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1. 发明专利

TW517097B 化學氣相沉積裝置有权
简体标题：化学气相沉积设备
公开(公告)号：TW517097B
公开(公告)日：2003-01-11
申请号：TW087115762
申请日：1998-09-24
申请人：應用材料公司
发明人：保羅B.庫宓塔 , 大衛K 卡爾森 , 金柏利E.克林克 , 哈洛德J.米林三世
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/4401
摘要：化學氣相沉積裝置10包含一化學氣相沉積處理室，該化學氣相沉積處理室具有一基底環18，以及上部與下部石英窗20與22，該化學氣相沉積裝置10還包含一石英襯裡26，當作基底環18的襯底，在石英襯裡26的外部表面上會形成一清洗通道46，以去除掉基底環18與石英襯裡26之間的污染物。
简体摘要：化学气相沉积设备10包含一化学气相沉积处理室，该化学气相沉积处理室具有一基底环18，以及上部与下部石英窗20与22，该化学气相沉积设备10还包含一石英衬里26，当作基底环18的衬底，在石英衬里26的外部表面上会形成一清洗信道46，以去除掉基底环18与石英衬里26之间的污染物。

2. 发明专利

TW481863B 加工室之遠距電漿清除方法有权
简体标题：加工室之远距等离子清除方法
公开(公告)号：TW481863B
公开(公告)日：2002-04-01
申请号：TW089113083
申请日：2000-07-01
申请人：應用材料公司
发明人：拉菲拉賈勾帕蘭 , 派翠西亞M 劉 , 帕芬K 那彎卡 , 修洋川 , 帕曼亞伯罕克里希那拉 , 亞倫亞伯洛 , 提姆卡斯珀 , 妥各沙因 , 高成德
IPC分类号： H01L
摘要：說明一種加工室清除方法，其利用微波能量自遠距產生反應性物種，以單獨使用或與惰性氣體結合，而自加工室移除沈積物。此反應性物種可在第一壓力下自第一加工區域移除沈積物，接著再在第二壓力下自第二加工區域移除沈積物。亦說明一種在單一加工區域中在兩不同壓力下利用遠距產生反應性物種之清除方法。另外，可利用反應性氣體及惰性氣體之不同比例於改良清除方法之均勻度，提高清除速率，降低反應性物種之再結合，及提高提供至加工室之反應性物種的滯留時間。
简体摘要：说明一种加工室清除方法，其利用微波能量自远距产生反应性物种，以单独使用或与惰性气体结合，而自加工室移除沉积物。此反应性物种可在第一压力下自第一加工区域移除沉积物，接着再在第二压力下自第二加工区域移除沉积物。亦说明一种在单一加工区域中在两不同压力下利用远距产生反应性物种之清除方法。另外，可利用反应性气体及惰性气体之不同比例于改良清除方法之均匀度，提高清除速率，降低反应性物种之再结合，及提高提供至加工室之反应性物种的滞留时间。

3. 发明专利

TW473802B 晶圓製造資料獲取及管理系統有权
简体标题：晶圆制造数据获取及管理系统
公开(公告)号：TW473802B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW090100802
申请日：2001-01-12
申请人：應用材料公司
发明人：雪利科多發 , 泰瑞L 多尤 , 拿他利亞克魯諾亞 , 葉佛古尼羅伯夫斯基 , 印那盧內發 , 里查C 里昂 , 尤加利尼西目拉 , 克來瑞諾雷特 , 泰瑞瑞斯 , 王陽陶 , 麥可E 威爾媚爾
IPC分类号： H01L , G05B , G06F
CPC分类号： G05B19/042
摘要：本發明提出一種半導體製程裝置(800)，包括一個工具：有一個或多個感測器(802)，主要資料通信埠(804)和次要資料通信埠(806)。感測器資料獲取子系統(808)透過次要埠(806)獲取工具的感測器資料。資料獲取子系統(808)透過主要埠(804)獲取MES操作訊息。感測器資料傳送給感測器資料處理子系統(810)的感測器處理單元(828)。感測器處理單元(828)處理和分析感測器資料。另外，能夠使這個處理單元(828)用於產品的製造或者處理相關的決定，例如若製程不在控制範圍之內操作便產生警報。另一個實施例中，本發明提出一種處理晶圓製程設備(1000 )資料的方法和儀器，包括多個工具(1004-1010 )，每一個工具有主要資料通信埠(1012-1018)和次要資料通信埠(1042-1048)。
简体摘要：本发明提出一种半导体制程设备(800)，包括一个工具：有一个或多个传感器(802)，主要数据端口(804)和次要数据端口(806)。传感器数据获取子系统(808)透过次要端口(806)获取工具的传感器数据。数据获取子系统(808)透过主要端口(804)获取MES操作消息。传感器数据发送给传感器数据处理子系统(810)的传感器处理单元(828)。传感器处理单元(828)处理和分析传感器数据。另外，能够使这个处理单元(828)用于产品的制造或者处理相关的决定，例如若制程不在控制范围之内操作便产生警报。另一个实施例中，本发明提出一种处理晶圆制程设备(1000 )数据的方法和仪器，包括多个工具(1004-1010 )，每一个工具有主要数据端口(1012-1018)和次要数据端口(1042-1048)。

