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1. 发明专利

TW200933082A 發光元件 LIGHT EMITTING DEVICE 失效
简体标题：发光组件 LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200933082A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097150406
申请日：2008-12-24
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD. , 松下電器產業股份有限公司 PANASONIC CORPORATION
发明人：國分英樹 KOKUBU, HIDEKI , 林稔真 HAYASHI, TOSHIMASA , 伊藤優輝 ITO, YUHKI , 宮美智雄 MIYAWAKI, MICHIO
IPC分类号： F21V , F21Y
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：在一安裝於配線板表面上之側面發光型發光元件中,此發光元件包含:一基體部,由一反射外殼及在反射外殼之後部的一端子支持部一體形成;及導線構件,被嵌入基體部且具有一對連結部;此連結部包括:連結部之基部,其從基體部之下表面向外引出且沿著該下表面被折彎;以及一側方彎曲部,其設置於連結部之基部上且沿著端子支持部之側面被折彎;此連結部被連結至配線板之一圖案;而其特徵為連結部之基部設有朝向端子支持部之下表面中心突出的突出部,且於端子支持部之下表面設有用以容納此突出部的切口部。
简体摘要：在一安装于配线板表面上之侧面发光型发光组件中,此发光组件包含:一基体部,由一反射外壳及在反射外壳之后部的一端子支持部一体形成;及导线构件,被嵌入基体部且具有一对链接部;此链接部包括:链接部之基部,其从基体部之下表面向外引出且沿着该下表面被折弯;以及一侧方弯曲部,其设置于链接部之基部上且沿着端子支持部之侧面被折弯;此链接部被链接至配线板之一图案;而其特征为链接部之基部设有朝向端子支持部之下表面中心突出的突出部,且于端子支持部之下表面设有用以容纳此突出部的切口部。

2. 发明专利

TWI288065B 連皮泡沫塑料之成形方法及成形用聚胺基甲酸乙酯材料有权
简体标题：连皮泡沫塑料之成形方法及成形用聚胺基甲酸乙酯材料
公开(公告)号：TWI288065B
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：TW089111029
申请日：2000-06-07
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：水野恒 , 山田貴弘 , 筒井良治
IPC分类号： B29C , C08G
CPC分类号： B29C44/3403 , B29C44/0407 , C08G18/1875 , C08G18/6685 , C08G2101/0016 , C08G2101/0033
摘要：【課題】可成形出具備低密度之核心部，及無縮退、膨脹、空隙不良等缺陷之具有良好外觀的ISF。【解決手段】將成形用模具1的模槽4於400Torr以下減壓。以多元醇成分及異氰酸酯成分作為主成分、未添加含氟烴類、且添加至少一種選自甲酸、甲酸之胺鹽及硼酸之胺鹽，並且相對於多元醇成分100重量份，將水含量限制於1重量以下之聚胺基甲酸乙酯材料M，注入模槽4中令其發泡，成形出具備低發泡之自體皮層及高發泡之核心部之半硬質的ISF。
简体摘要：【课题】可成形出具备低密度之内核部，及无缩退、膨胀、空隙不良等缺陷之具有良好外观的ISF。【解决手段】将成形用模具1的模槽4于400Torr以下减压。以多元醇成分及异氰酸酯成分作为主成分、未添加含氟烃类、且添加至少一种选自甲酸、甲酸之胺盐及硼酸之胺盐，并且相对于多元醇成分100重量份，将水含量限制于1重量以下之聚胺基甲酸乙酯材料M，注入模槽4中令其发泡，成形出具备低发泡之自体皮层及高发泡之内核部之半硬质的ISF。

