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1. 发明专利

TWI615349B 混合整合構件有权
简体标题：混合集成构件
公开(公告)号：TWI615349B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW102138180
申请日：2013-10-23
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES , 法蘭克阿克瑟 , FRANKE, AXEL , 費雪法蘭克 , FISCHER, FRANK , 福雷顏斯 , FREY, JENS , 維伯赫利貝爾特 , WEBER, HERIBERT , 偉那派翠克 , WELLNER, PATRICK , 麥瑟丹尼爾克里斯多福 , MEISEL, DANIEL CHRISTOPH , 哈塔斯米爾科 , HATTASS, MIRKO
IPC分类号： B81B7/02 , G01P15/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81C1/0023 , B81C2203/075 , B81C2203/0771 , H01L2224/48463

2. 发明专利

TW201726544A 奈米機電裝置結構审中-公开
简体标题：奈米机电设备结构
公开(公告)号：TW201726544A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105144133
申请日：2016-12-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳欣蘋 , CHEN, HSIN PING , 楊岱宜 , YANG, TAI I , 後藤賢一 , GOTO, KEN-ICHI , 眭曉林 , SHUE, SHAU LIN , 戴爾茲卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H.
IPC分类号： B82Y10/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2203/0118 , B81B2207/015 , B81B2207/09 , B81C1/00246 , B81C2203/0136 , B81C2203/0771
摘要：本發明之實施例提供一種奈米機電裝置結構，包括：基板，內連線結構形成於基板之上。奈米機電裝置結構更包括：介電層形成於內連線結構之上，梁結構形成於介電層之中與之上，其中梁結構包括固定部份與可移動部份，固定部份沿著垂直方向延伸，且可移動部份沿著水平方向延伸。奈米機電裝置結構尚包括：蓋結構形成於介電層與梁結構之上；以及凹洞形成於梁結構與蓋結構之間。
简体摘要：本发明之实施例提供一种奈米机电设备结构，包括：基板，内连接结构形成于基板之上。奈米机电设备结构更包括：介电层形成于内连接结构之上，梁结构形成于介电层之中与之上，其中梁结构包括固定部份与可移动部份，固定部份沿着垂直方向延伸，且可移动部份沿着水平方向延伸。奈米机电设备结构尚包括：盖结构形成于介电层与梁结构之上；以及凹洞形成于梁结构与盖结构之间。

3. 发明专利

TWI326674B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI326674B
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW096109512
申请日：2007-03-20
申请人：東芝股份有限公司
发明人：小野塚豐 , 山田浩 , 舟木英之 , 板谷和彥
IPC分类号： B81B , B81C , H01L
CPC分类号： B81C1/0023 , B81C1/00246 , B81C2201/019 , B81C2203/0771 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1461 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
摘要：即使該裝置包含MEMS設備與半導體設備，亦可提供高度整合而獲得薄型裝置。一種半導體裝置，包括：一結合晶片包括：一第一晶片，包含形成於其中的MEMS設備；一第二晶片，包含形成於其中的半導體設備；及一黏著層，結合該第一晶片的側面至該第二晶片的側面，並具有較該第一及第二晶片之該材料低的楊氏模數。
简体摘要：即使该设备包含MEMS设备与半导体设备，亦可提供高度集成而获得薄型设备。一种半导体设备，包括：一结合芯片包括：一第一芯片，包含形成于其中的MEMS设备；一第二芯片，包含形成于其中的半导体设备；及一黏着层，结合该第一芯片的侧面至该第二芯片的侧面，并具有较该第一及第二芯片之该材料低的杨氏模数。

4. 发明专利

TWI586604B 混合整合構件及其製造方法有权
简体标题：混合集成构件及其制造方法
公开(公告)号：TWI586604B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102120839
申请日：2013-06-13
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES , 法伯保羅 , FARBER, PAUL
IPC分类号： B81B7/02 , H01L25/16
CPC分类号： B81B3/0018 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C1/00261 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , B81C2203/0785

5. 发明专利

TWI574368B 背面塊狀矽微機電的設備有权
简体标题：背面块状硅微机电的设备
公开(公告)号：TWI574368B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104134881
申请日：2012-12-24
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：巴斯卡蘭瑞嘉敘利 , BASKARAN, RAJASHREE , 佩爾圖克里斯多夫 , PELTO, CHRISTOPHER M.
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/48
CPC分类号： B81B7/0006 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , H01L21/76898 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L29/84 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/16145 , H01L2224/81193 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201620108A 背面塊狀矽微機電的設備审中-公开
简体标题：背面块状硅微机电的设备
公开(公告)号：TW201620108A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104134881
申请日：2012-12-24
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：巴斯卡蘭瑞嘉敘利 , BASKARAN, RAJASHREE , 佩爾圖克里斯多夫 , PELTO, CHRISTOPHER M.
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/48
CPC分类号： B81B7/0006 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , H01L21/76898 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L29/84 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/16145 , H01L2224/81193 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一積體電路裝置，包括單一半導體基板；裝置層，形成在該單一半導體基板的前面上；再分配層，形成在該單一半導體基板之背面上；穿透矽通孔(TSV)，形成在被電耦接至該裝置層及該再分配層之單一半導體基板內；邏輯記憶體介面(LMI)，形成在被電耦接至該再分配層的單一半導體基板之背面上；及MEMS裝置，形成在被電耦接至該再分配層的單一半導體基板之背面上。
简体摘要：一集成电路设备，包括单一半导体基板；设备层，形成在该单一半导体基板的前面上；再分配层，形成在该单一半导体基板之背面上；穿透硅通孔(TSV)，形成在被电耦接至该设备层及该再分配层之单一半导体基板内；逻辑内存界面(LMI)，形成在被电耦接至该再分配层的单一半导体基板之背面上；及MEMS设备，形成在被电耦接至该再分配层的单一半导体基板之背面上。