4. 发明专利

TW465010B 用於基材承載裝置之碳化矽套筒失效
简体标题：用于基材承载设备之碳化硅套筒
公开(公告)号：TW465010B
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：TW089113087
申请日：2000-12-15
申请人：應用材料公司
发明人：羅莉A 克拉漢 , 羅傑N 安德森 , 大衛K 卡爾森
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67748 , H01L21/68728 , H01L21/68792 , Y10T29/49826 , Y10T29/49947
摘要：一種用以承載一諸如半導體晶片基材之裝置及方法。碳化矽套筒覆蓋諸如基材載具向上延伸壁之基材承載構件，其為基材承載裝置之一部分。包含向上延伸壁之基材載具在其裝上及卸下一加工艙體過程中，保持基材與一諸如一感測器之平台分隔。平台界定壁件伸越其間之通孔。壁件可相對平台垂直移越通孔，同時在基材外緣或是變通地在外緣內側接合基材。
简体摘要：一种用以承载一诸如半导体芯片基材之设备及方法。碳化硅套筒覆盖诸如基材载具向上延伸壁之基材承载构件，其为基材承载设备之一部分。包含向上延伸壁之基材载具在其装上及卸下一加工舱体过程中，保持基材与一诸如一传感器之平台分隔。平台界定壁件伸越其间之通孔。壁件可相对平台垂直移越通孔，同时在基材外缘或是变通地在外缘内侧接合基材。

5. 发明专利

TW440685B 溫度量測系統失效
简体标题：温度量测系统
公开(公告)号：TW440685B
公开(公告)日：2001-06-16
申请号：TW088113892
申请日：1999-08-13
申请人：應用材料公司
发明人：沃甫干阿德厚 , 亞伯赫拉希J.梅尤 , 比得A.努特
IPC分类号： G01J
CPC分类号： G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J2005/0048
摘要：一種用以一熱處理室中調節溫度感測器讀數之方法及系統，包括根據基體之量測來決定一基體之一實際溫度分佈圖。該基體之一模擬溫度分佈圖係用一個以上與處理室有關之溫度感測器之各別臨時溫度校正位予以計算。對於來自室中之多輻射源之熱之類高斯分佈可用來模擬溫度分佈圖。所模擬之溫度分佈圖及實際溫度分佈圖皆予以組合以形成一估計溫度分佈圖。每個各自溫度校正值之一終值係用一最佳演算法予以決定，其導致所估計之溫度分佈圖係大致上均勻的通過基體之表面。每個最終溫度校正值乃係用作為對從相應之溫度感測器所獲得之溫度量測之一種補償。
简体摘要：一种用以一热处理室中调节温度传感器读数之方法及系统，包括根据基体之量测来决定一基体之一实际温度分布图。该基体之一仿真温度分布图系用一个以上与处理室有关之温度传感器之各别临时温度校正位予以计算。对于来自室中之多辐射源之热之类高斯分布可用来仿真温度分布图。所仿真之温度分布图及实际温度分布图皆予以组合以形成一估计温度分布图。每个各自温度校正值之一终值系用一最佳算法予以决定，其导致所估计之温度分布图系大致上均匀的通过基体之表面。每个最终温度校正值乃系用作为对从相应之温度传感器所获得之温度量测之一种补偿。

