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1. 发明专利

TWI505802B 打蠟裝置失效
简体标题：打蜡设备
公开(公告)号：TWI505802B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW100126141
申请日：2011-07-25
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：楊明陸 , YANG, MING LU , 張亞東 , ZHANG, YA-DONG , 張天恩 , ZHANG, TIAN-EN , 杜高峰 , DU, GAO-FENG
IPC分类号： A47L13/28
CPC分类号： B24B57/04 , B05C11/00 , B05C21/00 , B24B29/00

2. 发明专利

TW201304729A 打蠟裝置失效
简体标题：打蜡设备
公开(公告)号：TW201304729A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100126141
申请日：2011-07-25
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：楊明陸 , YANG, MING LU , 張亞東 , ZHANG, YA-DONG , 張天恩 , ZHANG, TIAN-EN , 杜高峰 , DU, GAO-FENG
IPC分类号： A47L13/28
CPC分类号： B24B57/04 , B05C11/00 , B05C21/00 , B24B29/00
摘要：一種打蠟裝置，用於對拋光輪打蠟，該打蠟裝置包括支撐機構、調節組件、驅動機構、安裝組件、減速馬達及蠟塊。該支撐機構包括有滑軌，該調節組件滑動地裝設於該滑軌上，該驅動機構裝設於該調節組件上，該安裝組件包括有安裝板，該安裝板安裝於該驅動機構上，該減速馬達裝設於該安裝板上，該蠟塊安裝於該減速馬達上。該打蠟裝置還包括抵持機構，該抵持機構裝設於該支撐機構上且抵持於該調節組件上並能夠控製該調節組件於該滑軌上運動以調節蠟塊對拋光輪之壓力，該驅動機構能夠作垂直該滑軌之伸縮運動以控製該蠟塊對拋光輪打蠟。
简体摘要：一种打蜡设备，用于对抛光轮打蜡，该打蜡设备包括支撑机构、调节组件、驱动机构、安装组件、减速马达及蜡块。该支撑机构包括有滑轨，该调节组件滑动地装设于该滑轨上，该驱动机构装设于该调节组件上，该安装组件包括有安装板，该安装板安装于该驱动机构上，该减速马达装设于该安装板上，该蜡块安装于该减速马达上。该打蜡设备还包括抵持机构，该抵持机构装设于该支撑机构上且抵持于该调节组件上并能够控制该调节组件于该滑轨上运动以调节蜡块对抛光轮之压力，该驱动机构能够作垂直该滑轨之伸缩运动以控制该蜡块对抛光轮打蜡。

3. 发明专利

TWI301643B 半導體晶圓之研磨方法有权
简体标题：半导体晶圆之研磨方法
公开(公告)号：TWI301643B
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW095128841
申请日：2006-08-07
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：小佐佐和明 , 山田源治 , 富田保洋 , 若林博三
IPC分类号： H01L , B24B , B01D , C02F
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/044 , B24B55/12 , B24B57/04 , C09G1/02 , Y02P70/179
摘要：在研磨液調整部150之研磨液調整程序,將研磨液調
整為Si/O組成比為50wt%~60wt%/40wt%~50wt%,彈性率為
1.4�1010Pa以上,粒徑為1��m以上之矽為3000個/ml以下
的狀態,並利用調整之研磨液對半導體晶圓進行研磨。
简体摘要：在研磨液调整部150之研磨液调整进程,将研磨液调整为Si/O组成比为50wt%~60wt%/40wt%~50wt%,弹性率为 1.4�1010Pa以上,粒径为1��m以上之硅为3000个/ml以下的状态,并利用调整之研磨液对半导体晶圆进行研磨。

4. 发明专利

TW201618900A 自動拋光裝置审中-公开
简体标题：自动抛光设备
公开(公告)号：TW201618900A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104112881
申请日：2015-04-22
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：胥典旭 , XU, DIAN-XU , 韓俊杰 , HAN, JUN-JIE
IPC分类号： B24B45/00 , B24B41/04 , B24B51/00
CPC分类号： B24B57/04 , B23Q3/155 , Y02P70/179
摘要：本發明提供一種自動拋光裝置，用於利用砂紙對產品進行拋光，包括機架、機械手、供料元件、與該供料元件相鄰的吸取機構、第一推動機構、第二推動機構，以及夾爪機構。該供料元件包括至少一個容納件與支撐件，該容納件設有中空的容納部及與該支撐件相連接的連接部。該吸取機構包括旋轉驅動器及吸取件。該旋轉驅動器用於驅動該吸取件翻轉預定角度以從該容納部之下吸取砂紙。該第一推動機構用於將砂紙從該吸取元件傳送至該機械手以對產品進行拋光。該夾爪機構用於將該機械手使用後的砂紙夾緊或鬆開，以使得該機械手與砂紙分離從而使該第二推動件將砂紙從該夾爪機構推落。
简体摘要：本发明提供一种自动抛光设备，用于利用砂纸对产品进行抛光，包括机架、机械手、供料组件、与该供料组件相邻的吸取机构、第一推动机构、第二推动机构，以及夹爪机构。该供料组件包括至少一个容纳件与支撑件，该容纳件设有中空的容纳部及与该支撑件相连接的连接部。该吸取机构包括旋转驱动器及吸取件。该旋转驱动器用于驱动该吸取件翻转预定角度以从该容纳部之下吸取砂纸。该第一推动机构用于将砂纸从该吸取组件发送至该机械手以对产品进行抛光。该夹爪机构用于将该机械手使用后的砂纸夹紧或松开，以使得该机械手与砂纸分离从而使该第二推动件将砂纸从该夹爪机构推落。

5. 发明专利

TW200717635A 半導體晶圓之研磨方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆之研磨方法
公开(公告)号：TW200717635A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095128841
申请日：2006-08-07
申请人：小松電子金屬股份有限公司 KOMATSU ELECTRONIC METALS CO., LTD.
发明人：小佐佐和明 , 山田源治 , 富田保洋 , 若林博三
IPC分类号： H01L , B24B , B01D , C02F
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/044 , B24B55/12 , B24B57/04 , C09G1/02 , Y02P70/179
摘要：在研磨液調整部150之研磨液調整程序,將研磨液調整為Si/O組成比為50wt%-60wt%/40wt%-50wt%,彈性率為1.4�10^10Pa以上,粒徑為1��m以上之矽為3000個/ml以下的狀態,並利用調整之研磨液對半導體晶圓進行研磨。
简体摘要：在研磨液调整部150之研磨液调整进程,将研磨液调整为Si/O组成比为50wt%-60wt%/40wt%-50wt%,弹性率为1.4�10^10Pa以上,粒径为1��m以上之硅为3000个/ml以下的状态,并利用调整之研磨液对半导体晶圆进行研磨。

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