7. 发明专利

TW201416313A 混合整合構件及其製造方法审中-公开
简体标题：混合集成构件及其制造方法
公开(公告)号：TW201416313A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102120841
申请日：2013-06-13
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：維伯赫利貝爾特 , WEBER, HERIBERT
IPC分类号： B81B7/02 , H01L21/768
CPC分类号： B81B3/0018 , B81B2201/0257 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2203/0109 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L2224/11 , H04R2201/003
摘要：一種混合整合構件(100)，該構件包括至少一具有若干內置式電路元件(12)及一後端疊層(13)的ASIC元件(10)、一具有一微機械結構的MEMS元件(20)，該微機械結構在該MEMS基板(20)的整個厚度上延伸，以及一罩蓋晶圓(30)，本發明為該混合整合構件新增一微機械功能。其中，該MEMS元件(20)安裝於該ASIC元件(10)上，使得在該微機械結構與該ASIC元件(10)的後端疊層(13)之間存在一間隙(21)該罩蓋晶圓(30)安裝於該MEMS元件(20)之該微機械結構上。在該ASIC元件(10)之後端疊層(13)中構建一包含一電容器機構的至少一可偏轉電極的壓敏膜片結構(16)。該膜片結構(16)將該ASIC元件(10)之背面內的一壓力連接(17)張緊。
简体摘要：一种混合集成构件(100)，该构件包括至少一具有若干内置式电路组件(12)及一后端叠层(13)的ASIC组件(10)、一具有一微机械结构的MEMS组件(20)，该微机械结构在该MEMS基板(20)的整个厚度上延伸，以及一罩盖晶圆(30)，本发明为该混合集成构件添加一微机械功能。其中，该MEMS组件(20)安装于该ASIC组件(10)上，使得在该微机械结构与该ASIC组件(10)的后端叠层(13)之间存在一间隙(21)该罩盖晶圆(30)安装于该MEMS组件(20)之该微机械结构上。在该ASIC组件(10)之后端叠层(13)中构建一包含一电容器机构的至少一可偏转电极的压敏膜片结构(16)。该膜片结构(16)将该ASIC组件(10)之背面内的一压力连接(17)张紧。

8. 发明专利

TW201234527A 微機電系統互補式金氧半導體裝置製造之方法及系統 METHODS AND SYSTEMS FOR FABRICATION OF MEMS CMOS DEVICES 审中-公开
简体标题：微机电系统互补式金属氧化物半导体设备制造之方法及系统 METHODS AND SYSTEMS FOR FABRICATION OF MEMS CMOS DEVICES
公开(公告)号：TW201234527A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100142574
申请日：2011-11-21
申请人：寶來微系統有限公司
发明人：蒙坦史維斯崔喬瑟
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2207/07 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L21/7682
摘要：本發明揭示一種製造一積體電路之方法,該方法包含產生在一半導體材料基板上形成一或多個電及/電子元件之層。接著,在形成一或多個電及/電子元件之層上方產生層間級介電質(ILD)層,其包含以下步驟:沈積蝕刻終止物材料之一第一層;在該第一層上方沈積介電質材料之一第二層並使該第二層與該第一層接觸;形成延伸穿過該第一層及該第二層之至少一軌道;及用一非金屬材料填充該至少一軌道。
简体摘要：本发明揭示一种制造一集成电路之方法,该方法包含产生在一半导体材料基板上形成一或多个电及/电子组件之层。接着,在形成一或多个电及/电子组件之层上方产生层间级介电质(ILD)层,其包含以下步骤:沉积蚀刻终止物材料之一第一层;在该第一层上方沉积介电质材料之一第二层并使该第二层与该第一层接触;形成延伸穿过该第一层及该第二层之至少一轨道;及用一非金属材料填充该至少一轨道。

9. 发明专利

TWI619669B 製造混合整合構件的方法，包含至少兩 MEMS 元件的混合整合構件有权
简体标题：制造混合集成构件的方法，包含至少两 MEMS 组件的混合集成构件
公开(公告)号：TWI619669B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW102114301
申请日：2013-04-23
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES , 維伯赫利貝爾特 , WEBER, HERIBERT
IPC分类号： B81C1/00 , B81C3/00 , B81B7/02
CPC分类号： B81B7/008 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C3/001 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , B81C2203/0785 , H01L2924/1433

10. 发明专利

TWI560135B 混合整合構件及其製造方法有权
简体标题：混合集成构件及其制造方法
公开(公告)号：TWI560135B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW102114300
申请日：2013-04-23
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES
IPC分类号： B81B7/02 , H01L25/04
CPC分类号： B81B3/004 , B81B3/0018 , B81B3/0075 , B81B7/008 , B81C1/00134 , B81C1/00246 , B81C1/00261 , B81C1/00674 , B81C3/001 , B81C2203/0109 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L24/13 , H01L2224/11 , H01L2224/48463

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