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热词
    • 1. 发明专利
    • 線材管理系統、線鋸及切割方法
    • 线材管理系统、线锯及切割方法
    • TW201803669A
    • 2018-02-01
    • TW106112513
    • 2013-12-04
    • 梅耶博格股份有限公司MEYER BURGER AG
    • 漢根布格 史蒂芬HUGGENBERGER, STEFAN海尼格 克里斯多福HEINIGER, CHRISTOPH
    • B23D57/00
    • B23D57/0007B23D57/0053B28D5/045
    • 本發明係有關於一種供線鋸所用的線材管理系統,其具有經引導通過一切割區域的一切割線材,該線材管理系統包含一用於供給切割線材至該線鋸之切割區域的線材供給單元及用於自該線鋸之切割區域接收切割線材的一線材接收單元,其中該線材供給單元及該線材接收單元之至少之一者包含:在部分重疊繞組中用於承載該切割線材的至少一可轉動貯存捲軸,用於在繞組中暫時地接收該切割線材的至少一可轉動儲存捲軸,其中該儲存捲軸之該可轉動軸係與該貯存捲軸的轉動軸相一致,一線材引導構件其當線材捲繞在該儲存捲軸上時用於引導該切割線材,以致在該儲存捲軸上的該線材繞組不會彼此部分重疊及/或與在該貯存捲軸上的繞組比較位在該儲存捲軸上的繞組具有一較低的密度。
    • 本发明系有关于一种供线锯所用的线材管理系统,其具有经引导通过一切割区域的一切割线材,该线材管理系统包含一用于供给切割线材至该线锯之切割区域的线材供给单元及用于自该线锯之切割区域接收切割线材的一线材接收单元,其中该线材供给单元及该线材接收单元之至少之一者包含:在部分重叠绕组中用于承载该切割线材的至少一可转动贮存卷轴,用于在绕组中暂时地接收该切割线材的至少一可转动存储卷轴,其中该存储卷轴之该可转动轴系与该贮存卷轴的转动轴相一致,一线材引导构件其当线材卷绕在该存储卷轴上时用于引导该切割线材,以致在该存储卷轴上的该线材绕组不会彼此部分重叠及/或与在该贮存卷轴上的绕组比较位在该存储卷轴上的绕组具有一较低的密度。
    • 2. 发明专利
    • 線鋸 WIRE SAW
    • 线锯 WIRE SAW
    • TW201240758A
    • 2012-10-16
    • TW101112698
    • 2012-04-11
    • 小松NTC股份有限公司
    • 松田晶寬長井俊樹
    • B23DB26D
    • B24B27/0633B23D57/0053B23D57/0061B24B27/0683
    • 一種線鋸,在一對纏線軸(22A、22B)與加工用輥(23A、23B)之間的線行走路徑上分別具有第1~第6導輥(24A~29A、24B~29B)。第4導輥(27A、27B)之導引溝(31)係具有使線(21)被限制在導引溝(31)之寬度方向上移動的形狀。第5導輥(28A、28B)之導引溝(32)係具有使線(21)被容許在導引溝(32)之寬度方向上移動的形狀。第6導輥(29A、29B)之導引溝(31)係具有使線(21)在導引溝(31)之寬度方向上移動的形狀。第5導輥(28A、28B)在各線行走路徑上係配置於第4導輥(27A、27B)與第6導輥(29A、29B)之間。
    • 一种线锯,在一对缠线轴(22A、22B)与加工用辊(23A、23B)之间的线行走路径上分别具有第1~第6导辊(24A~29A、24B~29B)。第4导辊(27A、27B)之导引沟(31)系具有使线(21)被限制在导引沟(31)之宽度方向上移动的形状。第5导辊(28A、28B)之导引沟(32)系具有使线(21)被容许在导引沟(32)之宽度方向上移动的形状。第6导辊(29A、29B)之导引沟(31)系具有使线(21)在导引沟(31)之宽度方向上移动的形状。第5导辊(28A、28B)在各线行走路径上系配置于第4导辊(27A、27B)与第6导辊(29A、29B)之间。
    • 3. 发明专利
    • 半導體晶圓之製造方法 MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFERS
    • 半导体晶圆之制造方法 MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFERS
    • TWI353905B
    • 2011-12-11
    • TW095114670
    • 2006-04-25
    • 小松NTC股份有限公司迪斯科股份有限公司
    • 宮田健章原田晴司長澤圭一
    • B24BB28DH01L
    • B28D5/045B23D57/0053
    • 為了藉由執行切割作業以便在切割處理程序中不會在晶圓表面上產生長周期波紋,且藉由在拋光處理期間完全地移除遺留在被切割晶圓表面上之短周期波紋,而省去磨光處理過程或雙圓盤研磨處理過程,提供一種製造方法,包含:一切割處理過程,藉由以每分鐘3至8次之恆定循環往復移動一鋼線鋸的鋼線,以切割半導體晶圓工件;一研磨處理過程,藉由一側接一側地以研磨輪研磨被切割晶圓的二側;以及,一拋光處理過程,藉由其中的研磨粒為固定的固定研磨粒拋光布,及不含研磨粒的磨料,執行在被研磨晶圓之二側上的化學機械拋光。
    • 为了借由运行切割作业以便在切割处理进程中不会在晶圆表面上产生长周期波纹,且借由在抛光处理期间完全地移除遗留在被切割晶圆表面上之短周期波纹,而省去磨光处理过程或双圆盘研磨处理过程,提供一种制造方法,包含:一切割处理过程,借由以每分钟3至8次之恒定循环往复移动一钢线锯的钢线,以切割半导体晶圆工件;一研磨处理过程,借由一侧接一侧地以研磨轮研磨被切割晶圆的二侧;以及,一抛光处理过程,借由其中的研磨粒为固定的固定研磨粒抛光布,及不含研磨粒的磨料,运行在被研磨晶圆之二侧上的化学机械抛光。