3. 发明专利

TW200616260A 電極形成方法审中-公开
简体标题：电极形成方法
公开(公告)号：TW200616260A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094130082
申请日：2005-09-02
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：吉田和廣 YOSHIDA KAZUHIRO , 長谷川恭孝 HASEGAWA YUKITAKA , 加賀廣持 KAGA KOJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/42 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L31/1884 , H01L2224/02166 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05644 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01056 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , Y02E10/50 , H01L2924/00014
摘要：本發明之目的在於提供透光性高、低電阻之透光性電極之製造方法。本發明之解決手段為半導體發光元件100，其係具有於藍寶石基板上依序積層形成緩衝層102、未摻雜GaN層103、高載體濃度n^＋層104、n型層105、發光層106、p型層107、p型接觸層108，於至少氧存在之環境下，藉由電子束蒸鍍法或離子噴鍍法形成，之後進行燒成而形成之ITO所形成之透光性電極110。
简体摘要：本发明之目的在于提供透光性高、低电阻之透光性电极之制造方法。本发明之解决手段为半导体发光组件100，其系具有于蓝宝石基板上依序积层形成缓冲层102、未掺杂GaN层103、高载体浓度n^＋层104、n型层105、发光层106、p型层107、p型接触层108，于至少氧存在之环境下，借由电子束蒸镀法或离子喷镀法形成，之后进行烧成而形成之ITO所形成之透光性电极110。

4. 发明专利

TW200616098A 場效應電晶體,半導體元件,及其等製造方法,暨半導體之結晶成長方法 FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, A METHOD FOR MANUFACTURING THEM, AND A METHOD OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH 失效
简体标题：场效应晶体管,半导体组件,及其等制造方法,暨半导体之结晶成长方法 FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, A METHOD FOR MANUFACTURING THEM, AND A METHOD OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH
公开(公告)号：TW200616098A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094119288
申请日：2005-06-10
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：平田宏治 HIRATA KOJI , 小正芳 KOSAKI MASAYOSHI , 千田昌伸 SENDA MASANOBU , 柴田直樹 SHIBATA NAOKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003
摘要：本發明之目的係提高場效應電晶體中通道之載體(2次元電子氣體)之遷移率，藉此達到元件特性之改善。本發明之解決手段係一種場效應電晶體，其係具有由第Ⅲ族氮化物系化合物半導體所構成之緩衝層和障蔽層，而在上述緩衝層相對於上述障蔽層之界面側形成通道者，其特徵為，上述障蔽層係具有多層構造，該多層構造具備：急遽界面提供層，其構成障蔽層內之最下層之半導體層，急遽地形成與緩衝層間之界面之組成變化；以及電極連接面提供層，其構成障蔽層內之最上層之半導體層，頂面係大致平坦地形成。
简体摘要：本发明之目的系提高场效应晶体管中信道之载体(2次元电子气体)之迁移率，借此达到组件特性之改善。本发明之解决手段系一种场效应晶体管，其系具有由第Ⅲ族氮化物系化合物半导体所构成之缓冲层和障蔽层，而在上述缓冲层相对于上述障蔽层之界面侧形成信道者，其特征为，上述障蔽层系具有多层构造，该多层构造具备：急遽界面提供层，其构成障蔽层内之最下层之半导体层，急遽地形成与缓冲层间之界面之组成变化；以及电极连接面提供层，其构成障蔽层内之最上层之半导体层，顶面系大致平坦地形成。

5. 发明专利

TWI242896B 三族氮化物系化合物半導體元件 GROUP III-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：三族氮化物系化合物半导体组件 GROUP III-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI242896B
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW093127450
申请日：2004-09-10
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：瀧哲也 TAKI, TETSUYA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/14
摘要：於三族氮化物系化合物半導體元件100中，有一中間層108設置於p-AlGaN層107及p-GaN層109之間，將一接受體雜質加入至107及109各層。於此情況，將中間層108以施體雜質摻雜，其濃度為使得於形成p-AlGaN層107期間導入中間層108的接受體雜質產生的正電洞實質上被補償。結果，中間層108的導電率變成極低，且三族氮化物系化合物半導體元件100之靜電耐受電壓因而顯著改善。
简体摘要：于三族氮化物系化合物半导体组件100中，有一中间层108设置于p-AlGaN层107及p-GaN层109之间，将一接受体杂质加入至107及109各层。于此情况，将中间层108以施体杂质掺杂，其浓度为使得于形成p-AlGaN层107期间导入中间层108的接受体杂质产生的正电洞实质上被补偿。结果，中间层108的导电率变成极低，且三族氮化物系化合物半导体组件100之静电耐受电压因而显着改善。