6. 发明专利

TW437268B 用於電漿製程之雙狹縫閥門有权
简体标题：用于等离子制程之双狭缝阀门
公开(公告)号：TW437268B
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW088107453
申请日：1999-05-07
申请人：應用材料公司
发明人：麥克D.威齊 , 亨金沈 , 保羅E.路斯齊 , 伊凡斯Y.李 , 詹姆士D.卡度希 , 賽梅克莎里曼
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01L21/67011 , H01J37/32458 , H01J2237/186 , Y10S156/916 , Y10S414/139
摘要：本發明係關於一基板真空製程室中，一種第二內部狹縫通道門裝置以及安裝該一般狹縫閥與它的門於室外之方法。該內部狹縫通道門阻塞該真空製程室內處於或鄰接該基板製程位置之狹縫通道用以阻止沈積在狹縫通道之內部表面上之製程副產品超越該狹縫通道門，以及藉著去除鄰接至該基板製程，可能容許電漿擴張至的位置之大洞，來改善電漿之一致性。該內部狹縫通道門被規劃及安置成，可避免在第二狹縫閥門之開關運轉中產生微粒，因在它運轉期間並不與該室之任何元件摩擦且該內部狹縫通道門與相鄰組件間保持一預設之間隙位置以及該門架構中包含可進一步降低產生微粒機會之斜面，即使該門及它的鄰接表面上有沈積之製程副產品亦然。
简体摘要：本发明系关于一基板真空制程室中，一种第二内部狭缝信道门设备以及安装该一般狭缝阀与它的门于室外之方法。该内部狭缝信道门阻塞该真空制程室内处于或邻接该基板制程位置之狭缝信道用以阻止沉积在狭缝信道之内部表面上之制程副产品超越该狭缝信道门，以及借着去除邻接至该基板制程，可能容许等离子扩张至的位置之大洞，来改善等离子之一致性。该内部狭缝信道门被规划及安置成，可避免在第二狭缝阀门之开关运转中产生微粒，因在它运转期间并不与该室之任何组件摩擦且该内部狭缝信道门与相邻组件间保持一默认之间隙位置以及该门架构中包含可进一步降低产生微粒机会之斜面，即使该门及它的邻接表面上有沉积之制程副产品亦然。

7. 发明专利

TW434824B 用於積體電路之互連結構失效
简体标题：用于集成电路之互链接构
公开(公告)号：TW434824B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW087104461
申请日：1998-03-25
申请人：應用材料公司
发明人：廖德堆 , 陳其賢 , 珍妮佛張 , 麥克唐耐 , 羅德雷克C.默斯里 , 卡爾利達 , 依維雷傑馬克斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/4581 , C23C16/481 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01J37/32174 , H01L21/321 , H01L21/76838 , H01L21/76846 , H01L21/76862 , H01L21/76864 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/53257 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：在積體電路內製造一種結構，以提供該積體電路內之元件耦合。此種結構自一導電表面伸過伸展於該導電表面上之一通道。此種結構包含一層耐火金屬，一層金屬氮化粉及一金屬層。耐火金屬層被沉積在導電表面上及通道內壁上。金屬氮化物層被製造在耐火金屬層上。金屬氮化物層之厚度係自不及130之耐火金屬層延伸而成。金屬層則被沉積在金屬氮化物層上。
简体摘要：在集成电路内制造一种结构，以提供该集成电路内之组件耦合。此种结构自一导电表面伸过伸展于该导电表面上之一信道。此种结构包含一层耐火金属，一层金属氮化粉及一金属层。耐火金属层被沉积在导电表面上及信道内壁上。金属氮化物层被制造在耐火金属层上。金属氮化物层之厚度系自不及130之耐火金属层延伸而成。金属层则被沉积在金属氮化物层上。

8. 发明专利

TW434638B 具有內部電感線圈天線及導電性器壁之射頻電漿蝕刻反應器有权
简体标题：具有内部电感线圈天线及导电性器壁之射频等离子蚀刻反应器
公开(公告)号：TW434638B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW088116281
申请日：1999-09-22
申请人：應用材料公司
发明人：易原 , 多諾歐嘉度 , 阿南達H.庫瑪 , 尤法莫 , 亞倫德安柏 , 艾菲坦曼 , 迪亞娜馬
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/321
摘要：本發明可在一處理室之中提供一種固定電感天線。該天線係構成以固定在一導電性器壁，所以可將熱轉移給該器壁。該導電性器壁可提供偏壓電路的一改良陽極及允許天線溫度調節。在一可能的具體實施例中，該天線係包含一電絕緣所環繞之導體，其係熱傳導性、非濺射材料，例如為可固定在該器壁的陶瓷。若要減少電感功率衰減，該天線的暴露表面係由空隙隔開，該空隙可抑制渦流在天線上流動的傳導性沉積。毗連之天線線繞以及線繞本身係由空隙隔開，空隙的尺寸和形狀可抑制傳導性的蝕刻副產物橋接該空隙。假環係位在天線環之間，並可移除以利清潔。處理氣體可經由空隙提供給該室。
简体摘要：本发明可在一处理室之中提供一种固定电感天线。该天线系构成以固定在一导电性器壁，所以可将热转移给该器壁。该导电性器壁可提供偏压电路的一改良阳极及允许天线温度调节。在一可能的具体实施例中，该天线系包含一电绝缘所环绕之导体，其系热传导性、非溅射材料，例如为可固定在该器壁的陶瓷。若要减少电感功率衰减，该天线的暴露表面系由空隙隔开，该空隙可抑制涡流在天在线流动的传导性沉积。毗连之天线线绕以及线绕本身系由空隙隔开，空隙的尺寸和形状可抑制传导性的蚀刻副产物桥接该空隙。假环系位在天线环之间，并可移除以利清洁。处理气体可经由空隙提供给该室。

