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1. 发明专利

TWI503271B 微機電系統結構、裝置及其製造方法有权
简体标题：微机电系统结构、设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI503271B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW101122591
申请日：2012-06-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：徐家保 , SHU, CHIA PAO , 洪嘉明 , HUNG, CHIA MING , 戴文川 , TAI, WEN CHUAN , 王鴻森 , WANG, HUNG SEN , 陳相甫 , CHEN, HSIANG FU , 卡尼斯基艾利克斯 , KALNITSKY, ALEX
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81B7/0032 , B81B7/0038 , B81C1/00261 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TWI560135B 混合整合構件及其製造方法有权
简体标题：混合集成构件及其制造方法
公开(公告)号：TWI560135B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW102114300
申请日：2013-04-23
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES
IPC分类号： B81B7/02 , H01L25/04
CPC分类号： B81B3/004 , B81B3/0018 , B81B3/0075 , B81B7/008 , B81C1/00134 , B81C1/00246 , B81C1/00261 , B81C1/00674 , B81C3/001 , B81C2203/0109 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L24/13 , H01L2224/11 , H01L2224/48463

3. 发明专利

TW201336775A ＭＥＭＳ裝置之封裝相容晶圓級封蓋审中-公开
简体标题：ＭＥＭＳ设备之封装兼容晶圆级封盖
公开(公告)号：TW201336775A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101146048
申请日：2012-12-07
申请人：普羅梅勒斯有限公司 , PROMERUS LLC
发明人：柯爾保羅A , KOHL, PAUL A. , 薩哈拉賈許 , SAHA, RAJARSHI , 弗里茲納坦 , FRITZ, NATHAN
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/56 , H01L21/3065 , H03H9/02 , H03H9/125
CPC分类号： B81C1/00261 , B81B3/0018 , B81C1/00333 , B81C2201/0108 , B81C2203/0154
摘要：本發明揭示且主張一種有成本效益之用於微機電裝置(MEMS)之晶圓級封裝程序。具體而言，MEMS裝置之可移動部分在呈晶圓形式時被囊封及保護，使得可使用商品引線框架封裝。塗飾聚合物(諸如，環氧環己基多面體寡聚倍半矽氧烷(EPOSS))已用作用以圖案化犧牲聚合物以及塗飾空氣腔室之遮罩材料。所得空氣腔室為清潔、無碎屑且穩固的。腔室具有在MEMS裝置之引線框架封裝期間耐受模製壓力之實質強度。已製造自20μm×400μm至300μm×400μm之寬範圍的腔室且該等腔室展示為機械穩定的。此等可能容納具有寬範圍之大小的MEMS裝置。已使用奈米壓痕調查腔室之強度，且使用分析及有限元素技術模型化腔室之強度。使用此協定封裝之電容式諧振器展示了清潔的感測電極及良好的功能性。
简体摘要：本发明揭示且主张一种有成本效益之用于微机电设备(MEMS)之晶圆级封装进程。具体而言，MEMS设备之可移动部分在呈晶圆形式时被囊封及保护，使得可使用商品引线框架封装。涂饰聚合物(诸如，环氧环己基多面体寡聚倍半硅氧烷(EPOSS))已用作用以图案化牺牲聚合物以及涂饰空气腔室之遮罩材料。所得空气腔室为清洁、无碎屑且稳固的。腔室具有在MEMS设备之引线框架封装期间耐受模制压力之实质强度。已制造自20μm×400μm至300μm×400μm之宽范围的腔室且该等腔室展示为机械稳定的。此等可能容纳具有宽范围之大小的MEMS设备。已使用奈米压痕调查腔室之强度，且使用分析及有限元素技术模型化腔室之强度。使用此协定封装之电容式谐振器展示了清洁的传感电极及良好的功能性。

4. 发明专利

TWI580631B 用於提供半導體封裝之ＭＥＭＳ結構的裝置、系統及方法有权
简体标题：用于提供半导体封装之ＭＥＭＳ结构的设备、系统及方法
公开(公告)号：TWI580631B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW103132429
申请日：2014-09-19
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：鄭永康 , TEH, WENG HONG , 艾貝辛泰瑞克 , IBRAHIM, TAREK A. , 翰尼莎拉 , HANEY, SARAH K. , 索賓斯基丹尼爾 , SOBIESKI, DANIEL N. , 詹提帕舒拉姆 , ZANTYE, PARSHURAM B. , 梅爾查德 , MAIR, CHAD E. , 坎格因泰勒斯佛 , KAMGAING, TELESPHOR
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , B81B7/02
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/0271 , B81C1/00261 , B81C1/00277 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/73267 , H01L2924/01079

