专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI583618B 微機械系統與製造微機械系統的方法有权
简体标题：微机械系统与制造微机械系统的方法
公开(公告)号：TWI583618B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW100104084
申请日：2011-02-08
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：斯歐夫克立斯第安 , SOLF, CHRISTIAN , 克那斯麥可 , KNAUSS, MICHAEL
IPC分类号： B81B7/00 , B81C1/00 , B81C3/00 , G01L1/00
CPC分类号： B81B7/0016 , B81B7/0022 , B81B7/0048 , B81B7/0064 , B81B2207/115 , B81C2203/032 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014

2. 发明专利

TW201524889A 微機械構件與製造微機械構件的方法审中-公开
简体标题：微机械构件与制造微机械构件的方法
公开(公告)号：TW201524889A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103129123
申请日：2014-08-25
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：蘭穆斯猶根 , REINMUTH, JOCHEN
IPC分类号： B81B7/02 , G01P15/00 , G01C19/5733 , B81C1/00 , B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0078 , B81B7/0016 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00825
摘要：一種微機械構件，包含具有主延伸平面之基板、可動元件及彈簧構件機構，其中該可動元件係藉由該彈簧構件機構接合在該基板上，其中該可動元件可自靜止位置偏轉至偏轉位置，其中該可動元件包括第一分元件及與該第一分元件連接的第二分元件，其中該第一分元件主要沿該基板之主延伸平面延伸，其中該第二分元件主要沿功能平面延伸，其中該功能平面大體平行於該基板之主延伸平面佈置，其中該功能平面與該主延伸平面間隔一定距離。
简体摘要：一种微机械构件，包含具有主延伸平面之基板、可动组件及弹簧构件机构，其中该可动组件系借由该弹簧构件机构接合在该基板上，其中该可动组件可自静止位置偏转至偏转位置，其中该可动组件包括第一分组件及与该第一分组件连接的第二分组件，其中该第一分组件主要沿该基板之主延伸平面延伸，其中该第二分组件主要沿功能平面延伸，其中该功能平面大体平行于该基板之主延伸平面布置，其中该功能平面与该主延伸平面间隔一定距离。

3. 发明专利

TW201808781A ＭＥＭＳ裝置與製程审中-公开
简体标题：ＭＥＭＳ设备与制程
公开(公告)号：TW201808781A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106120249
申请日：2017-06-16
申请人：席瑞斯邏輯國際半導體有限公司 , CIRRUS LOGIC INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LTD.
发明人：卡吉爾史考特里歐 , CARGILL, SCOTT LYALL
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/02 , H04R19/00 , H04R19/04 , H04R7/04 , H04R7/18
CPC分类号： H04R19/04 , B81B3/0027 , B81B3/0072 , B81B7/0016 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00666 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2201/003 , H04R2499/11
摘要：本申請案描述MEMS傳感器，其包含相對於一基板支撐於一支撐邊緣處之一可撓性膜片且進一步包含一或多個未結合邊緣。該未結合邊緣之形狀經選擇，使得該可撓性膜片傾向於在該支撐邊緣之區中沿著大於一個彎曲軸線而彎曲。
简体摘要：本申请案描述MEMS传感器，其包含相对于一基板支撑于一支撑边缘处之一可挠性膜片且进一步包含一或多个未结合边缘。该未结合边缘之形状经选择，使得该可挠性膜片倾向于在该支撑边缘之区中沿着大于一个弯曲轴线而弯曲。

4. 发明专利

TWI500573B 微電機系統裝置以及其形成之方法有权
简体标题：微电机系统设备以及其形成之方法
公开(公告)号：TWI500573B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW101140051
申请日：2012-10-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED
发明人：張嘉誠 , CHANG, CHIA CHENG , 范成至 , FAN, CHEN CHIH , 周正三 , CHOU, BRUCE C. S.
IPC分类号： B81C3/00 , B81B5/00
CPC分类号： B81C1/00269 , B81B3/0018 , B81B3/0067 , B81B3/007 , B81B7/00 , B81B7/0006 , B81B7/0016 , B81B7/0029 , B81B7/0041 , B81B7/0051 , B81B7/0058 , B81B2201/0228 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00 , B81C1/00293 , B81C1/00325 , B81C2203/0118