6. 发明专利

TW200427165A 雷射二極體元件 LASER DIODE ELEMENT 失效
简体标题：激光二极管组件 LASER DIODE ELEMENT
公开(公告)号：TW200427165A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：TW093112514
申请日：2004-05-04
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：渡邊大志 WATANABE, HIROSHI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02288 , H01S5/0654 , H01S5/1082 , H01S5/2218 , H01S5/2231
摘要：本發明係在脊形波導通路型之III族氮化合物系化合物半導體雷射二極體元件中，形成包含第1區域，含有中央部且接連於縱方向；以及第2區域，由該第1區域兩側夾住且其平均層厚比該第1區域之平均層厚小之脊形構造。
简体摘要：本发明系在嵴形波导通路型之III族氮化合物系化合物半导体激光二极管组件中，形成包含第1区域，含有中央部且接连于纵方向；以及第2区域，由该第1区域两侧夹住且其平均层厚比该第1区域之平均层厚小之嵴形构造。

7. 发明专利

TW200414567A 白色發光裝置 WHITE LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：白色发光设备 WHITE LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200414567A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092126651
申请日：2003-09-26
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：安川武正 YASUKAWA, TAKEMASA , 下西正太 SHIMONISHI, SHOTA , 太田光一 OTA, KOICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C09K11/7735 , C09K11/7731 , C09K11/7734 , C09K11/7737 , C09K11/774 , H01L25/167 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種白色發光裝置。利用固定物21將紫色LED19固定於框體17之杯狀部17a內的引線架14、15上，藉由在杯狀部17a內填充透明樹脂所形成之密封材26而將此紫色LED19予以密封。另外，於密封材26中混入紅綠藍黃螢光體28～30以吸收紫色LED19所發射的光後，發射不同於此被吸收光波長之紅、綠與藍色波長的光。於如此白色發光裝置的密封材26中，追加混入黃螢光體31以吸收紫色LED19所發射的光後，發射不同於此被吸收光波長之黃色波長的光。
简体摘要：本发明系关于一种白色发光设备。利用固定物21将紫色LED19固定于框体17之杯状部17a内的引线架14、15上，借由在杯状部17a内填充透明树脂所形成之密封材26而将此紫色LED19予以密封。另外，于密封材26中混入红绿蓝黄萤光体28～30以吸收紫色LED19所发射的光后，发射不同于此被吸收光波长之红、绿与蓝色波长的光。于如此白色发光设备的密封材26中，追加混入黄萤光体31以吸收紫色LED19所发射的光后，发射不同于此被吸收光波长之黄色波长的光。

8. 发明专利

TW571446B 第Ⅲ族氮化物系化合物半導體元件有权
简体标题：第Ⅲ族氮化物系化合物半导体组件
公开(公告)号：TW571446B
公开(公告)日：2004-01-11
申请号：TW091100454
申请日：2002-01-15
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：千代敏明 TOSHIAKI CHIYO , 伊藤潤 JUN ITO , 柴田直樹 NAOKI SHIBATA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/007
摘要：本發明係將(Ti1-xAx)N(其中，A係指Al,Ca,In中至少選擇其中一種的金屬)採用為金屬氮化物層，並於該金屬氮化物層上形成第Ⅲ族氮化物系化合物半導體層。在足夠厚度的金屬氮化物層與基板之間形成Ti層，然後若去除鈦層的話，便可獲得將金屬氮化物當作基板用的第Ⅲ族氮化物系化合物半導體元件。
简体摘要：本发明系将(Ti1-xAx)N(其中，A系指Al,Ca,In中至少选择其中一种的金属)采用为金属氮化物层，并于该金属氮化物层上形成第Ⅲ族氮化物系化合物半导体层。在足够厚度的金属氮化物层与基板之间形成Ti层，然后若去除钛层的话，便可获得将金属氮化物当作基板用的第Ⅲ族氮化物系化合物半导体组件。