6. 发明专利

TW201400401A 混合整合構件及其製造方法审中-公开
简体标题：混合集成构件及其制造方法
公开(公告)号：TW201400401A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102114300
申请日：2013-04-23
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES
IPC分类号： B81B7/02 , H01L25/04
CPC分类号： B81B3/004 , B81B3/0018 , B81B3/0075 , B81B7/008 , B81C1/00134 , B81C1/00246 , B81C1/00261 , B81C1/00674 , B81C3/001 , B81C2203/0109 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L24/13 , H01L2224/11 , H01L2224/48463
摘要：茲提出若干措施以實現包括一MEMS元件(20)及一ASIC元件(10)的混合整合構件，該等構件之電容器機構既能以相對較高的靈敏度進行信號偵測又能對該MEMS元件之微機械結構進行敏感型控制。該混合整合構件包括一具有一微機械結構之MEMS元件(20)，該微機械結構在該MEMS基板(20)的整個厚度上延伸。該微機械結構的至少一結構元件(23)可偏轉且與至少一包含至少一活動電極(51)及至少一靜止電極(52)的電容器機構作用性連接。該構件還包括一具有該電容器機構之至少一電極(52)的ASIC元件(10)。該MEMS元件(20)安裝於該ASIC元件(10)上，使得在該微機械結構與該ASIC元件(10)之表面之間存在一間隙(21)。根據本發明，該電容器機構的至少一電極(51)脫離該ASIC元件(10)之層結構，取而代之地與該MEMS元件(20)之該可偏轉結構元件(23)機械連接且電連接，使得該電極(51)用作該電容器機構之活動電極(51)。
简体摘要：兹提出若干措施以实现包括一MEMS组件(20)及一ASIC组件(10)的混合集成构件，该等构件之电容器机构既能以相对较高的灵敏度进行信号侦测又能对该MEMS组件之微机械结构进行敏感型控制。该混合集成构件包括一具有一微机械结构之MEMS组件(20)，该微机械结构在该MEMS基板(20)的整个厚度上延伸。该微机械结构的至少一结构组件(23)可偏转且与至少一包含至少一活动电极(51)及至少一静止电极(52)的电容器机构作用性连接。该构件还包括一具有该电容器机构之至少一电极(52)的ASIC组件(10)。该MEMS组件(20)安装于该ASIC组件(10)上，使得在该微机械结构与该ASIC组件(10)之表面之间存在一间隙(21)。根据本发明，该电容器机构的至少一电极(51)脱离该ASIC组件(10)之层结构，取而代之地与该MEMS组件(20)之该可偏转结构组件(23)机械连接且电连接，使得该电极(51)用作该电容器机构之活动电极(51)。

7. 发明专利

TW201416312A 混合整合構件及其製造方法审中-公开
简体标题：混合集成构件及其制造方法
公开(公告)号：TW201416312A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102120839
申请日：2013-06-13
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES , 法伯保羅 , FARBER, PAUL
IPC分类号： B81B7/02 , H01L25/16
CPC分类号： B81B3/0018 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C1/00261 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , B81C2203/0785
摘要：一種混合整合構件，包括一MEMS元件(20)、一用於該MEMS元件(20)之微機械結構(23)的罩蓋(30)及一設有若干電路元件(11)的ASIC元件(10)，本發明對該構件的功能範圍予以擴展。該構件(100)中，該ASIC元件(10)的該等電路元件(11)與該MEMS元件(20)之微機械結構(23)進行共同作用。該MEMS元件(20)安裝於該ASIC元件(10)上，使得該MEMS元件(20)之微機械結構(23)佈置於位於該罩蓋(30)與該ASIC元件(10)之間的一空腔(24)內。此外還為該ASIC元件(10)配設一磁感測機構的若干電路元件(171，172，173)。在該ASIC元件(10)之CMOS後端疊層(12)中或其上製成該等電路元件(171，172，173)。不必為實現該磁感測機構而增大晶片面積。
简体摘要：一种混合集成构件，包括一MEMS组件(20)、一用于该MEMS组件(20)之微机械结构(23)的罩盖(30)及一设有若干电路组件(11)的ASIC组件(10)，本发明对该构件的功能范围予以扩展。该构件(100)中，该ASIC组件(10)的该等电路组件(11)与该MEMS组件(20)之微机械结构(23)进行共同作用。该MEMS组件(20)安装于该ASIC组件(10)上，使得该MEMS组件(20)之微机械结构(23)布置于位于该罩盖(30)与该ASIC组件(10)之间的一空腔(24)内。此外还为该ASIC组件(10)配设一磁传感机构的若干电路组件(171，172，173)。在该ASIC组件(10)之CMOS后端叠层(12)中或其上制成该等电路组件(171，172，173)。不必为实现该磁传感机构而增大芯片面积。

