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1. 发明专利

TW437268B 用於電漿製程之雙狹縫閥門有权
简体标题：用于等离子制程之双狭缝阀门
公开(公告)号：TW437268B
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW088107453
申请日：1999-05-07
申请人：應用材料公司
发明人：麥克D.威齊 , 亨金沈 , 保羅E.路斯齊 , 伊凡斯Y.李 , 詹姆士D.卡度希 , 賽梅克莎里曼
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01L21/67011 , H01J37/32458 , H01J2237/186 , Y10S156/916 , Y10S414/139
摘要：本發明係關於一基板真空製程室中，一種第二內部狹縫通道門裝置以及安裝該一般狹縫閥與它的門於室外之方法。該內部狹縫通道門阻塞該真空製程室內處於或鄰接該基板製程位置之狹縫通道用以阻止沈積在狹縫通道之內部表面上之製程副產品超越該狹縫通道門，以及藉著去除鄰接至該基板製程，可能容許電漿擴張至的位置之大洞，來改善電漿之一致性。該內部狹縫通道門被規劃及安置成，可避免在第二狹縫閥門之開關運轉中產生微粒，因在它運轉期間並不與該室之任何元件摩擦且該內部狹縫通道門與相鄰組件間保持一預設之間隙位置以及該門架構中包含可進一步降低產生微粒機會之斜面，即使該門及它的鄰接表面上有沈積之製程副產品亦然。
简体摘要：本发明系关于一基板真空制程室中，一种第二内部狭缝信道门设备以及安装该一般狭缝阀与它的门于室外之方法。该内部狭缝信道门阻塞该真空制程室内处于或邻接该基板制程位置之狭缝信道用以阻止沉积在狭缝信道之内部表面上之制程副产品超越该狭缝信道门，以及借着去除邻接至该基板制程，可能容许等离子扩张至的位置之大洞，来改善等离子之一致性。该内部狭缝信道门被规划及安置成，可避免在第二狭缝阀门之开关运转中产生微粒，因在它运转期间并不与该室之任何组件摩擦且该内部狭缝信道门与相邻组件间保持一默认之间隙位置以及该门架构中包含可进一步降低产生微粒机会之斜面，即使该门及它的邻接表面上有沉积之制程副产品亦然。

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