5. 发明专利

TWI610880B 半撓性的驗證質量有权
简体标题：半挠性的验证质量
公开(公告)号：TWI610880B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105129586
申请日：2016-09-12
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：布洛克菲斯特安西 , BLOMQVIST, ANSSI , 瑞特庫尼斐勒佩卡 , RYTKONEN, VILLE-PEKKA , 里歐庫瑪堤 , LIUKKU, MATTI
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/00 , B81C1/00 , G01P15/08 , G01P15/125
CPC分类号： G01M7/08 , B81B3/001 , B81B3/0013 , B81B7/0016 , B81B2201/0235 , B81C1/00968 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , G01P2015/0874

6. 发明专利

TW201730535A 微機電力量感測器以及力量感測裝置审中-公开
简体标题：微机电力量传感器以及力量传感设备
公开(公告)号：TW201730535A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105104409
申请日：2016-02-16
申请人：智動全球股份有限公司 , GLOBALMEMS CO., LTD.
发明人：童璽文 , TUNG, HSI-WEN , 吳名清 , WU, MING-CHING
IPC分类号： G01L1/00 , B81B7/02
CPC分类号： G01L1/18 , B81B7/0016 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , G01L1/2293 , G01L1/26 , G01L5/162 , G06F3/0414
摘要：一種微機電力量感測器，其包括第一基板、第二基板以及多個導電端子。第二基板與第一基板對向配置且包括可形變部以及受力部。可形變部具有多個感測元件。受力部凸出於可形變部背對第一基板的表面，而在可形變部上圍設出凹槽。導電端子與感測元件電性連接，且導電端子集中配置在凹槽的下方。第二基板透過導電端子而固定在第一基板上。另提供一種力量感測裝置。
简体摘要：一种微机电力量传感器，其包括第一基板、第二基板以及多个导电端子。第二基板与第一基板对向配置且包括可形变部以及受力部。可形变部具有多个传感组件。受力部凸出于可形变部背对第一基板的表面，而在可形变部上围设出凹槽。导电端子与传感组件电性连接，且导电端子集中配置在凹槽的下方。第二基板透过导电端子而固定在第一基板上。另提供一种力量传感设备。

7. 发明专利

TWI580938B 微機電力量感測器以及力量感測裝置有权
简体标题：微机电力量传感器以及力量传感设备
公开(公告)号：TWI580938B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105104409
申请日：2016-02-16
申请人：智動全球股份有限公司 , GLOBALMEMS CO., LTD.
发明人：童璽文 , TUNG, HSI-WEN , 吳名清 , WU, MING-CHING
IPC分类号： G01L1/00 , B81B7/02
CPC分类号： G01L1/18 , B81B7/0016 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , G01L1/2293 , G01L1/26 , G01L5/162 , G06F3/0414

8. 发明专利

TW201720745A 半撓性的驗證質量审中-公开
简体标题：半挠性的验证质量
公开(公告)号：TW201720745A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105129586
申请日：2016-09-12
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：布洛克菲斯特安西 , BLOMQVIST, ANSSI , 瑞特庫尼斐勒佩卡 , RYTKONEN, VILLE-PEKKA , 里歐庫瑪堤 , LIUKKU, MATTI
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/00 , B81C1/00 , G01P15/08 , G01P15/125
CPC分类号： G01M7/08 , B81B3/001 , B81B3/0013 , B81B7/0016 , B81B2201/0235 , B81C1/00968 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , G01P2015/0874
摘要：本發明係關於一種微機電裝置，其包括一半撓性驗證質量，該半撓性驗證質量包含至少一個初級部分、至少一個次級部分以及懸置該半撓性驗證質量之所述至少一個初級部分及所述至少一個次級部分的至少一個剛性彈簧。該剛性彈簧實質上使得所述至少一個初級部分及所述至少一個次級部分在該裝置處於其正常操作範圍內時作為單個、剛性實體移動。該裝置進一步包括經組態以使所述至少一個初級部分停止之至少一個第一擋止件結構。該半撓性驗證質量經組態以在該裝置經受藉由超出該裝置之該正常操作範圍之一力衝擊該裝置之一震動時經由所述至少一個剛性彈簧之偏轉而變形。在該震動引起該半撓性驗證質量至少沿著一移動軸在一個方向上之一運動時，所述至少一個剛性彈簧進一步經組態以產生一恢復力，該恢復力使得至少該半撓性驗證質量之所述至少一個次級部分被驅動進入在與由該震動引起之沿著該移動軸之該運動相反之一方向上的一恢復運動，其中處於該恢復運動中之所述至少一個次級部分之動量進一步使得所述至少一個初級部分自該第一擋止件結構移走。
简体摘要：本发明系关于一种微机电设备，其包括一半挠性验证质量，该半挠性验证质量包含至少一个初级部分、至少一个次级部分以及悬置该半挠性验证质量之所述至少一个初级部分及所述至少一个次级部分的至少一个刚性弹簧。该刚性弹簧实质上使得所述至少一个初级部分及所述至少一个次级部分在该设备处于其正常操作范围内时作为单个、刚性实体移动。该设备进一步包括经组态以使所述至少一个初级部分停止之至少一个第一挡止件结构。该半挠性验证质量经组态以在该设备经受借由超出该设备之该正常操作范围之一力冲击该设备之一震动时经由所述至少一个刚性弹簧之偏转而变形。在该震动引起该半挠性验证质量至少沿着一移动轴在一个方向上之一运动时，所述至少一个刚性弹簧进一步经组态以产生一恢复力，该恢复力使得至少该半挠性验证质量之所述至少一个次级部分被驱动进入在与由该震动引起之沿着该移动轴之该运动相反之一方向上的一恢复运动，其中处于该恢复运动中之所述至少一个次级部分之动量进一步使得所述至少一个初级部分自该第一挡止件结构移走。