8. 发明专利

TW201402450A 混合整合構件及其製造方法审中-公开
简体标题：混合集成构件及其制造方法
公开(公告)号：TW201402450A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102116816
申请日：2013-05-13
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：維伯赫利貝爾特 , WEBER, HERIBERT , 費雪法蘭克 , FISCHER, FRANK , 哈塔斯米爾科 , HATTASS, MIRKO , 貝爾格曼依馮娜 , BERGMANN, YVONNE
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/025 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00261 , B81C1/00301 , B81C2203/0792 , H01L2224/13 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要：本發明提出一種對構件(100)進行外部電接觸的簡單而低成本的方案，以達到擴展該等構件之電路技術功能的效果，該等構件包括至少一MEMS元件(10)、一用於該MEMS元件(10)之微機械結構(131)的罩蓋(11)以及至少一ASIC基板(20)。該MEMS元件(10)之微機械結構(131)在一SOI晶圓(10)的功能層(13)內實現。該MEMS元件(10)面朝下地以其結構化之功能層(13)安裝於該ASIC基板(20)上，且該罩蓋(11)做在該SOI晶圓(10)的基板內。該ASIC基板(20)包括一基礎基板(21)，該基礎基板雙面設置一層結構，在該ASIC基板(20)之MEMS側層結構及背面層結構內分別實現有至少一電路平面(1，2，3，4)，以及，在該ASIC基板(20)中設有至少一ASIC貫穿接點(29)，該貫穿接點自該構件(100)之背面出發對該背面層結構的至少一電路平面(3)以及/或者對該MEMS側層結構的至少一電路平面(1)進行電接觸。
简体摘要：本发明提出一种对构件(100)进行外部电接触的简单而低成本的方案，以达到扩展该等构件之电路技术功能的效果，该等构件包括至少一MEMS组件(10)、一用于该MEMS组件(10)之微机械结构(131)的罩盖(11)以及至少一ASIC基板(20)。该MEMS组件(10)之微机械结构(131)在一SOI晶圆(10)的功能层(13)内实现。该MEMS组件(10)面朝下地以其结构化之功能层(13)安装于该ASIC基板(20)上，且该罩盖(11)做在该SOI晶圆(10)的基板内。该ASIC基板(20)包括一基础基板(21)，该基础基板双面设置一层结构，在该ASIC基板(20)之MEMS侧层结构及背面层结构内分别实现有至少一电路平面(1，2，3，4)，以及，在该ASIC基板(20)中设有至少一ASIC贯穿接点(29)，该贯穿接点自该构件(100)之背面出发对该背面层结构的至少一电路平面(3)以及/或者对该MEMS侧层结构的至少一电路平面(1)进行电接触。

9. 发明专利

TW201335059A 微機電系統結構、裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：微机电系统结构、设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201335059A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101122591
申请日：2012-06-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：徐家保 , SHU, CHIA PAO , 洪嘉明 , HUNG, CHIA MING , 戴文川 , TAI, WEN CHUAN , 王鴻森 , WANG, HUNG SEN , 陳相甫 , CHEN, HSIANG FU , 卡尼斯基艾利克斯 , KALNITSKY, ALEX
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81B7/0032 , B81B7/0038 , B81C1/00261 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種裝置，包括：一上蓋基板；以及一基板結構，與該上蓋基板接合，該基板結構包括：一積體電路結構，包括設置於一逸氣阻止結構上之一頂金屬層；以及至少一微機電系統裝置，設置於該頂金屬層與該逸氣阻止結構之上。
简体摘要：一种设备，包括：一上盖基板；以及一基板结构，与该上盖基板接合，该基板结构包括：一集成电路结构，包括设置于一逸气阻止结构上之一顶金属层；以及至少一微机电系统设备，设置于该顶金属层与该逸气阻止结构之上。

10. 发明专利

TWI600609B ＭＥＭＳ裝置之封裝相容晶圓級封蓋有权
简体标题：ＭＥＭＳ设备之封装兼容晶圆级封盖
公开(公告)号：TWI600609B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW101146048
申请日：2012-12-07
申请人：喬治亞理工研究公司 , GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION
发明人：柯爾保羅A , KOHL, PAUL A. , 薩哈拉賈許 , SAHA, RAJARSHI , 弗里茲納坦 , FRITZ, NATHAN
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/56 , H01L21/3065 , H03H9/02 , H03H9/125
CPC分类号： B81C1/00261 , B81B3/0018 , B81C1/00333 , B81C2201/0108 , B81C2203/0154

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