9. 外观设计

TWD130666S 發光二極體 LIGHT EMITTING DIODE 有权
简体标题：发光二极管 LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TWD130666S
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097303656
申请日：2008-06-24
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD. , 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
设计人：國分英樹 KOKUBU, HIDEKI , 林稔真 HAYASHI, TOSHIMASA , 宮美智雄 MIYAWAKI, MICHIO
摘要：【物品用途】
本創作係一種發光二極體,其用樹脂材料封裝發光元件作為發光面。該發光二極體具備基體,該基體係由反射外殼與該反射外殼後部的端子保持部(凹部)二者以一體成型的方式所構成,用來對該發光元件供應電力之引線部(電極)的一部分自該基體延伸而出,該等引線部的一部分沿著端子保持部彎曲。
【創作特點】
本創作之反射外殼開口部向下凸出,引線部呈T字狀,底面與側面之端子保持部可收納保持該引線部,由於將該引線部收納於底面側,故從前視觀察也不易看見該引線部。且由於沒有特別突出的部分,故整體而言本創作給人一種長方體的感覺,外觀簡約大方。
简体摘要：【物品用途】本创作系一种发光二极管,其用树脂材料封装发光组件作为发光面。该发光二极管具备基体,该基体系由反射外壳与该反射外壳后部的端子保持部(凹部)二者以一体成型的方式所构成,用来对该发光组件供应电力之引线部(电极)的一部分自该基体延伸而出,该等引线部的一部分沿着端子保持部弯曲。【创作特点】本创作之反射外壳开口部向下凸出,引线部呈T字状,底面与侧面之端子保持部可收纳保持该引线部,由于将该引线部收纳于底面侧,故从前视观察也不易看见该引线部。且由于没有特别突出的部分,故整体而言本创作给人一种长方体的感觉,外观简约大方。

10. 发明专利

TWI295075B 半導體晶圓之晶片分割方法失效
简体标题：半导体晶圆之芯片分割方法
公开(公告)号：TWI295075B
公开(公告)日：2008-03-21
申请号：TW094115586
申请日：2001-03-14
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：橋村昌樹 MASAKI HASHIMURA , 佐藤孝夫 TAKAO SATO , 太田光一 KOICHI OTA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3046 , H01L21/3043 , H01L21/3081 , H01L21/78
摘要：本發明係關於一種半導體晶圓之晶片分割方法，其為，在基板上形成半導體層所成之半導體晶圓分割成多數的半導體晶片之方法者。第一之方法係包含形成在半導體晶圓之表面上，留下格子狀露出部之圖案之耐噴砂罩幕之步驟，及對半導體晶圓噴射微粒子噴砂材，在格子狀露出部形成到達前述基板之預定深度之分割用槽溝之步驟者。第二之方法係包含在半導體晶圓之形成有半導體層側之表面，用切片，蝕刻或噴砂法等形成槽溝寬幅相對地較狹窄的第一分割用槽溝的步驟，及在半導體晶圓之非形成半導體層側之表面且對應於第一分割用槽溝之位置，用切片法形成槽溝寬幅相對地較寬之第二分割用槽溝之步驟者。
简体摘要：本发明系关于一种半导体晶圆之芯片分割方法，其为，在基板上形成半导体层所成之半导体晶圆分割成多数的半导体芯片之方法者。第一之方法系包含形成在半导体晶圆之表面上，留下格子状露出部之图案之耐喷砂罩幕之步骤，及对半导体晶圆喷射微粒子喷砂材，在格子状露出部形成到达前述基板之预定深度之分割用槽沟之步骤者。第二之方法系包含在半导体晶圆之形成有半导体层侧之表面，用切片，蚀刻或喷砂法等形成槽沟宽幅相对地较狭窄的第一分割用槽沟的步骤，及在半导体晶圆之非形成半导体层侧之表面且对应于第一分割用槽沟之位置，用切片法形成槽沟宽幅相对地较宽之第二分割用槽沟之步骤者。

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