9. 发明专利

TW201610404A 具有蓋界定膜之壓力感測器审中-公开
简体标题：具有盖界定膜之压力传感器
公开(公告)号：TW201610404A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104124588
申请日：2015-07-29
申请人：矽力康微觀結構公司 , SILICON MICROSTRUCTURES, INC.
发明人：歐貝德奧瑪 , ABED, OMAR
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84
CPC分类号： G01L9/0048 , B81B7/0016 , G01L9/0042 , G01L9/0047 , G01L9/0051
摘要：本發明揭示保護壓力感測器上之膜之結構及方法。一項實例可提供具有界定一框架且位於形成於一裝置層中之一膜之下的一背部空腔之一壓力感測器。該壓力感測器可進一步包含藉由一接合層結合至裝置層之一蓋。用於一參考空腔之一凹部可形成於蓋、接合層及膜或其他裝置層部分中之一或多者中。該凹部可具有在至少一方向上比背部空腔之一寬度窄之一寬度。在其他實例中，該凹部可經塑形使得其具有位於背部空腔之一外邊緣內之一外邊緣。此可加強裝置層與框架之一接面。該凹部可界定與裝置層及背部空腔接面間隔開之一作用中膜。
简体摘要：本发明揭示保护压力传感器上之膜之结构及方法。一项实例可提供具有界定一框架且位于形成于一设备层中之一膜之下的一背部空腔之一压力传感器。该压力传感器可进一步包含借由一接合层结合至设备层之一盖。用于一参考空腔之一凹部可形成于盖、接合层及膜或其他设备层部分中之一或多者中。该凹部可具有在至少一方向上比背部空腔之一宽度窄之一宽度。在其他实例中，该凹部可经塑形使得其具有位于背部空腔之一外边缘内之一外边缘。此可加强设备层与框架之一接面。该凹部可界定与设备层及背部空腔接面间隔开之一作用中膜。

10. 发明专利

TW201343533A 微電機系統裝置以及其形成之方法审中-公开
简体标题：微电机系统设备以及其形成之方法
公开(公告)号：TW201343533A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101140051
申请日：2012-10-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED
发明人：張嘉誠 , CHANG, CHIA CHENG , 范成至 , FAN, CHEN CHIH , 周正三 , CHOU, BRUCE C. S.
IPC分类号： B81C3/00 , B81B5/00
CPC分类号： B81C1/00269 , B81B3/0018 , B81B3/0067 , B81B3/007 , B81B7/00 , B81B7/0006 , B81B7/0016 , B81B7/0029 , B81B7/0041 , B81B7/0051 , B81B7/0058 , B81B2201/0228 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00 , B81C1/00293 , B81C1/00325 , B81C2203/0118
摘要：一種微電機系統(MEMS)裝置可包括一於一第一基材上之微電機系統結構，微電機系統結構包括一中央靜態元件、一可移動元件、以及一外側靜態元件。一接合材質之部份位於中央靜態元件以及第一基材之間。一第二基材為於微電機系統結構上。一介電層之部份位於中央靜態元件以及第二基材之間。一支撐柱包括前述部份之接合材質、中央靜態元件、以及前述部份之介電材料。
简体摘要：一种微电机系统(MEMS)设备可包括一于一第一基材上之微电机系统结构，微电机系统结构包括一中央静态组件、一可移动组件、以及一外侧静态组件。一接合材质之部份位于中央静态组件以及第一基材之间。一第二基材为于微电机系统结构上。一介电层之部份位于中央静态组件以及第二基材之间。一支撑柱包括前述部份之接合材质、中央静态组件、以及前述部份之介电材料。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式