9. 发明专利

TW426873B 快速熱處理室用之磁性懸浮轉動系統失效
简体标题：快速热处理室用之磁性悬浮转动系统
公开(公告)号：TW426873B
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：TW087107019
申请日：1998-05-06
申请人：應用材料公司
发明人：班傑明拜爾門 , 詹姆士V.泰茲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68785 , F16C32/047 , H01L21/68792
摘要：本發明係提供在快速熱處理室中供磁性懸浮轉動系統用之設備。此系統包含一個可導磁之轉子;一個與該轉子同心並環繞該轉子之圓柱形薄壁;以及一個與該圓柱形薄壁相鄰之磁性定子組件。在轉子與磁性定子組件間之徑向距離足夠小，而使由定子組件造成的磁場能將轉子磁性懸浮，但其也足夠大，使得在熱膨脹時，轉子不會與薄壁發生物理性接觸。此系統係數使測定旋轉架構位置之一群感應器之相對位置，在拆解時得以維持。包含轉子之區域的熱絕緣。係由在快速熱處理室之處理區域中之反應氣體達成。該轉子可以由在該室中形成之數個冷卻室來冷卻。
简体摘要：本发明系提供在快速热处理室中供磁性悬浮转动系统用之设备。此系统包含一个可导磁之转子;一个与该转子同心并环绕该转子之圆柱形薄壁;以及一个与该圆柱形薄壁相邻之磁性定子组件。在转子与磁性定子组件间之径向距离足够小，而使由定子组件造成的磁场能将转子磁性悬浮，但其也足够大，使得在热膨胀时，转子不会与薄壁发生物理性接触。此系统系数使测定旋转架构位置之一群感应器之相对位置，在拆解时得以维持。包含转子之区域的热绝缘。系由在快速热处理室之处理区域中之反应气体达成。该转子可以由在该室中形成之数个冷却室来冷却。

10. 发明专利

TW201100583A 在安瓿決定預製物數量的方法 METHODS FOR DETERMINING THE QUANTITY OF PRECURSOR IN AN AMPOULE 审中-公开
简体标题：在安瓿决定预制物数量的方法 METHODS FOR DETERMINING THE QUANTITY OF PRECURSOR IN AN AMPOULE
公开(公告)号：TW201100583A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099116376
申请日：2010-05-21
申请人：應用材料公司
发明人：尤德夫斯基約瑟夫 , 圖斌傑弗里 , 劉帕特里夏M , 甘戈法如克 , 尼各泰T , 泰池特拉維斯 , 喬伊肯瑞克
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/4481
摘要：本發明提供決定安瓿內預製物數量的方法。在一些實施例中,用於決定安瓿內固體預製物數量的方法可包括在具有部分由固體預製物填充之第一體積的安瓿內決定第一壓力;將一定量的第一氣體流至安瓿內以形成安瓿內的第二壓力;基於第一壓力、第二壓力以及流至安瓿內該定量第一氣體之間的關係,決定第一體積的剩餘部分;以及基於第一體積及第一體積剩餘部分決定安瓿內固體預製物的數量。
简体摘要：本发明提供决定安瓿内预制物数量的方法。在一些实施例中,用于决定安瓿内固体预制物数量的方法可包括在具有部分由固体预制物填充之第一体积的安瓿内决定第一压力;将一定量的第一气体流至安瓿内以形成安瓿内的第二压力;基于第一压力、第二压力以及流至安瓿内该定量第一气体之间的关系,决定第一体积的剩余部分;以及基于第一体积及第一体积剩余部分决定安瓿内固体预制物的数量。

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