訊位址。因此,從一對應節點(CN)到一選定MN之一資料通訊係藉由存取該選定MN之原地路由器的行動節點位置列表以判定對應於該選定MN之當前位置的通訊位址且將該資料通訊導向該已判定通訊位址的方式聯絡給該選定MN。
    • 本发明提出一种用以支持行动因特网通信之系统及方法,其运用复数个路由器及复数个行动节点(MNs)。每一路由器有一唯一通信位址。每一MN伴随着一个原地路由器。每一路由器有一相伴行动节点位置列表识别以此路由器为原地路由器之每一MN以及一对应于每一此等MN之一当前位置之路由器的通信位址。每一MN可从该MN经由一路由器与因特网联系之一旧位置移动至该MN经由一不同路由器与因特网联系之一当前位置。在当前位置经由该不同路由器进行之通信系借由对该MN之原地路由器联系该不同路由器之通信位址做为对应于该MN之当前位置的通信位址。因此,从一对应节点(CN)到一选定MN之一数据通信系借由存取该选定MN之原地路由器的行动节点位置列表以判定对应于该选定MN之当前位置的通信位址且将该数据通信导向该已判定通信位址的方式联系给该选定MN。
    • 9. 发明专利
    • 苯乙烯衍生物
    • TW506961B
    • 2002-10-21
    • TW089118524
    • 2000-09-08
    • 信越化學工業股份有限公司
    • 中島睦雄山潤渡邊淳原田裕次
    • C07C
    • C07C69/017C07C43/225C07C43/313C07C69/712C07C69/96C07F7/1852Y02P20/55
    • 本發明係有關一種苯乙烯衍生物,其為,下列一般式(1)所示之化合物:(式中,R1為氫原子、碳數1~20之直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基或氟取代烷基、氯原子或三氯甲基;R2為苯酚之保護基;p、q、r分別為0≦p<5、0≦q<5、0<r<5之範圍內的0或自然數,且0<p+q<5)。
      使用聚合本發明之苯乙烯而得到之聚合物所調製成的抗蝕材料對高能量射線具感應力,且對200nm以下,特別是170nm以下之波長具優良之靈敏度、解像性、耐等離子蝕刻性。因此,本發明之化合物特別適合作為F2激光之曝光波長下吸收較小之抗蝕材料的基礎聚合物,故使用其之抗蝕材料易形成微細且垂直於基板之圖形,而適用於超LSI製造用之微細圖形形成材料。
    • 本发明系有关一种苯乙烯衍生物,其为,下列一般式(1)所示之化合物:(式中,R1为氢原子、碳数1~20之直链状、支链状或环状的烷基或氟取代烷基、氯原子或三氯甲基;R2为苯酚之保护基;p、q、r分别为0≦p<5、0≦q<5、0<r<5之范围内的0或自然数,且0<p+q<5)。 使用聚合本发明之苯乙烯而得到之聚合物所调制成的抗蚀材料对高能量射线具感应力,且对200nm以下,特别是170nm以下之波长具优良之灵敏度、解像性、耐等离子蚀刻性。因此,本发明之化合物特别适合作为F2激光之曝光波长下吸收较小之抗蚀材料的基础聚合物,故使用其之抗蚀材料易形成微细且垂直于基板之图形,而适用于超LSI制造用之微细图形形成材料。